一种真空电容器的制作方法

本发明涉及真空高频大功率电子，尤其是涉及一种真空电容器。

背景技术：

1、当前，存在两类绝缘介质的真空电容，一类是玻璃壳的真空电容，一类是陶瓷壳的真空电容，上述真空电容的两级都普遍采用了两组大小不等的圆筒形无氧铜环相互穿插的结构，相邻圆筒形无氧铜环分属两极，相邻圆筒形无氧铜环之间的间距相等。真空电容一般应用在高压环境中，最大耐压值是真空电容的一个核心指标。

2、本申请人发现现有技术中至少存在以下技术问题：现有的真空电容由于采用了等间距的结构，从最里侧到最外侧的相邻圆筒形无氧铜环的最低耐压逐渐增大，外侧相邻圆筒形无氧铜环的间距过大，浪费了大量的电容容量，而内侧相邻圆筒形无氧铜环的间距过小，大大拉低了浪费了电容的最大耐压值。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种真空电容器，以解决现有技术中存在的真空电容的电容容量较为浪费，最大耐压值较低的技术问题。本发明提供的诸多技术方案中的优选技术方案所能产生的诸多技术效果详见下文阐述。

2、为实现上述目的，本发明提供了以下技术方案：

3、一种真空电容器，包括电容a极和电容b极，所述电容a极包括第一环板，所述电容b极包括第二环板，所有的所述第一环板和所有的所述第二环板同心并且相互穿插设置，每两个相邻的所述第一环板和所述第二环板之间的间距由最外侧至最内侧依次增大。

4、优选地，每两个相邻的所述第一环板和所述第二环板之间，相对位于外侧的环板内表面的半径为r，相对位于内侧的环板外表面的半径为r，rlnr/r的计算数值恒等。

5、优选地，所述电容a极还包括第一连接板，所有的所述第一环板均与所述第一连接板相连接。

6、优选地，所述电容a极还包括连接管，所述连接管的一端位于所述电容a极与所述电容b极围合形成的空间内部并且形成所述电容a极最内侧的所述第一环板，所述连接管的另一端穿出所述第一连接板并且与外部结构相连接。

7、优选地，所述电容a极还包括连接管、第一固定连接板、波纹管和第一活动连接板，所有的所述第一环板均与所述第一活动连接板相连接，所述波纹管的两端分别与所述第一活动连接板和所述第一固定连接板相连接，所述连接管的中部与所述第一活动连接板相连接，所述连接管的一端位于所述电容a极与所述电容b极围合形成的空间内部并且形成所述电容a极最内侧的所述第一环板，所述连接管的另一端穿出所述第一固定连接板并且与外部结构相连接。

8、优选地，所述电容b极还包括第二连接板，所有的所述第二环板均与所述第二连接板相连接。

9、优选地，还包括绝缘外壳，所述绝缘外壳分别与所述电容a极和所述电容b极相连接。

10、优选地，所述绝缘外壳采用高频陶瓷或者玻璃制成。

11、本发明的有益效果为：真空电容器能够利用空间电场的不对称性，调整每两个相邻的第一环板和第二环板之间的间距,使得每两个相邻的第一环板和第二环板之间的间距由最外侧至最内侧依次增大，如此设置，半径越大的两个圆筒形金属环之间的距离越近，电容的增加越多，总的电容容量也得到提高，如此设置，在保持当前的电容体积不变的前提条件下，能够得到容量更大、耐压更高的真空电容器。

技术特征：

1.一种真空电容器，其特征在于，包括电容a极(1)和电容b极(2)，所述电容a极(1)包括第一环板(11)，所述电容b极(2)包括第二环板(21)，所有的所述第一环板(11)和所有的所述第二环板(21)同心并且相互穿插设置，每两个相邻的所述第一环板(11)和所述第二环板(21)之间的间距由最外侧至最内侧依次增大。

2.根据权利要求1所述的真空电容器，其特征在于，每两个相邻的所述第一环板(11)和所述第二环板(21)之间，相对位于外侧的环板内表面的半径为r，相对位于内侧的环板外表面的半径为r，rln(r/r)的计算数值恒等。

3.根据权利要求1所述的真空电容器，其特征在于，所述电容a极(1)还包括第一连接板(12)，所有的所述第一环板(11)均与所述第一连接板(12)相连接。

4.根据权利要求3所述的真空电容器，其特征在于，所述电容a极(1)还包括连接管(13)，所述连接管(13)的一端位于所述电容a极(1)与所述电容b极(2)围合形成的空间内部并且形成所述电容a极(1)最内侧的所述第一环板(11)，所述连接管(13)的另一端穿出所述第一连接板(12)并且与外部结构相连接。

5.根据权利要求1所述的真空电容器，其特征在于，所述电容a极(1)还包括连接管(13)、第一固定连接板(14)、波纹管(15)和第一活动连接板(16)，所有的所述第一环板(11)均与所述第一活动连接板(16)相连接，所述波纹管(15)的两端分别与所述第一活动连接板(16)和所述第一固定连接板(14)相连接，所述连接管(13)的中部与所述第一活动连接板(16)相连接，所述连接管(13)的一端位于所述电容a极(1)与所述电容b极(2)围合形成的空间内部并且形成所述电容a极(1)最内侧的所述第一环板(11)，所述连接管(13)的另一端穿出所述第一固定连接板(14)并且与外部结构相连接。

6.根据权利要求1所述的真空电容器，其特征在于，所述电容b极(2)还包括第二连接板(22)，所有的所述第二环板(21)均与所述第二连接板(22)相连接。

7.根据权利要求1所述的真空电容器，其特征在于，还包括绝缘外壳(3)，所述绝缘外壳(3)分别与所述电容a极(1)和所述电容b极(2)相连接。

8.根据权利要求7所述的真空电容器，其特征在于，所述绝缘外壳(3)采用高频陶瓷或者玻璃制成。

技术总结
本发明提供了一种真空电容器，涉及真空高频大功率电子技术领域。它包括电容A极和电容B极，电容A极包括第一环板，电容B极包括第二环板，所有的第一环板和所有的第二环板同心并且相互穿插设置，每两个相邻的第一环板和第二环板之间的间距由最外侧至最内侧依次增大，半径越大的两个圆筒形金属环之间的距离越近，电容的增加越多，总的电容容量也得到提高，如此设置，在保持当前的电容体积不变的前提条件下，能够得到容量更大、耐压更高的真空电容器。

技术研发人员：李东红,黄庆彩,黄庆生,蔡战威,蔡妍
受保护的技术使用者：北京宇成天枢科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/10