专利名称：非互易电路装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及诸如隔离器、环路器之类在微波波段内使用的非互易电路装置。
移动通信装置(例如便携式电话)中所用的集中常数型隔离器通常具有使得发送信号只在发送方向上通过并且防止方向传送的功能。而且在最近的移动通信装置中，从使用的角度出发，提出了低成本和体积小、重量轻的需求，为此，对于隔离器同样也要求成本低和体积小、重量轻。
图20示出了作为普通集中常数型隔离器的结构，其中在上下磁轭50与51之间放置有永磁铁52、中央电极体53、匹配电路板54和接地板55。这种中央电极体53的结构是三个中央电极57在电绝缘状态下的环形盘状铁氧体56内相交。
匹配电路板54包含圆形孔54b，中央电极体53插入并放置其中形成矩形薄板状的介电基片54a的中央部分。在介电基片54a圆形孔54b周围形成电容电极58，它们与每个中央电极57的输入/输出端口P1-P3相连。终端电阻薄膜59与端口P3相连。
但是，在普通的匹配电路板54中，必须形成圆形孔54b并且每个电容电极58必须在薄板的介电基片54a内形成图案。因此制造和装配期间的工艺处理花费不少的时间和财力，所以不利于降低成本。
而且在普通的匹配电路板54中，电容电极58以外的部分增加了面积和重量，不利于减小体积和减少重量。在这方面，最近的隔离器要求将重量降低到毫克量级。
作为代替这种匹配电路板的匹配电容，一种情况是采用单板型电容从而在介电基片两侧的整个表面形成电容电极。
仅仅通过在大平板制成的母板两个主表面上形成电极并且按照预定的形状切割母板就可以制造出这种单板型电容，并且可以达到较大的产量。因此，与在介电基片上形成圆形孔和多个电容电极的情况相比，工艺处理较为简单，成本得到抑制。而且由于电极形成于板的整个表面，所以减少了面积浪费并且减轻了重量，体积也相应减小。
图16-18示出了采用单板型电容的隔离器实例。在图中，与图20相同的标号表示相同的部分。该隔离器的结构为插入和放置中央电极体53的圆形孔61形成于树脂构成的接地部件60的低面60a上，每个单板型电容C1-C3和单板型电阻R放置在围绕圆形孔61边缘的中央电极体53周围形成于接地部件60内的接地电极63与每个单板型电容C1-C3的冷端面(底面)上的电容电极62相连，并且每个中央电极57的输入/输出端口P1-P3与热端面(顶面)上的电容电极62相连。
在这里，冷端面的含义是与接地电极相连的电容电极一侧，而热端面的含义是与端口电极(例如单线)相连的电容电极另一侧。
在图19A和19B所示的单板型电容C1-C3中，电容电极62位于介电基片64的边缘64a，应力很容易集中在该边缘部分64a部分的电容电极62内，所以当切割母板时很容易产生非常小的裂缝，并且电容电极62可能从介电基片64脱落下来。
而且如图19C所示，当电容电极62的整个表面焊接和连接到接地电极63上时，由于介电基片64与接地电极63之间热膨胀系数不同引起的热应力导致电容电极62很容易脱落。
特别是当在隔离器内采用电容时，在发送期间，由于终端电阻的插入损耗和反射功率的消耗产生了热量。另一方面，在接收期间，由于电容受到热循环的影响(例如再次冷却)，所以电极很容易发生脱落。
针对上述问题，本发明的一个目标是提供一种单板型电容的连接结构，它能够避免电极脱落的问题。
