太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件与流程

本申请实施例涉及太阳能电池，特别涉及一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件。

背景技术：

1、化石能源存在大气污染并且储量有限，而太阳能具有清洁、无污染和资源丰富等优点，因此，太阳能正在逐步成为替代化石能源的核心清洁能源，由于太阳能电池具有良好的光电转化效率，太阳能电池成为了清洁能源利用的发展重心。

2、为了尽可能提高太阳能电池的效率和对入射光线的利用率，当前常用的方式是对太阳能电池进行图形化处理，形成和电极正对的金属化区域以及和金属化区域邻接的非金属化区域，并将非金属化区域的表面形貌转换为凹凸表面。然而，当前太阳能电池的制备成本和难度都较大。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件，至少有利于降低太阳能电池的制备成本和难度。

2、本申请实施例提供一种太阳能电池制备方法，包括：提供基底，所述基底的表面上具有第一掺杂层，所述第一掺杂层包括沿第一方向交替排布的金属化区和非金属化区；在所述第一掺杂层远离所述基底的表面上，形成保护层；对所述保护层与所述金属化区正对的部分进行改性处理，并刻蚀所述保护层，形成第一刻蚀掩模，所述第一刻蚀掩模正对所述金属化区；基于所述第一刻蚀掩模对所述第一掺杂层进行刻蚀处理，将所述非金属化区远离所述基底的表面转换为凹凸表面；去除所述第一刻蚀掩模。

3、在一些实施例中，对所述保护层与所述金属化区正对的部分进行改性处理的步骤包括：对所述保护层与所述金属化区正对的部分进行激光处理，和/或在所述保护层与所述金属化区正对的部分远离所述基底的表面上涂敷改性溶液。

4、在一些实施例中，所述激光处理的工艺参数包括：激光类型为紫外皮秒激光，且激光功率为4w至30w。

5、在一些实施例中，所述激光处理的方法包括：对所述保护层与所述金属化区正对的部分进行激光扫描，且所述激光的扫描速度为104mm/s至105mm/s。

6、在一些实施例中，形成所述保护层的方法包括：在所述第一掺杂层远离所述基底的表面上形成第二掺杂层，所述第二掺杂层和所述第一掺杂层具有不同的掺杂类型。

7、在一些实施例中，形成所述第一刻蚀掩模的方法包括：对所述第二掺杂层进行湿法刻蚀，且湿法刻蚀采用的刻蚀液包含浓度为2%至5%的强碱。

8、在一些实施例中，形成所述保护层的方法还包括：在所述第一掺杂层远离所述基底的表面上形成本征半导体层，向所述本征半导体层中掺杂目标掺杂元素，形成层叠设置在第一掺杂层上的所述第二掺杂层和绝缘层，所述绝缘层与所述第一掺杂层接触；对所述保护层与所述金属化区正对的部分进行改性处理的方法包括：对所述第二掺杂层与所述金属化区正对的部分进行改性处理。

9、在一些实施例中，形成所述第二掺杂层前还包括：在所述第一掺杂层远离所述基底的表面上形成绝缘层；形成所述第二掺杂层包括：在所述绝缘层远离所述基底的表面上形成所述第二掺杂层；对所述保护层与所述金属化区正对的部分进行改性处理的方法包括：对所述第二掺杂层与所述金属化区正对的部分进行改性处理。

10、在一些实施例中，形成所述第一刻蚀掩模的方法包括：对所述保护层进行第一湿法刻蚀，且第一湿法刻蚀采用的刻蚀液包含浓度为2%至5%的强碱；对所述保护层进行第二湿法刻蚀，且第二湿法刻蚀采用的刻蚀液包含浓度为2%至5%的弱酸和浓度为2%至20%的强酸。

11、在一些实施例中，对所述第一掺杂层进行刻蚀处理的方法包括：对所述第一掺杂层远离所述基底的一侧进行湿法刻蚀，去除所述第二掺杂层，并将所述非金属化区远离所述基底的表面转换为凹凸表面；去除所述第一刻蚀掩模的步骤还包括：去除所述绝缘层。

