Lte高抑制高通滤波器的制造方法
【专利说明】
[0001]
技术领域： 本发明与同轴带通滤波器和高通滤波器有关。
[0002]
【背景技术】： LTE高抑制高通腔体滤波器是最新欧洲4G无线通信LTE系统中关键的部件，用于解决 欧洲4G通信频率LTE (728 MHZ -744MHZ)与无线电视频段747MHZ同时工作时的干扰，从 而使4G频率LTE与无线电视信号相互不受影响。其技术方案为同轴带通滤波器或者高通 滤波器。同轴带通滤波器可以通过椭圆函数的方式实现近端的抑制度，但是通带带宽不能 满足3倍频率带宽。所以不能实现从700MHZ-2300MHZ的通带频率。同轴高通滤波器可以 实现3倍频率通带带宽，但是不能满足偏离带宽边缘频率3MHZ之处抑制大于30DB。目前市 场上的无相关通信高抑制高通滤波器。LTE高抑制高通腔体滤波器带宽要求宽。抑制频率 要求近。已有滤波器产品体积大，通带带宽窄、近端抑制低、频率响应特性低。完全不能满 足LTE通信频段较高的信号处理和多信号处理系统的要求。
[0003]
【发明内容】
： 本发明的目的是提供一种带宽宽，抑制频率与无线电视频段近，能满足LTE通信频段 较高的信号处理和多信号处理要求的LTE高抑制高通滤波器。
[0004] 本发明是这样实现的： 轴向腔的左、右两端有标准的N型接口3,轴向腔中有隔板将其分隔成左、右开放腔，两 个标准的N型接口之间的左开放腔的隔板上固定有高通微带线4,轴向腔上、下侧各有数量 相等并对称的同轴谐振腔1，同轴谐振腔1右侧开放，其轴向有谐振杆2,谐振杆2的截面为 椭圆，高通微带线为S形微带传输线，高通微带线上连接有若干同轴耦合连接线5的一端， 同轴耦合连接线另一端连接到同轴谐振杆2上，形成近端谐振抑制单元，由同轴切比雪夫 模型演变出的椭圆函数近端谐振抑制单元，均布在高通微带线4两边，从而减小高通滤波 器体积的同时形成近端衰减，高通微带线由耦合介质6固定于同轴谐振腔壁，防止与腔体 短路，盖板9通过固定螺钉10封闭同轴谐振腔1右侧开放口和轴向腔右侧开放腔，同轴谐 振杆2与同轴谐振腔1组成同轴谐振器，通过盖板9上的调谐螺钉11和调谐固定螺母12 固定。
[0005] 本发明的有益效果如下： 本发明采用N型接口，可实现高频传输的功能实现。同时又采用同轴滤波器切比雪夫 模型设计方式演变的椭圆函数近端谐振腔即近端谐振抑制单元和高通微带线的结合，即高 通微带线融入同轴滤波器切比雪夫模型设计方式演变的椭圆函数近端谐振腔即近端谐振 抑制单元内，既实现宽带频率的传输功能，又能满足近端抑制的要求，同时采用同轴谐振腔 对称排列的方式使得高通滤波器体积减小又能得到很好高的品质因数，达到插损小抑制高 的要求。
[0006]LTE高抑制高通腔体滤波器是最新欧洲4G无线通信LTE系统中关键的部件，用于 解决欧洲4G通信频率LTE (728 MHZ -744MHZ)与无线电视频段747MHZ同时工作时的干 扰，从而使4G频率LTE与无线电视信号相互不受影响。相互间隔频率带宽3M进行抑制衰 减-30DB。由于一般高通滤波器抑制频率较远，体积大，插损大、不能实现近端的抑制要求、 频率响应特性低。而带通滤波器通带带宽满足747MHZ-2300MHZ时不能对744产生衰减性 能。所以采用本发明的近端谐振抑制单元与同轴谐振器结合的技术方案，从而达到相应的 要求。由于同轴谐振器的频率选择性，规定频率的信号能够通过器件，而规定频率信号以外 的能量被反射，从而实现频率选择的功能。
[0007] 但由于通信频率与无线电视通信频率较近，看电视与手机通讯时会相互干扰。为 了保证通信的质量和无线电视信号就需要对其进行相应的抑制，高通微带线上连接有若干 同轴耦合连接线5的一端，同轴耦合连接线另一端连接到同轴谐振杆2上，形成近端谐振 抑制单元，由同轴切比雪夫模型演变出的椭圆函数近端谐振抑制单元，均布在高通微带线 4两边，从而减小高通滤波器体积的同时形成近端衰减，从而使两种通信信号同时工作时不 受干扰.提高通话质量与无线电视传输信号。本发明用于解决欧洲4G通信频率LTE (728 MHZ -744MHZ)与无线电视频段747MHZ同时工作时的干扰，从而使4G频率LTE与无线电视 信号相互不受影响。
[0008] 本发明用高通滤波器结合同轴带通滤波器椭圆函数的方式实现了近端的抑制度， 从而又结合了同轴高通滤波器的特点，可以使通带频率实现3次倍频带宽。从而满LTE高 抑制尚通滤波的如下技术指标：
【主权项】
1. LTE高抑制高通滤波器，其特征在于轴向腔的左、右两端有标准的N型接口（3)，轴向 腔中有隔板将其分隔成左、右开放腔，两个标准的N型接口之间的左开放腔的隔板上固定 有高通微带线（4)，轴向腔上、下侧各有数量相等并对称的同轴谐振腔（1)，同轴谐振腔（1) 右侧开放，其轴向有谐振杆（2)，谐振杆（2)的截面为楠圆，高通微带线（4)为S形微带传输 线，高通微带线（4)上连接有若干同轴禪合连接线（5)的一端，同轴禪合连接线的另一端连 接到同轴谐振杆（2)上，形成近端谐振抑制单元，由同轴切比雪夫模型演变出的楠圆函数近 端谐振抑制单元，均布在高通微带线（4)两边，在减小高通滤波器体积的同时形成近端衰 减，高通微带线（4)由禪合介质（6)固定于同轴谐振腔壁，防止与腔体短路，盖板（9)通过固 定螺钉（10)封闭同轴谐振腔（1)右侧开放口和轴向腔右侧开放腔，同轴谐振杆（2)与同轴 谐振腔（1)组成同轴谐振器，通过盖板（9)上的调谐螺钉（11)和调谐固定螺母（12)固定。
【专利摘要】本发明为LTE高抑制高通滤波器，解决高通滤波器不能满足LTE通信频段较高的信号处理和多信号处理要求的问题。两个标准的N型接口之间的左开放腔的隔板上固定有高通微带线（4），同轴谐振腔（1）右侧开放，其轴向有谐振杆（2），高通微带线（4）为S形微带传输线，高通微带线上连接有若干同轴耦合连接线（5）的一端，同轴耦合连接线（5）的另一端连接到同轴谐振杆（2）上，高通微带线（4）由耦合介质（6）固定于同轴谐振腔壁，盖板（9）通过固定螺钉（10）封闭同轴谐振腔（1）右侧开放口和轴向腔右侧开放腔。
【IPC分类】H01P1-209, H01P1-203
【公开号】CN104538712
【申请号】CN201410740764
【发明人】彭福
【申请人】成都九洲迪飞科技有限责任公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年12月9日