的表面3。此外，引入有阳极组件11，其可能或不可能具有磁阵列12，使得由正偏置组件11生成的电场和等离子体簇建立的磁链接将从等离子体簇朝向阳极引导电子。以那种方式，等离子体将穿过也向跟随电子的正粒子提供引导的基板区5。
[0041]图14展示了如前面的图7-9和图12所述的本发明的簇等离子体源的截面。在这个具体的例子中，两个单独的柱状阴极等离子体源Ia和Ib以大致平行的方式彼此面对面排布。该阵列20a和20b的磁极使得在两个等离子体源之间生成大致上非常低的磁场区域，并且引导磁场线8形成用于电子逸出的通道4。该簇还包括由外部装置或来自等离子体的自偏置负偏置的表面3。此外，引入有阳极组件11，其可能或不可能具有磁阵列12，使得由正偏置组件11生成的电场和等离子体簇建立的磁链接将从等离子体簇朝向阳极引导电子。以那种方式，等离子体将穿过也向跟随电子的正粒子提供引导的基板区5。
[0042]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。具体地，可以使用等离子体源单元、表面、结构材料、偏置等的不同组合，而不脱离本发明的范围。
【主权项】
1.一种等离子体源，包括:间隔分开的第一和第二等离子体源单元，各等离子体源单元均包括靶和磁性装置；其中，所述各磁性装置均创建了在它们各自的靶上形成闭环磁阱的磁场；并且，所述磁场相互作用以形成:在位于所述等离子体源之间的区域中的大致很低磁场强度的范围；以及从位于所述等离子体源单元之间的所述区域延伸开来的导引磁场。
2.根据权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述等离子体源包括用于电偏置所述等离子体源单元的装置。
3.根据权利要求2所述的等离子体源，其特征在于，所述电偏置为以下任意一种或多种:DC ;脉冲DC ；1到几百赫兹的AC ;千赫兹级的AC或脉冲DC ;兆赫兹级的AC或脉冲DC ；HIPIMS ;组合的放电模式；以及弧等离子体放电模式。
4.根据权利要求2或3所述的等离子体源，其特征在于，在所述等离子体源单元之间，或者所述等离子体源单元与附加阳极/阴极之间施加所述电偏置。
5.根据权利要求2到4中任意一项所述的等离子体源，其特征在于，所述闭环磁阱包括大致垂直于所述电场的磁场。
6.根据权利要求2到5中任意一项所述的等离子体源，其特征在于，所述通道大致垂直于所述电场。
7.根据以上任意一项权利要求所述的等离子体源，其特征在于，所述靶包括可消耗靶。
8.根据以上任意一项权利要求所述的等离子体源，其特征在于，所述靶位于所述磁性装置的附近。
9.根据以上任意一项权利要求所述的等离子体源，其特征在于，所述靶包括相对所述磁性装置固定的一块可消耗材料。
10.根据权利要求1到9所述的等离子体源，其特征在于，所述靶包括管状靶。
11.根据权利要求10所述的等离子体源，其特征在于，所述靶包括布置为围绕所述磁性装置的管状靶。
12.根据权利要求9或10所述的等离子体源，其特征在于，所述管状靶安装为绕所述磁性装置旋转。
13.根据以上任意一项权利要求所述的等离子体源，其特征在于，所述第一和第二等离子体源单元的所述磁性装置的极性是相对地布置的。
14.根据以上任意一项权利要求所述的等离子体源，其特征在于，所述磁性装置包括磁体或一组的多个磁体。
15.根据以上任意一项权利要求所述的等离子体源，其特征在于，所述磁体或多个磁体为永磁体和/或电磁体。
16.根据以上任意一项权利要求所述的等离子体源，其特征在于，各等离子体源单元的所述磁体或多个磁体形成电场，该电场可以用磁场线表示，该磁场线与间隔位置上的所述靶相交，但所述磁场线弯曲离开所述靶，以形成所述闭环闭环磁阱或多个闭环磁阱。
17.根据以上任意一项权利要求所述的等离子体源，其特征在于，所述等离子体源单元的所述磁场相互作用，并且可以用从所述靶向外延伸且延伸离开位于所述等离子体源单元之间的区域的磁场线表示，以形成所述通道。
18.根据以上任意一项权利要求所述的等离子体源，其特征在于，在使用中，所述通道包括具有相对低磁场强度的空间，该空间对所述等离子体内的离子流具有极低阻力，以创建最小阻力路径，所述等离子体的离子优选地沿着该最小阻力路径流动。