为了实现上述目标，按照本发明，提供的一种非互易电路装置具有在传输方向衰减较小而在反方向上衰减较大的特性，并且匹配电容位于信号输入/输出端口，其特征在于匹配电容由包含电容电极的单板型电容组成，电容电极在板之间的介电基片的整个两个主表面上相对放置，并且与单板型电容的电容电极冷端面相连的连接电极外侧边缘至少有一部分位于电容电极周边的内侧。连接电极包括接地电极或输入/输出端口电极。
在该互易电路装置中，比较好的是与电容电极热端面相连的连接电极的外侧周边至少有一部分位于电容电极周边的内侧。
比较好的是，连接电极的外侧边缘位于围绕连接电极整个周边的电容电极外侧边缘的内侧。
比较好的是，电容电极和连接电极形成矩形，且连接电极的较长一边位于电容电极较长一边的内侧。
比较好的是，连接电极较长边的一部分延伸并形成直至电容电极的较长边。
比较好的是，连接电极外部的非连接部分被绝缘材料制成的绝缘薄膜覆盖从而与电容电极外侧边缘绝缘。
比较好的是覆盖由树脂制成的绝缘薄膜。
比较好的是，通过印制树脂形成绝缘薄膜。
比较好的是，连接电极形成于作为基体的绝缘薄膜上。
比较好的是，连接电极外部的非连接部分呈向下台阶状从而远离电容电极的外侧边缘。
在该非互易电路装置中，比较好的是，至少电容电极的外侧边缘有一部分形成于单板型电容介电基片外侧边缘的内侧。
比较好的是，电容电极通过印刷形成。
比较好的是，在电容电极外部形成非连接部分以通过腐蚀去除电容电极至少一部分外侧边缘。
比较好的是，单板型电容的制造方式使得电极在介电母板的两个主表面上形成图案从而在母板上相对放置，并且母板按照预定的形状切割。
比较好的是，单板型电容和形成连接电极的接地部件整体安装在一起从而互相连接起来。
比较好的是，单板型电容介电板的厚度为0.5mm以下。
比较好的是，单板型电容电容电极的厚度为0.05mm以下。
通过以下结合附图对本发明的描述可以进一步理解本发明的各种目标和特点。
图1为分解透视图，它示出了按照本发明较好实施例的集中常数型隔离器。
图2A、2B和2C为隔离器接地部件的示意图。
图3为单板型电容冷端面上接地部件连接状态的示意图。
图4为单板型电容热端面上连接状态的平面图。
图5为单板型电容制造方法的示意图。
图6为按照本发明示意实施例的隔离器的分解平面图。
图7为按照本发明示意实施例的隔离器的分解平面图。
图8为按照本发明较佳实施例的隔离器的分解平面图。
图9为隔离器单板型电容连接状态的示意图。
图10为按照本发明示意实施例的隔离器的示意图。
图11为按照本发明示意实施例的隔离器的透视图。
图12为隔离器的分解平面图。
图13为隔离器连接状态的示意图。
图14为按照本发明较佳实施例的隔离器的分解平面图。
图15为隔离器连接状态的示意图。
图16为本发明形成工艺的分解透视图。
图17为形成过程中单板型电容的分解结构平面图。
图18为连接状态示意图。
图19A、19B和19C为单板型电容的电极脱落示意图。
图20为普通隔离器的分解透视图。
图21为测试1的示意图，它确认了本发明一个实施例的单板型电容的优点。
图22A和22B为测试2的示意图，它确认了该实施例的优点。
图23为表示测试1热循环数量与静电容量变化率之间关系的特性图。
图24为测试1的静电容量变化率与介电板厚度之间关系的特性图。
图25为表示测试2热循环数量与静电容量变化率之间关系的特性图。
图26为测试2的静电容量变化率与介电板厚度之间关系的特性图。
以下借助附图描述本发明的实施例。
图1至图5是按本发明实施例的集中常数型隔离器的示意图。图1为单板型电容的分解透视图，图2A、2B和2C分别为为隔离器接地部件的俯视和仰视图以及电极图案的透视图。图3和图4分别为单板型电容连接状态的剖面和平面图。图5为单板型电容制造方法的示意图。
