从而在目标层中形成沟槽。使用填充材料填充该沟槽。
[0063]根据其他实施例，一种方法包括:在目标层上方形成芯轴层，实施第一光刻和蚀刻工艺以图案化芯轴层，实施第二光刻和蚀刻工艺以及切割蚀刻工艺以图案化该芯轴层的剩余部分，从而在芯轴层中形成第一开口。第一开口具有I形并且包括两个平行部分，其中，通过第一光刻和蚀刻工艺以及第二光刻和蚀刻工艺形成上述两个平行部分。第一开口还包括使两个平行部分互连的连接部分。在第一开口的侧壁上形成间隔件，其中，间隔件填充整个连接部分，并且其中，两个平行部分中的每个的中心部分均未被间隔件填充。蚀刻芯轴层以去除芯轴层的一部分并且形成第二开口，其中，第二开口位于第一开口的两个平行部分之间。第二开口通过间隔件与第一开口的两个平行部分间隔开。该方法还包括将第一开口和第二开口延伸至目标层内。
[0064]根据又一个实施例，一种方法包括:在目标层上方形成芯轴层，并且实施第一光刻和蚀刻工艺以图案化芯轴层，其中，芯轴层的剩余部分包括形成的第一中间芯轴和第二中间芯轴。该方法包括实施第二光刻和蚀刻工艺，其中，减小第一中间芯轴的尺寸以形成第一芯轴，并且将第二中间芯轴切割成第二芯轴和第三芯轴，其中，第一芯轴、第二芯轴和第三芯轴彼此平行，第二芯轴位于第一芯轴和第三芯轴之间。该方法还包括:蚀刻第二芯轴以将第二芯轴切割成第四芯轴和第五芯轴，其中，通过开口将第四芯轴和第五芯轴间隔开。在第一芯轴、第三芯轴、第四芯轴和第五芯轴的侧壁上形成间隔件层，其中，通过间隔件层完全填充开口。去除间隔件层的水平部分，并保留间隔件层的垂直部分。
[0065]尽管已经详细地描述了实施例及其优势，但应该理解，在不背离所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明作出各种改变、替换和更改。而且，本申请的范围不旨在限制于本说明书中描述的工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法和步骤的特定实施例。作为本领域普通技术人员应理解，根据本发明，可以利用现有的或今后开发的、执行与本发明描述的相应实施例基本相同的功能或获得基本相同结果的工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法或步骤。相应的，附加的权利要求旨在将这些工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法或步骤包括在它们的范围内。此外，每个权利要求构成一个独立的实施例，并且不同权利要求与实施例的组合均在本发明的范围之内。
【主权项】
1.一种方法，包括: 实施双重图案化工艺以形成彼此平行的第一芯轴、第二芯轴和第三芯轴，其中，所述第二芯轴位于所述第一芯轴和所述第三芯轴之间； 蚀刻所述第二芯轴以将所述第二芯轴切割成第四芯轴和第五芯轴，其中，通过开口将所述第四芯轴与所述第五芯轴分隔开； 在所述第一芯轴、所述第三芯轴、所述第四芯轴、和所述第五芯轴的侧壁上形成间隔件层，其中，所述间隔件层完全填充所述开口 ； 去除所述间隔件层的水平部分，而不去除所述间隔件层的垂直部分； 将所述第一芯轴、所述第三芯轴、所述第四芯轴、所述第五芯轴和所述间隔件层的垂直部分用作蚀刻掩模以蚀刻目标层，从而在所述目标层中形成沟槽；以及使用填充材料填充所述沟槽。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述双重图案化工艺包括: 在芯轴层上实施第一光刻和第一蚀刻以形成所述第一芯轴和中间芯轴；以及实施第二光刻和第二蚀刻以减小所述第一芯轴的尺寸，其中，将所述中间芯轴分隔成所述第二芯轴和所述第三芯轴。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一光刻包括形成具有开口的第一图案化的上层，并且所述第一图案化的上层的带状件的宽度为所述带状件的间距的约三分之一。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括:在去除所述间隔件层的水平部分之后和在蚀刻所述目标层之前，去除与所述第一芯轴平行的第六芯轴。
