专利名称:共模噪声滤波器的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于电子设备中的抑制共模噪声的共模噪声滤波器。
背景技术：
共模噪声滤波器可以去除对共模信号具有大的阻抗的共模噪声。而且，共模噪声滤波器构成为对作为必要信号的差模信号具有小阻抗，使此信号不会引起失真。
图12是特开2002-203718号公报中公开的现有共模噪声滤波器180的分解立体图。滤波器180具有绝缘性的磁性体基板110A、110B和作为非磁性体的绝缘体层120A～120D。绝缘体层120A～120D上形成螺旋状的线圈图案130、140、150、160。对绝缘体层120A～120D进行积层形成由非磁性体得到的绝缘体块120。线圈图案130、140、150、160埋设在绝缘体块120内，并且绝缘体块120夹在磁性体基板110A、110B之间，形成共模噪声滤波器180。线圈图案130、140、150、160形成两个线圈，这些线圈各自的端子与外部端面电极电连接。
现有的共模噪声滤波器180中，随着小型化的趋势，外部端面电极的面积在减少，所以外部端面电极对介电体块120的接合强度也就小了。因此，在安装到便携电子设备的时候，会存在可靠性下降的情况。
发明内容共模噪声滤波器具有非磁性层、以夹住非磁性层的方式设置在非磁性层上的第一和第二磁性层、设置在第一磁性层和第二磁性层之间并与非磁性层接触的平面线圈、以及与平面线圈电连接的外部电极。第一和第二磁性体层具有氧化物磁性体层以及设置在氧化物磁性体层上并且含有玻璃成分的绝缘体层。此共模噪声滤波器能够增大外部电极与绝缘体层之间的接合强度。
图1是本发明第一和第二实施方式中的共模噪声滤波器的立体图。
图2是第一和第二实施方式中的共模噪声滤波器的分解图。
图3是图1所示共模噪声滤波器沿线3-3的剖面图。
图4是第一实施方式中另一种共模噪声滤波器的剖面图。
图5是第一实施方式中又一种共模噪声滤波器的分解立体图。
图6是图5所示共模噪声滤波器的剖面图。
图7是第一实施方式中又一种共模噪声滤波器的剖面图。
图8是本发明第三实施方式中的共模噪声滤波器的立体图。
图9是图8所示共模噪声滤波器沿线9-9的剖面图。
图10A是本发明第五实施方式中共模噪声滤波器的剖面图。
图10B是第五实施方式中共模噪声滤波器的放大剖面图。
图11显示第一实施方式到第五实施方式中的共模噪声滤波器的评价结果。
图12是现有共模噪声滤波器的分解立体图。
附图标记说明20 非磁性层21A 磁性层(第一磁性层)21B 磁性层(第二磁性层)22A 平面线圈(第一平面线圈)22B 平面线圈(第二平面线圈)22E、22F 平面线圈25A、25B 外部电极(第一外部电极)25C、25D 外部电极(第二外部电极)523A 氧化物磁性体层(第一氧化物磁性体层)523B 氧化物磁性体层(第二氧化物磁性体层)623A、623B 氧化物磁性体层723A 氧化物磁性体层(第三氧化物磁性体层)723B 氧化物磁性体层(第四氧化物磁性体层)
520A 非磁性层面(第一面)520B 非磁性层面(第二面)524A 绝缘体层(第一绝缘体层)524B 绝缘体层(第二绝缘体层)624A、624B 绝缘体层724A 绝缘体层(第三绝缘体层)724B 绝缘体层(第四绝缘体层)具体实施方式
(第一实施方式)图1是本发明第一实施方式中共模噪声滤波器1001的立体图。图2是滤波器1001的分解图。图3是图1中沿线3-3的滤波器1001的剖面图。