本实施例的集中常数型隔离器1的结构为树脂接地部件3放置在具有右侧壁2a和左侧壁2a以及低面壁2b的磁性金属下磁轭内；中央电极组件4放置在接地部件3内；以及由相同磁性金属材料制成的盒状上磁轭5安装在下磁轭2内，构成闭合的磁路。而且，环状永磁铁6附着在上磁轭5的内表面，从而使得永磁铁6将直流磁场施加在中央电极组件4上。
隔离器1为长方体，外形的平面尺寸为7.5mm×7.5mm或以下而高度为2.5mm或以下，并且表面安装在电路板上(未画出)。
中央电极组件4的结构是中央电极13-15被放置在圆形板铁氧体12的顶面从而在电绝缘状态下以120度角互相相交，位于每个中央电极13-15一端的输入/输出端口P1-P3向外伸出，并且每个中央电极13-15另一端的公共屏蔽部分16位于铁氧体12的底面，该屏蔽部分16与下磁轭2的底面壁2b相连。
接地部件3的结构为底面壁3b与矩形框状的侧壁3a连为一体，插入和放置中央电极组件4的圆形孔7形成于底面壁的中央部分。在该底面壁3b的边缘提供电容定位凹口3c，并且接地电极8形成于每个凹口3c的底面。每个接地电极8与形成于侧壁3a左右外侧表面的接地端9和9相连。
输入/输出端口电极10和10分别形成于底面壁3b的左右上端面，并且每个端口电极10与形成于左右侧壁3a外侧表面的输入/输出端11和11相连。每个接地端9和输入/输出端11表面安装在电路板线路上(未画出)。
单板型匹配电容C1-C3安装和放置在每个定位凹口3c的内部。而且终端电阻R与下边缘定位凹口3c内部的单板型匹配电容C3并联，并且终端电阻R与接地端9相连。
如图3所示，每个单板型匹配电容C1-C3的结构为电容电极18和18形成于矩形薄板状介电基片17两个主表面的整个表面并相对放置，而基片17夹在其中。且如图5所示，通过在一个由大平板制成的母板19两个表面形成图案并且按照预定形状切割母板19制造出了单板型匹配电容C1-C3。母板19是利用印刷、电镀、接触粘合或汽相沉积方法制成的。
每个接地电极8小于电容电极18从而定位于围绕接地电极8整个外侧边缘8a的电容电极18的外侧边缘18a的内侧。因此接地电极8的外侧边缘构成与电容电极18不连接的非连接部分21。位于每个单板型匹配电容C1-C3的冷端面上的电容电极18焊接并连接在每个接地电极8上。
每个中央电极13-15的每个输入/输出端口P1-P3的形成方式是定位于单板型匹配电容C1-C3的电容电极18的外侧边缘18a的内侧。每个输入/输出端口P1-P3焊接并连接在热端面上的电容电极18上。图4示出了放大示意图，其中输入/输出端口P3与电容C3热端面上的电容电极18相连并且冷端面上电容C3的电容电极18与接地电极8相连。输入/输出端口P1-P3的两个端口P1和P2的未端与输入/输出端口电极10相连，并且余下端口P3的未端与终端电阻R相连。
以下描述本实施例的操作效果。
按照本实施例的集中常数型隔离器1，由于与每个单板型匹配电容C1-C3的电容电极18相连的接地电极8的外侧边缘8a和输入/输出端口P1-P3形成较小从而定位于电容电极18外侧边缘18a的内侧，所以可以防止在应力集中和制造期间容易发生的电容电极18在边缘部分的脱落，并且可以改进质量的稳定性。
即使由于每个单板型匹配电容C1-C3的介电基片17接地电极8和中央电极13-15之间的热膨胀系数不同引起产生热应力，由于电容电极18的边缘部分没有连接，所以不会发生电极脱落。因此，即使在隔离器1的发射和接收期间反复的热循环，电极脱落的问题也可以解决，并且由此可以提高质量的可靠性。