5.一种方法，包括: 在目标层的上方形成芯轴层； 实施第一光刻和蚀刻工艺以图案化所述芯轴层； 实施第二光刻和蚀刻工艺以及切割蚀刻工艺以图案化所述芯轴层的剩余部分，从而在所述芯轴层中形成第一开口，其中，所述第一开口具有I形并且包括: 两个平行部分，其中，通过所述第一光刻和蚀刻工艺以及所述第二光刻和蚀刻工艺形成所述两个平行部分；以及 互连所述两个平行部分的连接部分； 在所述第一开口的侧壁上形成间隔件，其中，所述间隔件填充整个所述连接部分，并且所述两个平行部分的中心部分均未被所述间隔件填充； 蚀刻所述芯轴层以去除所述芯轴层的一部分并形成第二开口，其中，所述第二开口位于所述第一开口的所述两个平行部分之间，并且所述第二开口通过所述间隔件与所述第一开口的所述两个平行部分间隔开；以及 将所述第一开口与所述第二开口延伸至所述目标层内。
6.根据权利要求5所述的方法，还包括: 蚀刻位于所述芯轴层下方的硬掩模以将所述第一开口和所述第二开口延伸至所述硬掩模内，其中，通过将所述硬掩模用作蚀刻掩模来蚀刻所述目标层。
7.根据权利要求5所述的方法，还包括:在形成所述第一开口和所述第二开口之后，使用与所述目标层不同的材料填充所述第一开口和所述第二开口。
8.一种方法，包括: 在目标层上方形成芯轴层； 实施第一光刻和蚀刻工艺以图案化所述芯轴层，其中，所述芯轴层的剩余部分包括形成的第一中间芯轴和第二中间芯轴； 实施第二光刻和蚀刻工艺，其中，减小所述第一中间芯轴的尺寸以形成第一芯轴，并且将所述第二中间芯轴切割成第二芯轴和第三芯轴，其中，所述第一芯轴、所述第二芯轴和所述第三芯轴彼此平行，所述第二芯轴位于所述第一芯轴和所述第三芯轴之间； 蚀刻所述第二芯轴以将所述第二芯轴切割成第四芯轴和第五芯轴，通过开口将所述第四芯轴与所述第五芯轴分隔开； 在所述第一芯轴、所述第三芯轴、所述第四芯轴和所述第五芯轴的侧壁上形成间隔件层，其中，所述间隔件层完全填充所述开口 ；以及 去除所述间隔件层的水平部分，而不去除所述间隔件层的垂直部分。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括: 将所述第一芯轴、所述第三芯轴、所述第四芯轴、所述第五芯轴和所述间隔件层的所述垂直部分用作蚀刻掩模以蚀刻目标层，从而在所述目标层中形成沟槽；以及使用填充材料填充所述沟槽。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述目标层包括介电材料，并且填充所述沟槽包括填充金属材料以形成沟槽和通孔。
【专利摘要】本发明的方法包括实施双重图案化工艺以形成第一芯轴、第二芯轴和第三芯轴，其中，第二芯轴位于第一芯轴和第三芯轴之间，以及蚀刻第二芯轴以将第二芯轴切割成第四芯轴和第五芯轴，其中，通过开口将第四芯轴与第五芯轴分隔开。在第一芯轴、第三芯轴、第四芯轴和第五芯轴的侧壁上形成间隔件层，其中，间隔件层完全填充开口。去除间隔件层的水平部分，而不去除间隔件层的垂直部分。将第一芯轴、第三芯轴、第四芯轴、第五芯轴和间隔件层的垂直部分用作蚀刻掩模以蚀刻目标层，从而在目标层中形成沟槽。使用填充材料填充该沟槽。本发明还提供具有减小的间距和线间隔的集成电路及其形成方法。
【IPC分类】G03F7-00, H01L21-033
【公开号】CN104658893
【申请号】CN201410103302
【发明人】姚欣洁, 李忠儒, 吴永旭, 包天一, 眭晓林
【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2014年3月19日
【公告号】US20150147882