共模噪声滤波器1001具有非磁性层20、磁性层21A和21B、平面线圈22A和22B以及外部电极25A～25D。非磁性层20是由玻璃陶瓷材料等非磁性绝缘材料制成，具有面520A以及面520A相反侧的面520B。在非磁性层20的面520A上设置磁性层21A，在面520B上设置磁性层21B。平面线圈22A、22B相对地设置在磁性层21A、21B之间并且与非磁性层20接触。滤波器1001中，平面线圈22A、22B埋设在非磁性层20中。平面线圈22A具有端部522A、622A。端部522A、622A通过引出电极522C、622C而与外部电极25A、25B分别连接。平面线圈22B具有端部522B、622B。端部522B、622B通过引出电极522D、622D而与外部电极25C、25D分别连接。磁性层21A具有设置在非磁性层20的面520A上的氧化物磁性体层523A、设置在氧化物磁性体层523A上的绝缘体层524A、设置在绝缘体层524A上的氧化物磁性体层623A、设置在氧化物磁性体层623A上的绝缘体层624A以及设置在绝缘体层624A上的氧化物磁性体层723A。磁性层21B具有设置在非磁性层20的面520B上的氧化物磁性体层523B、设置在氧化物磁性体层523B上的绝缘体层524B、设置在绝缘体层524B上的氧化物磁性体层623B、设置在氧化物磁性体层623B上的绝缘体层624B以及设置在绝缘体层624B上的氧化物磁性体层723B。绝缘体层524A、624A、524B、624B含有玻璃成分。滤波器1001具备四个绝缘体层和六个氧化物磁性体层，此层数可以根据滤波器1001的形状而变化。
非磁性层20包括具有面520A的非磁性分层(segment layer)20A、设置在非磁性分层20A上的非磁性分层20B、设置在非磁性分层20B上的具有另一面520B的非磁性分层20C。
下面说明共模噪声滤波器1001的制造方法。首先，作为非磁性层20的非磁性分层20A～20C的原材料的Zn-Cu铁氧体粉末与溶剂和接合成分相混合而制得陶瓷浆料。陶瓷浆料用刮刀法(doctor blade)等而形成具有25μm程度的规定厚度的陶瓷生片，制作成非磁性分层20A～20C。
用同样的方法，由在920℃以下能够烧结的无硼硅酸盐玻璃(non-borosilicate glass)(SiO2-CaO-ZnO-MgO系玻璃)中混合9wt％的Ni-Zn-Cu铁氧体而得到的粉末，制作成25μm程度厚度的陶瓷生片，其成为绝缘体层524A、524B、624A、624B。
由Ni-Zn-Cu铁氧体氧化物磁性体制得的磁性粉末制得具有100μm程度厚度的陶瓷生片，其成为氧化物磁性体层523A、523B、623A、623B、723A、723B。
之后，如图2所示，在这些陶瓷生片上形成具有规定的线圈图案的导体以及用于层间电连接的孔电极，积层这些陶瓷生片并在规定温度下进行烧结，由此制作积层烧结体。
下面说明平面线圈22A、22B和非磁性层20的形成方法。
氧化物磁性体层523A具有与非磁性层20的面520A相接的面2523A。氧化物磁性体层523B具有与非磁性层20的面520B相接的面1523B。氧化物磁性体层523A的面2523A上形成引出电极522C、622C。之后，对氧化物磁性体层523A、623A、723A和绝缘体层524A、624A进行积层而制得磁性层21A。
非磁性分层20A的面520A的相反侧的面620A上形成平面线圈22A。在非磁性分层20A内，在平面线圈22A的端部522A和引出电极522C相接触的位置形成贯通面520A和面620A的孔导体1522A。并且，在非磁性分层20A内，在平面线圈22A的端部622A与引出电极622C相接触的位置形成贯通面520A和面620A的孔导体2522A。孔导体1522A使平面线圈22A的端部522A与引出电极522C电连接，孔导体2522A使平面线圈22A的端部622A与引出电极622C电连接。
非磁性分层20C的面520B的相反侧的面620B上形成平面线圈22B。在非磁性分层20C内，在平面线圈22B的端部522B与引出电极522D接触的位置上形成贯通面520B和面620B的孔导体1522B。并且，在非磁性分层20C内，在平面线圈22B的端部622B与引出电极622D接触的位置上形成贯通面520B和面620B的孔导体2522B。孔导体1522B使平面线圈22B的端部522B与引出电极522D电连接，孔导体2522B使平面线圈22B的端部622B与引出电极622D电连接。