在本实施例中，由于采用了单板型匹配电容C1-C3，所以如上所述，制造变得容易起来并且提高了产量，降低了部件的成本。而且与形成圆孔和电容电极的普通情况相比，工艺处理比较容易，并且可以减少面积的浪费和重量的增加，有利于减小尺寸和减轻重量。
图6-15为按照本发明每个实施例的集中常数型隔离器的示意图。在图中，与图2-4相同的部分采用相同的标号。
图6示出了本发明的一个实施例。本实施例的结构是形成矩形的接地电极8的两个较长边8b位于电容电极18两个较长边的内侧。
在本实施例中，由于接地电极8的较长边8b定位于电容电极18的内侧，可以防止较容易发生脱落的横向上电极的脱落，并增加纵向电极的面积。而且由于可以延长接地电极8的较长边，所以可以处理不同长度的单板型电容。
图7示出了本发明的一个实施例。本实施例的结构为接地电极8的两个较长边8b定位于接地电极18较长边的内侧，并且沿着较长边8b纵向的中央部分8c延伸并且形成于直至电容电极18的边缘。而且在该实施例中，在防止在较易发生脱落的横向发生电极脱落的同时可以增加电极面积。
图8和9示出了本发明的一个实施例。本实施例的结构为通过印刷绝缘树脂的方法在每个接地电极8的非连接部分21上涂敷和形成绝缘薄膜25，并且每个单板型匹配电容C1-C3的电容电极18的外侧边缘18a与绝缘薄膜25接触。
在本实施例中，由于树脂形成的绝缘薄膜25涂敷在非连接部分21上，所以可以确保电容电极18外侧边缘18a的绝缘，进一步防止了电极脱落。这可以减小隔离器1的接地阻抗以降低与插入损耗降低相对应的不需要辐照，从而改进谐波抑制能力，提高隔离器在通信装置中的性能，并且获得稳定的操作。绝缘薄膜25并不局限于树脂，其它的绝缘材料也可以采用。
图10示出了按照本发明实施例的集中常数型隔离器。该隔离器的结构为绝缘薄膜26涂敷和形成于容纳凹口3c的整个底面，并且接地电极8形成于绝缘薄膜26上。采用不锈钢作为绝缘薄膜26，并且采用镀金层作为接地电极8。
在本实施例中，由于接地电极8作为基体形成于绝缘薄膜26之上，所以接地电极8以外的部分变为绝缘薄膜26。因此在接地电极形状比较复杂时比较容易形成绝缘薄膜26，并且与上面一样，可以防止电极脱落，抑制不需要的辐射，并且改进谐波消除性能。
图11-13示出了按照本发明实施例的集中常数型隔离器。该隔离器的结构为在与接地部件3的凹口3c非连接部分21对应的部分形成向下台阶状部分3d从而远离电容电极18外侧边缘18a。
在本实施例中，由于在对应非连接部分21的部分内形成向下台阶状部分3d，所以不会接触电容电极18的外侧边缘18a，从而可以在接地电极8形成于凹口3c内部整个表面上的情况下防止电极脱落。
图14和15示出了按照本发明实施例的集中常数型隔离器。该隔离器的结构为非连接部分30限定了介电基片17暴露的部分并且电容电极并不形成于其上面，非连接部分30形成于每个单板型匹配电容C1-C3介电基片17的外侧边缘周围，并且因此使得电容电极18的外侧边缘18b定位于接地电极8外侧边缘8c的内侧。通过在介电基片17非连接部分30以外的部分用印刷或者通过腐蚀去除形成于介电基片17整个表面上电极的外侧边缘可以形成电容电阻18。
在该实施例中，由于非连接部分30形成于每个单板型匹配电容C1-C3介电基片17的外侧边缘，并且由于在容易因应力集中和制造中开裂的介电基片17边缘部分内没有放置电极，所以可以防止边缘部分内的电极脱落并且改进质量的稳定性。