19.根据以上任意一项权利要求所述的等离子体源，其特征在于，所述等离子体源单元相对彼此是倾斜的，以创建偏置，从而在使用中使得所述等离子体优选地从所述源的一边射出。
20.根据以上任意一项权利要求所述的等离子体源，其特征在于，所述等离子体源包括三个等离子体源单元。
21.根据权利要求20所述的等离子体源，其特征在于，所述三个等离子体源单元排布为U形形状，使得所述磁场彼此相互作用，以形成从所述U形形状的开口部分向外延伸的单个通道。
22.根据权利要求1到19中任意一项所述的等离子体源，其特征在于，所述等离子体源包括一对等离子体源单元和表面。
23.根据权利要求22所述等离子体源，其特征在于，所述表面位于所述一对等离子体源单元的一边处或所述一对等离子体源单元的一边上以形成U形形状，使得所述表面与所述等离子体源单元的磁场相互作用，以形成从所述U形形状的开口部分向外延伸的单个通道。
24.根据权利要求22或23所述的等离子体源，其特征在于，所述表面与一个或多个所述磁性装置接触，或者与一个或多个所述磁性装置一体形成。
25.根据权利要求22到24中任意一项所述的等离子体源，其特征在于，表面相对所述磁性装置是电偏置的。
26.根据权利要求22到25中任意一项所述的等离子体源，其特征在于，所述表面为以下中的一种或多种:通过外部电势的负偏置；通过所述等离子体的负自偏置；在与靶或多个靶大致相同的电势处偏置；以及在浮动的自偏置电势处偏置。
27.根据权利要求1到24中任意一项所述的等离子体源，其特征在于，所述表面包括电气绝缘部件。
28.一种真空处理装置，包括根据以上任意一项权利要求所述的等离子体源。
29.根据权利要求28所述的真空处理装置，其特征在于，所述真空处理装置还包括用于形成围绕所述等离子体源的受控气氛的装置，所述受控气氛包括以下任意一个或多个:真空；部分真空；惰性气体；以及反应气体。
30.根据权利要求28或29所述的真空处理装置，其特征在于，所述真空处理装置还包括在所述装置的处理腔中的基板区，其中，在使用中，所述等离子体源的至少一个通道在所述基板区上延伸。
31.根据权利要求28到30所述的真空处理装置，其特征在于，所述真空处理装置还包括附加的阳极和/或附加的磁体，用于在使用中在所述基板上引导所述等离子体的电子。
32.根据权利要求28到31中任意一项所述的真空处理装置，其特征在于，所述真空处理装置还包括一个或多个护罩，所述护罩布置为在使用中阻塞等离子体放电的电势区域。
33.根据权利要求28到32中任意一项所述的网、玻璃、显示、装饰和批量镀膜机。
34.根据以上任意一项权利要求所述的等离子体源，或者使用在以上任意一项权利要求中的等离子体源，其中，所述等离子体放电主要是在至少一个所述等离子体源中的弧模式中。
35.根据以上任意一项权利要求所述的等离子体源，其中，还使用至少一个磁控溅射源或任意其他的PVD源。
【专利摘要】本发明涉及磁增强阴极等离子体沉积和阴极等离子体放电，其中，所述带电粒子可以在稀薄的真空系统中被引导。具体的，描述了阴极等离子体源簇或组合，其中，至少两个等离子体源单元以这样一种方式排布在稀薄的真空系统中：产生的磁场相互作用提供本质上与中性粒子和液滴的主体垂直的方向上的电子的引导传送逸出路径，该中性粒子和液滴生成在所述阴极等离子体源中。此外，本发明的所述阴极等离子体源排布将生成非常低磁场的区域，其中，通过电场和磁场捕获电子。由所述等离子体簇生成的离子将通过所述电场或磁场确定的逸出路径跟随电子。所述离子的方向与那些中性粒子从根本上是不同的，用这种方式提供带电粒子滤波方法。本发明可以实现在不同实施例和等离子体簇的不同排布中，通过使得所述等离子体将穿过用于所需等离子体处理和/或合适基板涂层的区域的磁相互作用方式而相互作用。
【IPC分类】H01J37-34, C23C14-35
【公开号】CN104718598
【申请号】CN201380055316
【发明人】维克托·贝利多-刚扎雷兹
【申请人】基恩科有限公司
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2013年9月11日
【公告号】EP2896063A1, US20150243484, WO2014041345A1