之后，在磁性体层21A上积层非磁性分层20A，使得非磁性分层20A的面520A与磁性体层21A的面2523A接触。然后，积层非磁性分层20B、20C，制成内部埋设了平面线圈22A、22B和孔导体1522A、1522B、2522A、2522B的非磁性层20。
之后，在非磁性层20的面520B上积层氧化物磁性体层523B，使得非磁性层20的面520B与氧化物磁性体层523B的面1523B接触。然后，在氧化物磁性体层523B上按顺序积层绝缘体层624B、氧化物磁性体层623B、绝缘体层624B以及氧化物磁性体层723B，制成具有磁性体层21A、21B和非磁性层20的生片积层体。在平面线圈22A、22B的材料的融点以下的温度，烧结此生片积层体，得到内部埋设了平面线圈22A、22B的积层烧结体。
积层烧结体具有端面1001A、1001B。引出电极522C、522D的端部1522C、1522D在端面1001A上露出。引出电极622C、622D的端部1622C、1622D在端面1001B上露出。用以下方法，在端面1001A上形成与引出电极522D的端部1522D电连接的外部电极25C。为了与引出电极522D的端部1522D接触，而在端面1001A上涂布含有玻璃成分玻璃料的银膏，形成与端部1522D连接的银膜化(Ag-metallized)层，即，基础电极层125C 。而且，基础电极层125C上通过镀镍而形成镀镍层225C，在镀镍层225C上形成镀锡层325C，制成外部电极25C。同样，在端面1001B上用以下方法形成与引出电极622D的端部1622D电连接的外部电极25D。为了与引出电极622D的端部1622D接触，而在端面1001B上涂布银膏，形成与端部1622D连接的银膜化层，即，基础电极层125D。外部电极25D的基础电极层125D接触绝缘体层524A、524B、624A、624B、非磁性层20、氧化磁性体层523A，523B、623A，623B，723A、723B。并且，在基础电极层125D上利用镀镍形成镀镍层225D，镀镍层225D上形成镀锡层325D，制成外部电极25D。同样，在端面1001A上形成与引出电极522C的端部1522C连接的外部电极25A，在端面1001B上形成与引出电极622C的端部1622C相连接的外部电极25B。也可以用其他制作陶瓷电子元件的端子的方法来制造外部电极25A～25D。
共模噪声滤波器1001中，外部电极25A～25D的用含有玻璃料的银膏得到的基础电极层，与含有玻璃成分的绝缘体层524A、524B、624A、624B牢固地接合，对端面1001A、1001B具有较大的接合强度。利用磁特性优良的氧化物磁性体层523A、523B、623A、623B、723A、723B使平面线圈22A、22B相互牢固地磁性结合。
其次，制作50个共模噪声滤波器1001的第一示例的样品，对这些样品的与外部电极25A～25D的端面1001A、1001B的接合强度进行评价。第一示例的样品的厚度是0.5mm，宽度是1.0mm，长度是1.2mm。图11表示，直
为0.20mm的引线分别焊接到相对向地设的外部电极25A、25B，拉力实验机上对引线进行拉伸，各自断裂时的拉力的平均值、最大值、最小值。图11显示具有仅仅用氧化物磁性体(代替磁性层21A、21B)制得的磁性层的对此用样品的面电极25的接合强度。
如图11所示，与现有的样品相此，第一示例的外部电极25A～25D的接合强度更大，波动更小。由此，磁性层21A、21B具有被积层的氧化物磁性体层和包含玻璃的绝缘体层，得到电气特性不会下降而可靠性高的共模噪声滤波器1001。
氧化物磁性体层523A、523B、623A、623B、723A、723B使用Ni-Zn-Cu铁氧体。也可以使用其他氧化物磁性体，其在920℃以下可以被烧结，以实现与作为平面线圈22A、22B的材料的银同时烧结、并且透磁率在20以上，从而具有共模噪声滤波器电气特性。