以下描述按照本发明实施例的隔离器。本实施例隔离器的特点是每个上述单板型电容C1、C2和C3介电基片17的厚度为0.5mm或以下，并且电容电极18的薄膜厚度为0.05mm或以下(参见图3、9、10、13和15)。
由于单板型电容C1、C2和C3的介电基片17的厚度为0.5mm或以下，所以形成的单板型电容C1、C2和C3尺寸较小并且不会使电极脱落，从而使隔离器更小。在焊接电极整个表面的普通情况下，为了获得所需的电容值而又防止电极脱落，介电基片必须足够厚，例如必须在1mm或以上，从而防止电容变大。
而且由于每个单板型电容C1、C2和C3的电容电极18的薄膜厚度为0.05mm或以下，所以可以更为可靠地避免介电基片17厚度小于0.5mm时电极脱落的问题。
以下借助图21-26描述确认上述实施例优点的热循环测试。
测试1在测试1中，如图21所示，采用了单板型电容，其中介电基片D的厚度td是变化的，单板型电容一个侧面上的电容电极整个表面E焊接在Cu(铜)板70上作为连接电极，并且在这种状态进行热循环测试。随后检验非焊接面上电容电极E与Cu板70之间静电容量变化率(参见图21的→记号)。
各介电基片D的厚度td为0.1,0.2,0.5和1.0mm。对电容电极E，采用Ag(银)厚膜电极，并且电极E的薄膜厚度为0.02mm。连接的焊接厚度ta为0.01-0.02mm，并且Cu板的厚度为0.2mm。
测试2在测试2中，如图22A和22B所示，采用了作为本发明产品的单板型电容，其中电容电极E的薄膜厚度te是可变的，Cu板71和71被焊接在每个单板型电容的电容电极E的两侧面从而定位于电容电极E外侧边缘的内侧，并且在这种状态进行了热循环测试，从而按照与测试1相同的方式检验静电容量变化率。采用了尺寸为长3mm×宽1mm的单板型电容(参见图22B的平面图)。
各电容电极E的薄膜厚度te为0.005,0.01,0.02,0.05和0.1mm。介电板D的厚度td为0.2mm。连接的焊接厚度ta和Cu板71的厚度tb与上述测试1的相同。
图23和24以及图25和26分别示出了测试1和2的测试结果。在图中，○记号表示最大或最小值，而●记号表示平均值。图24和26为特性图，其中分别示出了测试1和2的2000次循环下静电容量的变化率。
如图23和24所示，测试1的结果表明，当基片厚度td为0.1或0.2mm时，静电容量变化率的平均值为-1.4％和-1.2％(参见图中的●记号)，并且表明发生了电极脱落。而且当基片厚度td为0.5或1.0mm时，2000次热循环期间的变化率平均值低达-0.3％和-0.05％，而且基片厚度td越厚，越不容易发生电极剥离。但是电容增大量对应介电基片D厚度td的增加量，从而不可能实现较小尺寸的隔离器。
在比较中，如图25和26所示，在测试2的结果中，尽管介电基片D的厚度td小至0.2mm，但是在电容电极E的膜厚在0.005-0.05mm的范围内静电容量几乎没有变化，并且没有发生电极脱落。因此，通过将连接电极(这里例如是Cu板)焊接在单板型电容的电容电极外侧边缘的内部，所形成的介电基片可以比普通情况薄得多。
与此同时，当电容电极E的薄膜厚度te为0.1mm时，2000次热循环期间的静电容量剧烈变化至-1.0％(参见图中的●记号)。这与电容电极整个表面焊接在厚Cu板上的情形几乎接近，并且由于热膨胀系数不同引起的热应力很容易使电极脱落。但是，由于0.1mm的电容电极E的薄膜厚度是介电基片D厚度td的一半，所以从成本和制造时间、人力考虑，在实践中是困难的。
