]如图6所示，本发明的TFT布局结构实现了所述第一薄膜晶体管Tl、与第二薄膜晶体管Τ2在空间上层叠设置，相比于现有技术将受控于同一控制信号线的两颗TFT沿有源层SC的图案化排布方向进行平行间隔布局，能够大幅度缩小电路布局的空间，从而增加显示面板的开口率，满足显示面板窄边框、及高分辨率的要求。
[0037]进一步地，如图3所示，所述第一有源层SC1、与第二有源层SC2在空间上相互交叉，以进一步缩小电路布局的空间，并便于区分第一源极S1、与第一漏极Dl在第一有源层SCl上的引出点、及第二源极S2、与第二漏极D2在第二有源层SC2上的引出点。
[0038]具体地，如图4、图5所示，本发明的TFT布局结构还包括基板1、第一绝缘层3、及第二绝缘层5。所述第一有源层SCl设于所述基板I上，所述第一源极S1、及第一漏极Dl分别覆盖所述第一有源层SCl的两端，使得所述第一源极S1、及第一漏极Dl分别与第一有源层SCl形成电性接触；所述第一绝缘层设于所述第一有源层SC1、第一源极S1、第一漏极D1、及基板I上；所述栅极层Gate设于所述第一绝缘层3上；所述第二绝缘层5设于所述栅极层Gate、及第一绝缘层3上；所述第二有源层SC2设于所述第二绝缘层5上，所述第二源极S2、及第二漏极D2分别覆盖所述第二有源层SC2的两端，使得所述第二源极S2、及第二漏极D2分别与第二有源层SC2形成电性接触。
[0039]可选地，所述基板I为玻璃基板或塑料基板。
[0040]所述第一源极S1、第一漏极D1、第二源极S2、第二漏极D2、及栅极层Gate的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。
[0041]所述第一有源层SC1、及第二有源层SC2的材料为非晶硅基半导体、多晶硅基半导体、氧化锌基半导体中的一种。
[0042]所述第一有源层SC1、与第二有源层SC2可均为η型半导体或均为P型半导体。此种情况下，所述栅极层Gate受控制信号线控制，使第一薄膜晶体管Tl与第二薄膜晶体管Τ2同时打开或关闭。
[0043]或者，所述第一有源层SC1、与第二有源层SC2的其中之一为P型半导体，另一个为η型半导体。此种情况下，第一薄膜晶体管Tl与第二薄膜晶体管Τ2具有相反的阈值电压，所述栅极层Gate受控制信号线控制，当第一薄膜晶体管Tl打开时，第二薄膜晶体管T2关闭，而当第一薄膜晶体管Tl关闭时，第二薄膜晶体管T2打开。
[0044]所述第一绝缘层3、及第二绝缘层5的材料为氮化硅、或氧化硅、或二者的组合。
[0045]上述TFT布局结构适用于GOA电路、及AMOLED像素补偿电路，能够在保证电路功能的情况下缩小电路布局的空间，增加显示面板的开口率，满足显示面板窄边框、及高分辨率的要求。
[0046]综上所述，本发明的TFT布局结构，通过增加第二有源层，并将第一有源层、与第二有源层设于不同层别，使二者在空间上层叠设置，使得由同一控制信号线控制的两颗TFT在空间上层叠设置，能够在保证电路功能的情况下缩小电路布局的空间，增加显示面板的开口率，满足显示面板窄边框、及高分辨率的要求。
[0047]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种TFT布局结构，其特征在于，包括受同一控制信号线控制的第一薄膜晶体管(Tl)、与第二薄膜晶体管(T2)； 所述第一薄膜晶体管(Tl)包括栅极层(Gate)、第一有源层(SCl)、第一源极(SI)、及第一漏极(Dl)，所述第二薄膜晶体管(T2)包括栅极层(Gate)、第二有源层(SC2)、第二源极(S2)、及第二漏极(D2)； 所述第一有源层(SCl)、与第二有源层(SC2)位于不同层别，并在空间上层叠设置，所述第一源极(SI)、及第一漏极(Dl)形成于第一有源层(SCl)上，所述第二源极(S2)、及第二漏极(D2)形成于第二有源层(SC2)上； 所述栅极层(Gate)电性连接所述控制信号线控制第一、第二薄膜晶体管(T1、T2)的打开与关闭。
2.如权利要求1所述的TFT布局结构，其特征在于，所述第一有源层(SCl)、与第二有源层(SC2)在空间上相互交叉。
3.如权利要求2所述的TFT布局结构，其特征在于，还包括基板(I)、第一绝缘层(3)、及第二绝缘层(5); 所述第一有源层(SCl)设于所述基板(I)上，所述第一源极(SI)、及第一漏极(Dl)分别覆盖所述第一有源层(SCl)的两端，所述第一绝缘层设于所述第一有源层(SCl)、第一源极(SI)、第一漏极(Dl)、及基板(I)上，所述栅极层(Gate)设于所述第一绝缘层(3)上，所述第二绝缘层(5)设于所述栅极层(Gate)、及第一绝缘层(3)上，所述第二有源层(SC2)设于所述第二绝缘层(5)上，所述第二源极(S2)、及第二漏极(D2)分别覆盖所述第二有源层(SC2)的两端。
4.如权利要求3所述的TFT布局结构，其特征在于，所述基板(I)为玻璃基板或塑料基板。
5.如权利要求3所述的TFT布局结构，其特征在于，所述第一源极(SI)、第一漏极(Dl)、第二源极(S2)、第二漏极(D2)、及栅极层(Gate)的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。
6.如权利要求3所述的TFT布局结构，其特征在于，所述第一有源层(SCl)、及第二有源层(SC2)的材料为非晶硅基半导体、多晶硅基半导体、氧化锌基半导体中的一种。
7.如权利要求3所述的TFT布局结构，其特征在于，所述第一绝缘层(3)、及第二绝缘层(5)的材料为氮化硅、或氧化硅、或二者的组合。
8.如权利要求6所述的TFT布局结构，其特征在于，所述第一有源层(SCl)、与第二有源层(SC2)均为η型半导体或均为P型半导体。
9.如权利要求6所述的TFT布局结构，其特征在于，所述第一有源层(SCl)、与第二有源层(SC2)的其中之一为P型半导体，另一个为η型半导体。
10.如权利要求1所述的TFT布局结构，其特征在于，所述TFT布局结构适用于GOA电路、及AMOLED像素补偿电路。
【专利摘要】本发明提供一种TFT布局结构，包括受同一控制信号线控制的第一薄膜晶体管(T1)、与第二薄膜晶体管(T2)；第一薄膜晶体管(T1)的第一有源层(SC1)、与第二薄膜晶体管(T2)的第二有源层(SC2)位于不同层别，并在空间上层叠设置，第一薄膜晶体管(T1)的第一源极(S1)、及第一漏极(D1)形成于第一有源层(SC1)上，第二薄膜晶体管(T2)的第二源极(S2)、及第二漏极(D2)形成于第二有源层(SC2)上；栅极层(Gate)电性连接所述控制信号线控制第一、第二薄膜晶体管(T1、T2)的打开与关闭。该TFT布局结构能够缩小电路布局的空间，增加显示面板的开口率，满足显示面板窄边框、及高分辨率的要求。
【IPC分类】H01L27-12
【公开号】CN104779257
【申请号】CN201510176251
【发明人】韩佰祥, 石龙强
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2015年4月14日