氧化物磁性体层523A、523B、623A、623B、723A、723B的厚度取决于共模噪声滤波器的大小，最好是50～150μm的程度。不到50μm的厚度，则得不到作为共模噪声滤波器的全部电气特性。大于150μm的厚度，则包含玻璃成分的绝缘体层的数目少，很难增大与外部电极25A～25D的接合强度。
包含玻璃成分的绝缘体层524A、524B、624A、624B使用硼硅酸盐玻璃粉末和Ni-Zn-Cu铁氧体粉末的混合物。硼硅酸盐玻璃粉末和Ni-Zn-Cu铁氧体粉末的混合比可以被改变，由此能够控制共模噪声滤波器的特性，但是Ni-Zn-Cu铁氧体的混合比最好是0～15wt％。Ni-Zn-Cu铁氧体的混合比大于15wt％则不能在920℃下完全烧结生片积层体，共模噪声滤波器1001的机械强度下降，安装时会发生剥落等强度问题。代替硼硅酸盐玻璃粉末，可以使用碱硼硅酸盐玻璃等在920℃以下能够烧结并且线性膨胀系数是80×10-7/℃～110×10-7/℃的其他玻璃粉末。如果使用线性膨胀系数在此范围之外的玻璃粉末，因为与氧化物磁性体的线性膨胀系数不同，所以会发生断裂等问题。
非磁性层20的Zn-Cu铁氧体的替代物，可以使用实质上是非磁性体并且在920℃可以烧结、线性膨胀系数是80×10-7/℃～110×10-7/℃的其他非磁性绝缘材料。
构成磁性层21A、21B的氧化物磁性体层由Ni-Zn-Cu铁氧体制得，并且能够与银等高导电率材料同时烧结。绝缘体层可以使用与氧化物磁性体层能够同时烧结的玻璃陶瓷材料或者使用氧化物磁性体和玻璃陶瓷材料的混合材料。
图4第一实施方式中另一种共模噪声滤波器1002的剖面图。图4中，与图1图3相同的部分使用相同的附图标记，省略对其的说明。滤波器1002中，平面线圈22A设置在非磁性层20和磁性层21A的边界，即，非磁性层20的面520A和磁性体层21A(氧化物磁性体层523A)的面2523A之间，平面线圈22B设置在非磁性层20和磁性层21B的边界，即，非磁性层20的面520B和磁性体层21B(氧化物磁性体层523B)的面1523B之间。较之于图3所示共模噪声滤波器1001，平面线圈22A、22B各自更接近磁性层21A、21B，所以滤波器1002对共模信号具有更大的阻抗。
图5是第一实施方式的另一种共模噪声滤波器1003的分解立体图。图6是滤波器1003的剖面图。图5中，与图1～图3相同的部分使用相同的附图标记，省略了对其的说明。取代图1所示共模噪声滤波器1001的平面线圈22A、22B，滤波器1003具有埋设在非磁性层20内的平面线圈22E、22F。平面线圈22E、22F形成为双重螺旋形状。平面线圈22E包括设置在非磁性分层20A的面620A上的螺旋形状的平面线圈122E、设置在非磁性分层20C的面620B上的螺旋形状的平面线圈222E、设置在非磁性分层20B内的与平面线圈122E和平面线圈222E电连接的孔导体322E。平面线圈22F包括设置在非磁性分层20A的面620A上的螺旋形状的平面线圈122F、设置在非磁性分层20C的面620B上的螺旋形状的平面线圈222F、设置在非磁性分层20B内的与平面线圈122F和平面线圈222F电连接的孔导体322F。平面线圈122E、122F形成为双重螺旋形状，平面线圈222E、222F也形成为双重螺旋形状。平面线圈22E的两端设置引出电极722D、822D，平面线圈22F的两端设置引出电极722C、822C。引出电极722D、822D分别与外部电极25A、25B连接，引出电极722C、822C分别与外部电极25C、25D连接。
图3和图4所示共模噪声滤波器1001、1002中，为了形成平面线圈22A、22B，至少需要四层。图5所示滤波器1003中，双重螺旋形状的平面线圈22E、22F可以形成为两层，得到生产效率高的共模噪声滤波器1003。