在上述方式中，测试1和2的结果表明当单板型电容的介电基片D的厚度td等于或小于0.5mm而电容电极E的薄膜厚度te等于或小于0.05mm时，电容可以做成尺寸更小、厚度更薄的片而不会引起电极脱落，从而缩小隔离器的尺寸。具体而言，比较好的是，介电基片D的厚度td设定在0.1-0.5mm的范围内而电容电极E的薄膜厚度te设定在0.005-0.05mm范围内。
虽然在上述实施例中举的是集中常数型隔离器的例子，但是本发明可以应用于其它非互易电路装置，例如环形器。
按照本发明的非互易电路装置，由于与单板型电容的电容电极冷端面相连的连接电极至少一部分外侧边缘定位于电容电极外侧边缘的内侧，所以有利于防止在应力集中时和制造过程中较容易发生开裂的电容电极边缘部分内的电极脱落，并且可以改进质量的稳定性。而且，由于电容电极的边缘部分没有连接，所以即使因热膨胀系数不同而引起热应力，也可以防止电极脱落。
在本发明中，由于与电容电极热端面相连的一部分连接电极的外侧边缘定位于电容电极外侧边缘的内侧，所以与上述一样有利于防止电极脱落。
在本发明中，由于连接电极的外侧边缘定位于围绕整个连接电极的电容电极外侧边缘的内侧，所以可以可靠防止电极脱落。
在本发明中，由于电容电极和连接电极为矩形，并且连接电极的较长边位于电容电极较长边的内侧，所以有利于防止较容易发生脱落的横向上的电极脱落，并且可以增加纵向上的电极面积。而且有利于处理不同长度的电容。
在本发明中，由于连接电极一部分的较长边延伸并且形成直至电容电极的较长边，所以有利于增加横向上的电极面积而与前述一样防止电极脱落。
在本发明中，由于由绝缘材料构成的绝缘薄膜涂敷在连接电极外部的非连接部分上，所以有利于更可靠地防止电极脱落。
在本发明中，由于绝缘薄膜通过印刷树脂形成，所以有利于形成高精度的绝缘薄膜。
在本发明中，由于连接电极形成于作为基体的绝缘薄膜之上，所以连接电极以外的部分变成绝缘薄膜。因此这有利于在接地电极形状复杂情况下形成绝缘薄膜。
在本发明中，由于连接电极外部的非连接部分台阶式向下形成从而远离电容电极的外侧边缘，所以电容电极的外侧边缘可以非接触状态放置，从而能更可靠地防止电极脱落。
在本发明中，由于电容电极至少一部分外侧边缘定位于介电基片外侧边缘，所以可以避免介电基片边缘部分内的电极在应力集中的和制造过程中发生开裂，从而防止电极脱落。
在本发明中，由于电容电极通过印刷形成，所以有利于在介电基片周围形成非连接部分。
在本发明中，由于电容电极外侧边缘通过腐蚀去除，所以有利于形成非连接部分。
在本发明中，由于单板型电容的制造方式是在介电基片的两个主表面上形成电极图案，电极相对放置母板在其中间，并把母板切割成预定的形状，所以制造方便并且可批量生产，有利于降低部件成本，减少面积和重量从而使体积小，重量轻。
在本发明中，由于单板型电容和形成连接电极的接地部件集成在一起，所以有利于防止电极脱落，提高质量，减少不需要的辐射，并且改进谐波抑制性能。
在本发明中，由于单板型电容介电基片的厚度等于或小于0.5mm，所以整个电容可以做得更小和更薄而不会引起电极脱落，从而使得隔离器的体积更小。
在本发明，由于单板型电容的电容电极的薄膜厚度为0.05mm，所以在介电基片厚度小于0.5mm时有利于防止电极的脱落。
在不偏离本发明的精神和范围的前提下可以以构成多种不同的实施例。本发明并不限于在文中所述的实施例，相反的，本发明包括在本发明的精神和范围内的各种修改和等效的安排。因此本发明的精神和范围由所附权利要求限定。
权利要求
