: 10 (摩尔比）。
[0033] 需要说明的是，各元素的含量可W通过邸S(能量分散形元素分析装置）测定等求 出。
[0034] 在上述电子输送层中，上述5价和/或6价的元素也可W大致均匀地分散存在，但 从光电转换效率进一步变高的观点考虑，优选偏重地存在于阴极侧。
[0035] 具体而言，在上述电子输送层的从阴极侧起60%的厚度的范围内，优选存在着上 述电子输送层所包含的5价和/或6价的元素的90重量％ ^上，更优选存在着95重量％ W上。另外，在上述电子输送层的从阴极侧起30%的厚度的范围内，优选存在着上述电子输 送层所包含的5价和/或6价的元素的90重量％ ^上，更优选存在着95重量％W上。
[0036] 上述电子输送层的制膜方法没有特别限定，但优选为；在使用5价和/或6价的金 属醇盐溶液形成了涂膜后，在该涂膜的表面上将氧化铁层制膜，例如在400~600°C、10~ 60分钟等的条件下进行该些层的烧成的方法。根据该样的方法，通过进行烧成，能够形成下 述电子输送层，能够抑制因遮断紫外线所致的氧化铁的光传导性的降低，所述电子输送层 包含；含有5价和/或6价的元素的氧化物的层、氧化铁层、W及在该些层的界面生成的含 有氧化铁W及5价和/或6价的元素的氧化物的层。另外，若通过该样的方法在阴极上形 成电子输送层，则能够形成5价和/或6价的元素的氧化物偏重地存在于阴极侧的电子输 送层。
[0037] 另外，作为上述电子输送层的制膜方法，还优选为；制作由渗杂了 5价和/或6价 的元素的氧化铁形成的粒子，使用分散有该粒子的分散液形成涂膜，进行烧成的方法。根据 该样的方法，能够形成含有渗杂了 5价和/或6价的元素的氧化铁的层。另外，也可W在所 得的层的表面上进一步将氧化铁层制膜，进行烧成，由此形成包含含有渗杂了 5价和/或6 价的元素的氧化铁的层、W及氧化铁层的电子输送层。若通过该样的方法在阴极上形成电 子输送层，则能够形成5价和/或6价的元素偏重地存在于阴极侧的电子输送层。
[003引制作由上述渗杂了 5价和/或6价的元素的氧化铁形成的粒子的方法没有特别限 审IJ，例如，可举出；在异丙醇铁与5价和/或6价的金属醇盐的混合物中滴加硝酸，然后进 行加热揽拌的方法等。由上述渗杂了 5价和/或6价的元素的氧化铁形成的粒子的平均 粒径没有特别限定，但从制膜性变得良好、光电转换效率进一步变高的观点考虑，优选5~ lOOnm，更优选 10 ~60nm。
[0039] 需要说明的是，平均粒径可W通过动态光散射法等求出。
[0040] 另外，作为上述电子输送层的制膜方法，例如还可使用：通过瓣射而将氧化铁与5 价和/或6价的元素同时制膜，由此制作含有它们的层的方法；涂布分散有氧化铁粒子与由 5价和/或6价的元素形成的粒子该两者的分散液的方法等。
[004U上述电子输送层的厚度的优选的下限为Inm，优选的上限为2000nm。若上述厚度 为InmW上，则变得能够充分地封阻空穴。若上述厚度为2000nmW下，则不易成为电子输 送时的阻力，光电转换效率变高。上述电子输送层的厚度的更优选的下限为3nm，更优选的 上限为1000皿，进一步优选的下限为10皿，进一步优选的上限为600皿。
[0042] 上述光电转换层只要含有N型半导体和P型半导体，就没有特别限制，N型半导体 和P型半导体可W分别为有机半导体，也可W为金属硫化物、金属氧化物等无机半导体。
[0043] 其中，从太阳能电池的耐久性变高的观点考虑，上述光电转换层优选包含含有无 机半导体的层，更优选为该含有无机半导体的层为含有金属硫化物的层。此外，本发明的太 阳能电池更优选为具有下述光电转换层的有机薄膜太阳能电池，所述光电转换层包含含有 金属硫化物的层（W下，也称为硫化物层）、W及含有有机半导体的层（W下，也称为有机半 导体层）。在该样的光电转换层中，推测上述硫化物层主要作为N型半导体来发挥作用，上 述有机半导体层主要作为P型半导体来发挥作用，但上述硫化物层也可W部分地作为P型 半导体来发挥作用，上述有机半导体层也可W部分地作为N型半导体来发挥作用。另外，该 样的光电转换层可W是包含上述硫化物层和上述有机半导体层的层叠体，也可W是将上述 硫化物层和上述有机半导体层复合化而得的复合膜，但复合膜因能够提高有机半导体的电 荷分离效率而更为优选。