图7是第一实施方式中又一种共模噪声滤波器1004的剖面图。图7中，与图5、图6相同的部分使用相同的附图标记，省略对其说明。滤波器1004中，平面线圈22E、22F设置在非磁性层20和磁性层21A的边界以及非磁性层20与磁性层21B的边界。也就是，平面线圈122E、122F设置在非磁性层20的面520A与磁性体层21A(氧化物磁性体层523A)的面2523A之间，平面线圈222E、222F设置在非磁性层20与磁性层21B的边界，即，非磁性层20的面520B与磁性体层21B(氧化物磁性体层523B)的面1523B之间。较之于图4所示共模噪声滤波器1003，平面线圈22E、22F更接近磁性层21A、21B，所以滤波器1004对共模信号具有更大的阻抗。
(第二实施方式)第二实施方式中的共模噪声滤波器具有与图1和图2所示共模噪声滤波器1001相同的结构。第二实施方式的共模噪声滤波器中的非磁性层20含有玻璃成分。
利用含有用水晶作为填料的无硼硅酸盐玻璃(SiO2-CAO-ZnO-MgO系玻璃)粉末制作用作非磁性层20的非磁性分层20A～20C的具有50μm程度厚度的陶瓷生片，该水晶在920℃以下的温度能够烧结并且线性膨胀系数大约是100×10-7/℃。制作50个第二示例的通过积层非磁性分层20A～20C而得到的非磁性层20的样品。图11表示对这些样品进行与第一实施方式滤波器1001同样的测定得到的外部电极25A～25D的接合强度。
如图11所示、非磁性层20含有玻璃材料，非磁性层20与外部电极25A～25D的接合强度变得更大，接合强度的变化变得更小。由此得到安装可靠性更高的共模噪声滤波器。
添加到非磁性层20的玻璃材料使得非磁性层20的介电率下降，所以第二实施方式的共模噪声滤波器可用于高频。
形成第二实施方式的滤波器的非磁性层20的玻璃粉末，也可以是在920℃以下能够烧结并且线性膨胀系数大约为80×10-7/℃～110×10-7/℃的其他玻璃陶瓷粉末，例如，玻璃-水晶系、玻璃-氧化铝系、玻璃-镁橄榄石系介电体。由此，能够降低非磁性层20的介电率，得到至高频也具有良好电气特性的共模噪声滤波器。
(第三实施方式)图8是本发明第三实施方式中共模噪声滤波器3001的立体图。图9是图8所示滤波器3001沿线9-9的剖面图。与图1所示第一实施方式和第二实施方式的共模噪声滤波器相同的部分使用相同的附图标记，省略对其的说明。
代替第一实施方式的共模噪声滤波器1001的磁性层21A、21B，共模噪声滤波器3001具有磁性体层1021A、1021B。磁性体层1021A在滤波器1001的磁性体层21A的氧化物磁性体层723A上还设置具有包含玻璃成分的绝缘体层724A。磁性体层1021B在滤波器1001的磁性体层21B的氧化物磁性体层723B上还设置了包含玻璃成分的绝缘体层724B。换言之，磁性体层1021A、1021B各自的最外层是包含玻璃成分的绝缘体层724A、724B，绝缘体层724A、724B分别露出到磁性体层1021A、1021B的外部。
利用在920℃以下能够烧结的无硼硅酸盐玻璃(SiO2-CAO-ZnO-MgO系玻璃)中混入9wt％的Ni-Zn-Cu铁氧体的粉末，制作具有25μm程度厚度的陶瓷生片，用作绝缘体层724A、724B。在用作氧化物磁性体层723A、723B的生片上分别积层这些陶瓷生片，由此形成含有玻璃成分的绝缘体层724A、724B。制作50个第三示例的样品，这些样品具备磁性体层1021A、1021B，还具有含有作为无机填料的水晶的无硼硅酸盐玻璃得到的非磁性层20。图11显示对这些样品进行与第一实施方式滤波器1001相同的测定而得到的外部电极25A～25D的接合强度。
如图11所示，利用设在最外层的含有玻璃成分的绝缘体层724A、724B，使外部电极25A～25D的接合强度更大，接合强度的变化更小，进而得到安装可靠性良好的共模噪声滤波器3001。
