1.一种电容结构，其特征在于，包括具有间隔设置的钝化区的衬底以及依次形成于所述衬底表面的第一导电层、第一介质层、第二导电层、第二介质层以及第三导电层，其中，所述第二导电层与所述衬底在相邻钝化区之间的非钝化区域内相连通以形成第一电极层，所述第一导电层与所述第三导电层相连通以形成第二电极层，所述第一介质层与所述第二介质层相连通且所述第一介质层与所述钝化区相接触以隔离所述第一电极层和所述第二电极层；所述衬底背离所述钝化区的表面形成有第一电极；所述第三导电层的表面形成有第二电极。
2.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述衬底包括第一区域、第二区域以及第三区域，所述第二区域包围所述第一区域设置，所述第三区域包围所述第二区域设置；
3.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面，所述钝化区自第一表面向第二表面延伸，所述第一表面上于钝化区内形成有沟槽，所述沟槽中具有由部分衬底构成的若干分立的柱状结构。
4.根据权利要求3所述的电容结构，其特征在于，所述第一导电层、第一介质层、第二导电层、第二介质层以及第三导电层均覆盖或部分覆盖所述衬底的第一表面、所述沟槽的内壁以及所述柱状结构的外表面。
5.根据权利要求3所述的电容结构，其特征在于，所述第一导电层形成于所述衬底的第一表面、所述沟槽的内壁以及所述柱状结构的外表面上，所述第一导电层上开设有与所述非钝化区域对应的第一窗口，所述第一窗口暴露出所述非钝化区域的衬底以及部分所述钝化区的衬底。
6.根据权利要求5所述的电容结构，其特征在于，所述第一介质层形成于所述第一导电层的表面且于所述第一窗口处与所述钝化区相接触以隔离所述衬底和所述第一导电层，其中，所述第一窗口仍暴露出部分所述非钝化区域的衬底；
7.根据权利要求6所述的电容结构，其特征在于，所述第二窗口位于所述衬底边缘的第一表面处，所述第二窗口内填充有与所述第一导电层连通的导电材料。
8.根据权利要求6所述的电容结构，其特征在于，所述第二导电层形成于所述第一介质层的表面以及形成于所述第一窗口内以与所述衬底相连通形成所述第一电极层，所述第二导电层上开设有第三窗口，所述第三窗口暴露出部分所述第一介质层。
9.根据权利要求8所述的电容结构，其特征在于，所述第三窗口位于所述衬底边缘的第一表面处，且被所述第二窗口包围设置。
10.根据权利要求8所述的电容结构，其特征在于，所述第二介质层形成于所述第二导电层的表面且于所述第三窗口处与所述第一介质层相连通以隔离所述第一导电层和所述第二导电层，所述第二介质层上开设有与所述第二窗口对应的第四窗口。
11.根据权利要求10所述的电容结构，其特征在于，所述第三导电层形成于所述第二介质层的表面以及形成于所述第四窗口内且通过所述第二窗口内的导电材料与所述第一导电层相连通以形成所述第二电极层。
12.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述衬底为p型重掺杂衬底；和/或，
13.一种电容结构的制作方法，其特征在于，包括：
14.根据权利要求13所述的电容结构的制作方法，其特征在于，在所述第一导电层的表面形成与所述钝化区相接触的第一介质层，包括：
15.根据权利要求14所述的电容结构的制作方法，其特征在于，在所述第一介质层上开设第二窗口，所述第二窗口暴露出部分所述第一导电层；
16.根据权利要求15所述的电容结构的制作方法，其特征在于，在所述第二导电层上开设第三窗口，所述第三窗口暴露出部分所述第一介质层；
17.根据权利要求16所述的电容结构的制作方法，其特征在于，在所述第二介质层上开设有与所述第二窗口对应的第四窗口；
18.根据权利要求17所述的电容结构的制作方法，其特征在于，所述非钝化区域位于所述衬底中部且被所述第二窗口和第三窗口包围设置；