[0044] 作为上述硫化物层所包含的金属硫化物，例如可举出；硫化铺、硫化饿、硫化神等 元素周期表15族元素的硫化物；硫化簡、硫化锡、硫化铜、硫化锋、硫化铁、硫化铅等。其中， 优选硫化铺。硫化铺与有机半导体的能级的适合性良好，并且，与W往的氧化锋、氧化铁等 相比对可见光的吸收较大。因此，通过使上述金属硫化物为硫化铺，从而可使太阳能电池的 光电转换效率变高。该些金属硫化物可W单独使用，也可W并用2种W上。
[0045] 上述硫化物层所包含的金属硫化物也可W是在同一分子中含有2种W上的元素 的复合硫化物。
[0046] 对于上述硫化物层而言，只要在不阻碍本发明的效果的范围内，就可W在如上所 述的作为主成分的金属硫化物的基础上进一步含有其他的元素。上述其他的元素没有特别 限定，但优选属于元素周期表的第4周期、第5周期和第6周期的元素，具体而言，例如可举 出铜、嫁、锡、簡、铜、锋、侣、镶、银、铁、饥、魄、钢、粗、铁、钻等。该些其他的元素可W单独使 用，也可W并用2种W上。其中，从电子的迁移率变高的观点考虑，优选铜、嫁、锡、簡、锋、 铜。
[0047] 上述其他的元素的含量在上述硫化物层中的优选的上限为50重量％。若上述含 量为50重量％ ^下，则不会对硫化物层与有机半导体的适合性带来不良影响，光电转换效 率不会发生降低。
[0048] 上述硫化物层优选为结晶性半导体。通过使上述硫化物层为结晶性半导体，从而 可使电子的迁移率变高，光电转换效率变高。
[0049]需要说明的是，结晶性半导体表示通过X射线衍射测定等进行测定而能够检测到 散射峰的半导体。
[0050] 另外，作为上述硫化物层的结晶性的指标，可W使用结晶度。上述硫化物层的结晶 度的优选的下限为30%。若上述结晶度为30 %W上，则电子的迁移率变高，光电转换效率 变高。上述结晶度的更优选的下限为50%，进一步优选的下限为70%。
[0化1]需要说明的是，结晶度能够如下求得；将通过X射线衍射测定等而检测到结晶质 来源的散射峰、和非晶质部来源的光晕化alo)利用拟合进行分离，求出各自的强度积分， 算出整体中的结晶质部分的比。
[0052]作为提高上述硫化物层的结晶度的方法，例如可举出：对硫化物层进行热退火、激 光或闪光灯等强度较强的光的照射、准分子光照射、等离子体照射等的方法。其中，从能够 降低上述金属硫化物的氧化的观点考虑，优选进行强度较强的光的照射、等离子体照射等 的方法。
[0化3]上述有机半导体层所包含的有机半导体没有特别限制，例如可举出聚（3-烷基唾 吩）等具有唾吩骨架的化合物等。另外，例如还可举出具有聚对亚苯基己締基骨架、聚己締 基巧挫骨架、聚苯胺骨架、聚己诀骨架等的导电性高分子等。此外，例如还可举出具有献菁 骨架、蒙献菁骨架、并五苯骨架，苯并化咐骨架等化咐骨架等的化合物。其中，从耐久性比较 高的观点考虑，优选具有唾吩骨架、献菁骨架、蒙献菁骨架、苯并化咐骨架的化合物。
[0化4] 从能够吸收长波长区域的光的观点考虑，上述有机半导体层所包含的有机半导体 还优选为供体-受体型。其中，更有选为具有唾吩骨架的供体-受体型的化合物，在具有唾 吩骨架的供体-受体型的化合物中，从光吸收波长的观点考虑，特别优选唾吩-二酬化咯并 化咯聚合物。
[0化5]在上述光电转换层为层叠体的情况下，上述硫化物层的厚度的优选的下限为5nm， 优选的上限为5000nm。若上述厚度为5nmW上，则变得能够充分地吸收光，光电转换效率 变高。若上述厚度为5000nmW下