绝缘体层724A、724B可以用在920℃以下能够烧结并且线性膨胀系数大约是80×10-7/℃～110×10-7/℃的玻璃-水晶系、玻璃-氧化铝系、玻璃-镁橄榄石系介电体的其他玻璃陶瓷等。
但是，非磁性层20使用Zn-Cu铁氧体的样品也得到了相同的效果。
(第四实施方式)第四实施方式的共模噪声滤波器与图1～图3所示共模噪声滤波器1001具有相同结构。
第四实施方式中的共模噪声滤波器中，在端面1001A、1001B上涂布含有玻璃粉末的银膏，以形成带外部电极的基础电极层125C、125D，前述玻璃粉末与非磁性层20中包含的玻璃成分或者磁性层21A、21B(绝缘体层524A、524B、624A、624B)中包含的玻璃成分中的至少一个相同。换言之，非磁性层20中包含的玻璃成分可以与磁性层21A、21B(绝缘体层524A、524B、624A、624B)的玻璃成分相同。在基础电极层125C、125D上分别形成镀镍层225C、225D，在镀镍层225C、225D上分别形成镀锡层325C、325D。
非磁性层20由玻璃陶瓷材料而形成。在Ag粉末中混合/混练5wt％的无硼硅酸盐玻璃和诸如乙基纤维素、α-松油醇、卡必醇醋酸酯(carbitolacetate)等的粘合剂，制成银膏。在端面1001A、1001B上涂布这些银膏，形成基础电极层125C、125D，制作50个第四示例的共模噪声滤波器的样品。图11显示对这些样品进行与第一实施方式的滤波器1001相同的测定而得到外部电极25A～25D的接合强度。
如图11所示，第四实施方式的共模噪声滤波器中，非磁性层20或磁性体层21A、21B中的玻璃成分与外部电极25C、25D的基础电极层125C、125D中的玻璃成分之间产生了连续性(continuity)，能够进一步提高端面1001A、1001B和外部电极之间的接合强度，进而得到安装可靠性优异的共模噪声滤波器。
基础电极层125C、125D中使用的银膏中混入的玻璃粉末的量不到1wt％时，增大接合强度的效果较小。玻璃粉末的量比5wt％更大的时候，与基础电极层125C、125D的镀镍层225C、225D的接合强度下降，所以基础电极层125C、125D的银膏的玻璃粉末的添加量优选的是在1wt％～5wt％的范围内。而且，可以认为，即使在银膏中含有Pt，Pd，玻璃粉末混合到银膏中也能得到同样的效果。粘合剂的量主要取决于粉末的比表面积进行调整，使得在端面1001A、1001B上涂布后不会太薄或下滴。
非磁性层20中使用Zn-Cu铁氧体，并且，在如图9所示第三实施方式的共模噪声滤波器3001中使用第四实施方式的银膏形成基础电极层，也能得到同样的效果。
(第五实施方式)图10A是第五实施方式的共模噪声滤波器5001的剖面图。图10B是共模噪声滤波器5001的放大剖面图。图10A中，与图9所示第三实施方式的共模噪声滤波器3001相同的部分使用相同的附图标记，省略对其的说明。
共模噪声滤波器5001具有磁性体层2021A、2021B，而不是图9所示共模噪声滤波器3001的磁性体层1021A、1021B。代替图9所示氧化物磁性体层523A、523B、623A、623B、723A、723B，磁性体层2021A具有比非磁性层20以及绝缘体层524A、524B、624A、624B、724A、724B宽度更小的氧化物磁性体层5523A、5523B、5623A、5623B、5723A、5723B。换言之，端面5001A、5001B中，氧化物磁性体层5523A、5523B、5623A、5623B、5723A、5723B的端面8523A、8523B、8623A、8623B、8723A、8723B与绝缘体层524A、524B、624A、624B、724A、724B的端面1524A、1524B、1624A、1624B、1724A、1724B相比凹陷下去。
下面说明共模噪声滤波器5001的制造方法。
使用烧结收缩变化率在750℃附近最大的无硼硅酸盐玻璃粉末，制作用作绝缘体层524A、524B、624A、624B、724A、724B的厚度为25μm的陶瓷生片。
