高出光率的led芯片结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明高出光率的LED芯片结构，属于LED芯片技术领域。
【背景技术】
[0002]目前LED技术已经取得很大成果，但是LED电光转换效率还不是很高。人们已经提出了多种能提高光提取效率的方法，比如倒装结构、芯片形状几何化结构、图形衬底、光子晶体、表面粗化、背镀反射镜、电流扩展优化等。然而，如何突破现有技术进一步提高出光效率仍然是当前需要解决的重要问题。
【发明内容】
[0003]本发明克服现有技术存在的不足，所要解决的技术问题为提供一种高出光率的LED芯片结构，具体是提高LED芯片电流扩散、提高最终出光率。
[0004]为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为:高出光率的LED芯片结构，包括发光本体，所述发光本体的上端设置有N电极，所述发光本体的下端设置有P电极，所述发光本体和N电极之间设置有P型金属。
[0005]所述P型金属蒸镀在N电极的下端面上。
[0006]两个所述的P电极对称设置在发光本体的下部两端。
[0007]所述N电极呈凸形，所述P型金属位于N电极凸形的正下方，所述P型金属的宽度小于N电极凸形的下部宽度。
[0008]本发明与现有技术相比具有的有益效果是:本发明解决了 LED芯片内部电流扩散不均匀所导致的出光率低的技术问题，在发光本体的上端设置N电极，在发光本体的下端设置P电极，将P型金属设置在发光本体和N电极之间，通过提高LED芯片电流扩散，提高最终出光率。
【附图说明】
[0009]下面结合附图对本发明做进一步详细的说明。
[0010]图1为本发明的结构示意图。
[0011]图中:1为发光本体、2为N电极、3为P电极、4为P型金属。
【具体实施方式】
[0012]如图1所示，本发明高出光率的LED芯片结构，包括发光本体1，所述发光本体I的上端设置有N电极2，所述发光本体I的下端设置有P电极3，所述发光本体I和N电极2之间设置有P型金属4。
[0013]所述P型金属4蒸镀在N电极2的下端面上。
[0014]两个所述的P电极3对称设置在发光本体I的下部两端。
[0015]所述N电极2呈凸形，所述P型金属4位于N电极2凸形的正下方，所述P型金属4的宽度小于N电极2凸形的下部宽度。
[0016]本发明是在外延层表面进行微影作业，图形与N-pad形状类似，通过冷镀方式将P型金属蒸镀于芯片N面，进行蚀刻作业，将P型金属图形化；然后在P型金属表面蒸镀N—padο
[0017]通过上述方式，最终实现在红光芯片的N-Pad下面蒸镀一层P型金属，形成Schottky使电流向四周扩散。
[0018]本发明的工作原理:在接通电源后，由于P型金属的存在，电流不会集中于PAD正下方区域，而向电极周围扩散，最大限度了通过芯片发光区，从而增加了芯片的出光率。
[0019]上面结合附图对本发明的实施例作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。
【主权项】
1.高出光率的LED芯片结构，其特征在于:包括发光本体(1)，所述发光本体(I)的上端设置有N电极(2 )，所述发光本体(I)的下端设置有P电极(3 )，所述发光本体(I)和N电极(2)之间设置有P型金属(4)。
2.根据权利要求1所述的高出光率的LED芯片结构，其特征在于:所述P型金属(4)蒸镀在N电极(2)的下端面上。
3.根据权利要求1所述的高出光率的LED芯片结构，其特征在于:两个所述的P电极(3)对称设置在发光本体(I)的下部两端。
4.根据权利要求1所述的高出光率的LED芯片结构，其特征在于:所述N电极(2)呈凸形，所述P型金属(4)位于N电极(2)凸形的正下方，所述P型金属(4)的宽度小于N电极(2)凸形的下部宽度。
【专利摘要】本发明公开了高出光率的LED芯片结构，具体是提高LED芯片电流扩散、提高最终出光率；采用的技术方案为：高出光率的LED芯片结构，包括发光本体，所述发光本体的上端设置有N电极，所述发光本体的下端设置有P电极，所述发光本体和N电极之间设置有P型金属；本发明广泛应用于LED芯片技术领域。
【IPC分类】H01L33-38
【公开号】CN104851950
【申请号】CN201510147201
【发明人】沈志强, 许智程, 李莎莎
【申请人】山西南烨立碁光电有限公司
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2015年3月31日