12、相应的本申请实施例还提供了一种太阳能电池，通过上述太阳能电池制备方法形成，包括：基底；位于所述基底表面上的第一掺杂层，所述第一掺杂层包括沿第一方向交替排布的金属化区和非金属化区，所述非金属化区远离所述基底的表面为凹凸表面。

13、相应的本申请实施例还提供了一种光伏组件，包括：电池串，所述电池串由多个上述的太阳能电池连接而成；封装层，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面；盖板，所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。

14、本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：

15、本申请实施例提供的太阳能电池制备方法中，在第一掺杂层远离基底的表面上形成保护层，然后对保护层和第一掺杂层中金属化区正对的部分进行改性处理，从而通过刻蚀处理的方式去除保护层与非金属化区正对的部分，进而形成覆盖在金属化区上方的第一刻蚀掩模，然后基于第一刻蚀掩模对第一掺杂层进行图形化处理，保留金属化区形貌的同时，将非金属化区远离基底的表面形貌转换为凹凸表面，然后去除第一刻蚀掩模，得到图形化处理后的第一掺杂层。对保护层与金属化区正对的部分进行改性处理，并通过刻蚀处理形成覆盖在金属化区上的第一刻蚀掩模，显著降低了第一刻蚀掩模制备过程中需要进行改性处理的部分在保护层中的占比，提高了第一刻蚀掩模的制备效率，降低了第一刻蚀掩模制备所需的时间和成本，进而降低了太阳能电池图形化处理的成本和难度。

技术特征：

1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，对所述保护层与所述金属化区正对的部分进行表面处理的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述激光改性处理的工艺参数包括：激光类型包括紫外皮秒激光，且激光功率为4w至30w。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述激光改性处理的方法包括：对所述保护层与所述金属化区正对的部分进行激光扫描，且所述激光的扫描速度为104mm/s至105mm/s。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，形成所述保护层的方法包括：在所述第一掺杂层远离所述基底的表面上形成第二掺杂层，所述第二掺杂层和所述第一掺杂层具有不同的掺杂类型。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，形成所述第一刻蚀掩模的方法包括：对所述第二掺杂层进行湿法刻蚀，且湿法刻蚀采用的刻蚀液包含浓度为2%至5%的强碱。

7.根据权利要求5所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，形成所述保护层的方法还包括：在所述第一掺杂层远离所述基底的表面上形成本征半导体层，向所述本征半导体层中掺杂目标掺杂元素，形成层叠设置在第一掺杂层上的所述第二掺杂层和绝缘层，所述绝缘层与所述第一掺杂层接触；

8.根据权利要求5所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，形成所述第二掺杂层前还包括：在所述第一掺杂层远离所述基底的表面上形成绝缘层；

9.根据权利要求7或8所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，形成所述第一刻蚀掩模的方法包括：

10.根据权利要求9所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，对所述第一掺杂层进行刻蚀处理的方法包括：

11.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池通过权利要求1至10中任一项所述的太阳能电池制备方法形成，包括：

12.一种光伏组件，其特征在于，包括：

技术总结
本申请实施例涉及一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件，太阳能电池制备包括：提供基底，所述基底的表面上具有第一掺杂层，所述第一掺杂层包括沿第一方向交替排布的金属化区和非金属化区；在所述第一掺杂层远离所述基底的表面上，形成保护层；对所述保护层与所述金属化区正对的部分进行改性处理，并刻蚀所述保护层，形成第一刻蚀掩模，所述第一刻蚀掩模正对所述金属化区；基于所述第一刻蚀掩模对所述第一掺杂层进行刻蚀处理，将所述非金属化区远离所述基底的表面转换为凹凸表面；去除所述第一刻蚀掩模。至少有利于降低太阳能电池的制备成本和难度。

技术研发人员：李慧敏,徐孟雷,杨洁,张昕宇
受保护的技术使用者：浙江晶科能源有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/7