使用烧结收缩变化率在850℃最大的Ni-Zn-Cu铁氧体氧化物磁性体粉末，制作用作氧化物磁性体层5523A、5523B、5623A、5623B、5723A、5723B的厚度大约是100μm的陶瓷生片。
对这些陶瓷生片进行积层，以与第一实施方式同样的方式制作生片积层体。
在平面线圈22A、22B的材料的融点以下的900℃左右的温度烧结此生片积层体，制作内部埋设了平面线圈22A、22B的积层烧结体。在烧结时，与在800℃以下的温度很难烧结的氧化物磁性体层5523A、5523B、5623A、5623B、5723A、5723B相接触并受其限制的绝缘体层524A、524B、624A、624B、724A、724B，在平行于面520A、520B的方向5001C上很难收缩，在方向5001C的垂的厚度方向5001D上收缩并且更致密。其次，温度超过800℃，对氧化物磁性体层5523A、5523B、5623A、5623B、5723A、5723B进行烧结。氧化物磁性体层5523A、5523B、5623A、5623B、5723A、5723B的端面8523A、8523B、8623A、8623B、8723A、8723B的周边7523A、7523B、7623A、7623B、7723A、7723B受到致密的绝缘体层524A、524B、624A、624B、724A、724B的限制，界面上不会有在方向5001C上的收缩。厚度方向5001D上，远离界面的氧化物磁性体层5523A、5523B、5623A、5623B、5723A、5723B的端面8523A、8523B、8623A、8623B、8723A、8723B的中央部分6523A、6523B、6623A、6623B、6723A、6723B的附近，在方向5001C上收缩。结果是，含有玻璃成分的绝缘体层524A、524B、624A、624B、724A、724B中夹着的氧化物磁性体层5523A、5523B、5623A、5623B、5723A、5723B的端面8523A、8523B、8623A、8623B、8723A、8723B，从绝缘体层524A、524B、624A、624B、724A、724B的端面1524A、1524B、1624A、1624B、1724A、1724B凹陷下去，绝缘体层524A、524B、624A、624B、724A、724B的端面1524A、1524B、1624A、1624B、1724A、1724B和非磁性层20的端面1020从氧化物磁性体层5523A、5523B、5623A、5623B、5723A、5723B的端面8523A、8523B、8623A、8623B、8723A、8723B突出。
平面线圈22A、22B的引出电极522C、522D、622C、622D，从绝缘体层524A、524B、624A、624B、724A、724B的端面1524A、1524B、1624A、1624B、1724A、1724B和非磁性层20的端面1020突出的端面5001A、5001B露出。为了与引出电极522C、522D、622C、622D电连接，在端面5001A、5001B涂布银膏，形成基础电极层125C、125D，从而形成外部电极25A～25D。制作50个第五实施方式的共模噪声滤波器5001的第五示例的样品。图11表示对这些样品进行与第一实施方式的滤波器1001相同的测定而得到的外部电极25A～25D的接合强度。
如图11所示，第五示例的样品中，绝缘体层524A、524B、624A、624B、724A、724B和外部电极25A～25D之间的接合强度更加牢固。因此，与第三实施方式中第三示例的样品相比，接合强度的平均值更大、变动更小，得到安装可靠性优异的共模噪声滤波器5001。
非磁性层20中使用Zn-Cu铁氧体的样品中，也得到了同样的效果。形成基础电极层125C、125D的银膏含有非磁性层20中或者绝缘体层524A、524B、624A、624B、724A、724B中的玻璃成分的样品，也得到了同样的效果。