1．一种非互易电路装置，具有在传输方向上衰减较小而在反方向上衰减较大的特性，并且匹配电容位于信号输入/输出端口，其特征在于所述匹配电容由包含电容电极的单板型电容组成，电容极板在介电基片的整个两个主表面上相对放置，基片在其中间，并且与单板型电容的电容电极冷端面相连的连接电极外侧边缘至少有一部分位于电容电极周边的内侧。
2．一种非互易电路装置，具有在传输方向上衰减较小而在反方向上衰减较大的特性，并且匹配电容位于信号输入/输出端口，其特征在于所述匹配电容由包含电容电极的单板型电容组成，电容极板在介电基片的整个两个主表面上相对放置，基片在其中间，并且与单板型电容的电容电极热端面相连的连接电极外侧边缘至少有一部分位于电容电极周边的内侧。
3．如权利要求1或2所述的互易电路装置，其特征在于所述连接电极位于围绕所述连接电极整个外侧的电容电极的外侧边缘内侧。
4．如权利要求1或2所述的互易电路装置，其特征在于所述电容电极和连接电极为矩形，连接电极的较长一边位于电容电极较长一边的内侧。
5．如权利要求4所述的非互易电路装置，其特征在于所述连接电极较长边的一部分延伸并形成直至所述电容电极的较长边。
6．如权利要求1或2所述的非互易电路装置，其特征在于所述连接电极外部的非连接部分被绝缘材料制成的绝缘薄膜覆盖。
7．如权利要求6所述的非互易电路装置，其特征在于所述绝缘薄膜用由树脂制成的绝缘薄膜覆盖。
8．如权利要求7所述的非互易电路装置，其特征在于通过印制树脂形成所述绝缘薄膜。
9．如权利要求6所述的非互易电路装置，其特征在于所述连接电极形成于作为基体的绝缘薄膜之上。
10．如权利要求1或2所述的非互易电路装置，其特征在于所述连接电极外部的非连接部分呈向下台阶状从而远离电容电极的外侧边缘。
11．一种非互易电路装置，具有在传输方向上衰减较小而在反方向上衰减较大的特性，并且匹配电容位于信号输入/输出端口，其特征在于所述匹配电容由包含电容电极的单板型电容组成，电容极板在介电基片的整个两个主表面上相对放置，基片在其中间，并且电容电极的外侧边缘至少有一部分位于介电基片外部边缘的内侧。
12．如权利要求1或2所述的非互易电路装置，其特征在于所述电容电极通过印刷形成。
13．如权利要求11所述的非互易电路装置，其特征在于所述电容电极外部的非连接部分的形成可以通过腐蚀去除电容电极至少一部分外侧边缘。
14．如权利要求1-13中任意一项所述的非互易电路装置，其特征在于所述单板型电容的制造方式使得电极在介电母板的两个主表面上形成图案从而在母板上相对放置，并且母板按照预定的形状切割。
15．如权利要求1-13中任意一项所述的非互易电路装置，其特征在于所述单板型电容和形成连接电极的接地部件整体安装在一起从而互相连接起来。
16．如权利要求1-15中任意一项所述的非互易电路装置，其特征在于所述单板型电容介电板的厚度为0.5mm或以下。
17．如权利要求1-16中任意一项所述的非互易电路装置，其特征在于所述单板型电容电容电极的厚度为0.05mm或以下。
全文摘要
本发明提供了一种非互易电路装置,它具有在传输方向衰减较小而在反方向上衰减较大的特性,并且匹配电容位于信号输入/输出端口,其特征在于匹配电容由包含电容电极的单板型电容组成从而在板之间的介电基片的整个两个主表面上相对放置,并且与单板型电容的电容电极冷端面相连的连接电极外侧边缘至少有一部分位于电容电极周边的内侧。连接电极包括接地电极或输入/输出端口电极。
文档编号H01P1/36GK1216872SQ9812097
公开日1999年5月19日 申请日期1998年10月13日 优先权日1997年10月13日
发明者牧野敏弘, 增田昭人, 川浪崇 申请人:株式会社村田制作所