产业适用性本发明的共模噪声滤波器能够提高外部电极与绝缘体层之间的接合强度，适用于电子设备特别是便携型电子设备中使用的要求安装可靠性的小型共模噪声滤波器。
权利要求
1.一种共模噪声滤波器，包括非磁性层，其具有第一面以及所述第一面的相反侧的第二面；第一磁性层，其具有设置在所述非磁性层的所述第一面上的第一氧化物磁性体层，以及设置在所述第一氧化物磁性体层上并含有玻璃成分的第一绝缘体层；第二磁性层，其具有设置在所述非磁性层的所述第二面上的第二氧化物磁性体层，以及设置在所述第二氧化物磁性体层上并且含有玻璃成分的第二绝缘体层；第一平面线圈，其设置在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间并且与所述非磁性层接触；第二平面线圈，其设置在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间，与所述非磁性层接触，并且与所述第一平面线圈相对；第一外部电极，其与所述第一平面线圈电连接；以及第二外部电极，其与所述第二平面线圈电连接。
2.根据权利要求
1所述的共模噪声滤波器，其中，所述第一平面线圈和所述第二平面线圈埋设在所述非磁性层内。
3.根据权利要求
1所述的共模噪声滤波器，其中，所述第一平面线圈设置在所述非磁性层的所述第一面上，所述第二平面线圈设置在所述非磁性层的所述第二面上。
4.根据权利要求
1所述的共模噪声滤波器，其中，所述第一平面线圈和所述第二平面线圈形成为双重螺旋形状。
5.根据权利要求
1所述的共模噪声滤波器，其中，所述第一磁性层具有包含所述第一氧化物磁性体层的端面和所述第一绝缘体层的端面的端面；所述第二磁性层具有包含所述第二氧化物磁性体层的端面和所述第二绝缘体层的端面的端面；所述第一外部电极设置在所述第一磁性层的所述端面上以及所述第二磁性层的所述端面上。
6.根据权利要求
5所述的共模噪声滤波器，其中，所述第一绝缘体层的所述端面从所述第一氧化物磁性体层的所述端面突出。
7.根据权利要求
5所述的共模噪声滤波器，其中，所述第二绝缘体层的所述端面从所述第二氧化物磁性体层的所述端面突出。
8.根据权利要求
1所述的共模噪声滤波器，其中，所述第一外部电极含有玻璃成分。
9.根据权利要求
8所述的共模噪声滤波器，其中，所述第一外部电极的所述玻璃成分与所述第一绝缘体层的所述玻璃成分相同。
10.根据权利要求
1所述的共模噪声滤波器，其中，所述非磁性层含有玻璃成分。
11.根据权利要求
10所述的共模噪声滤波器，其中，所述第一外部电极含有与所述非磁性层的所述玻璃成分相同的玻璃成分。
12.根据权利要求
10所述的共模噪声滤波器，其中，所述非磁性层的所述玻璃成分与所述第一绝缘体层的所述玻璃成分相同。
13.根据权利要求
1所述的共模噪声滤波器，其中，所述第一磁性层还具有第三绝缘体层，所述第三绝缘体层露出到所述第一磁性层的外部，并且含有玻璃成分；并且所述第二磁性层具有第四绝缘体层，所述第四绝缘体层露出到所述第二磁性层的外部，并且含有玻璃成分。
专利摘要
本发明提供一种共模噪声滤波器，包括非磁性层、在非磁性层上设置并夹住非磁性层的第一和第二磁性层、设置在第一磁性层和第二磁性层之间并且与非磁性层接触的平面线圈，以及与平面线圈电连接的外部电极。第一和第二磁性体层具有氧化物磁性体层，以及设置在氧化物磁性体层上并且含有玻璃成分的绝缘体层。此共模噪声滤波器能够增大外部电极和绝缘体层之间的接合强度。
文档编号H03H7/09GK1993780SQ200680000542
公开日2007年7月4日 申请日期2006年5月8日
发明者犬塚敦, 藤井浩, 元满弘法, 中山祥吾 申请人:松下电器产业株式会社导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan