术人员皆能制作或使用所公开的实施例。对这些实施例的各种修改对于本领域技术人员而言将是显而易见的，并且本文中定义的原理可被应用于其他实施例而不会脱离本公开的范围。因此，本公开并非旨在被限定于本文中示出的实施例，而是应被授予与如由所附权利要求定义的原理和新颖性特征一致的最广的可能范围。
【主权项】
1.一种设备，包括: 骤回钳位电路，其配置成响应于电源电压超过触发电压电平而钳位所述电源电压， 其中，所述骤回钳位电路包括钳位晶体管以及响应于控制信号来校准所述触发电压电平的可编程电阻部分。2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述可编程电阻部分被耦合到所述钳位晶体管的体端子。3.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述可编程电阻部分包括各自耦合到所述钳位晶体管的所述体端子的多个电阻器。4.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述多个电阻器中的第一电阻器被进一步耦合到第一开关，并且所述多个电阻器中的第二电阻器被进一步耦合到第二开关。5.如权利要求4所述的设备，其特征在于，所述控制信号是多位码，其中所述第一开关包括由所述多位码的第一位值来门控的第一晶体管，并且进一步包括由所述多位码的第二位值来门控的第二晶体管，并且其中所述第二开关包括由所述第一位值的补来门控的第三晶体管、由所述第二位值的补来门控的第四晶体管、或其组合。6.如权利要求4所述的设备，其特征在于，所述可编程电阻部分进一步包括耦合到第三开关的低电阻路径。7.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述可编程电阻部分包括具有第一宽长比的第一晶体管，并且进一步包括具有第二宽长比的第二晶体管，并且其中所述第二宽长比大于所述第一宽长比。8.如权利要求7所述的设备，其特征在于，当所述第一晶体管由所述控制信号的第一位值激活时，所述可编程电阻部分具有第一电阻，并且其中当所述第二晶体管由所述第一位值的补来激活时，所述可编程电阻部分具有第二电阻，所述第一电阻大于所述第二电阻。9.如权利要求7所述的设备，其特征在于，所述第二宽长比大约为所述第一宽长比的两倍。10.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述可编程电阻部分包括耦合到所述钳位晶体管的体端子的至少一个多晶硅电阻器。11.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述触发电压电平基于与提供所述电源电压的电路系统相关联的迹线电感来被编程。12.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述触发电压电平与和所述骤回钳位电路相关联的寄生双极结型晶体管(BJT)效应相关联。13.如权利要求1所述的设备，其特征在于，进一步包括配置成通过偏置所述钳位晶体管的栅极端子进一步校正所述触发电压电平的可编程偏置器件。14.如权利要求13所述的设备，其特征在于，所述触发电压电平是进一步基于所述钳位晶体管的被所述可编程偏置器件偏置的栅-源电压来确定的。15.如权利要求13所述的设备，其特征在于，所述可编程偏置器件包括耦合到二极管器件的可编程电流源。16.如权利要求13所述的设备，其特征在于，所述可编程偏置器件包括耦合到电流源的可编程电阻。17.如权利要求13所述的设备，其特征在于，所述可编程偏置器件包括可编程电流源和二极管器件，并且其中所述二极管器件耦合到电阻器。18.如权利要求13所述的设备，其特征在于，所述可编程偏置器件包括可编程电流源和可编程电阻。19.一种设备，包括: 骤回钳位电路，其配置成响应于电源电压超过触发电压电平而钳位所述电源电压， 其中，所述骤回钳位电路包括钳位晶体管和配置成通过偏置所述钳位晶体管的栅极端子来校准所述触发电压电平的可编程偏置器件。20.如权利要求19所述的设备，其特征在于，所述触发电压电平是基于所述钳位晶体管的由所述可编程偏置器件偏置的栅-源电压来确定的。21.如权利要求19所述的设备，其特征在于，所述可编程偏置器件包括耦合到二极管器件的可编程电流源。22.如权利要求19所述的设备，其特征在于，所述可编程偏置器件包括耦合到电流源的可编程电阻。23.如权利要求19所述的设备，其特征在于，所述可编程偏置器件包括耦合到电阻器的可编程电流源。24.如权利要求19所述的设备，其特征在于，所述可编程偏置器件包括可编程电流源和可编程电阻。25.如权利要求19所述的设备，其特征在于，所述骤回钳位电路进一步包括配置成进一步校准所述触发电压电平的可编程电阻部分，所述可编程电阻部分耦合到所述钳位晶体管的体端子。26.如权利要求25所述的设备，其特征在于，所述可编程电阻部分包括各自耦合到所述钳位晶体管的所述体端子的多个电阻器。27.如权利要求26所述的设备，其特征在于，所述多个电阻器中的第一电阻器被进一步耦合到第一开关，并且所述多个电阻器中的第二电阻器被进一步耦合到第二开关。28.如权利要求27所述的设备，其特征在于，所述第一开关包括由多位码的第一位值来门控的第一晶体管，并且进一步包括由所述多位码的第二位值来门控的第二晶体管，并且其中所述第二开关包括由所述第一位值的补来门控的第三晶体管、由所述第二位值的补来门控的第四晶体管、或其组合。29.如权利要求25所述的设备，其特征在于，所述可编程电阻部分进一步包括耦合到第三开关的低电阻路径。30.如权利要求25所述的设备，其特征在于，所述可编程电阻部分包括具有第一宽长比的第一晶体管，并且进一步包括具有第二宽长比的第二晶体管，并且其中所述第二宽长比大于所述第一宽长比。31.如权利要求30所述的设备，其特征在于，当所述第一晶体管由第一位值来门控时，所述可编程电阻部分与第一电阻相关联，并且其中当所述第二晶体管由所述第一位值的补来门控时，所述可编程电阻部分与第二电阻相关联，并且其中所述第一电阻大于所述第二电阻。32.如权利要求30所述的设备，其特征在于，所述第二宽长比大约为所述第一宽长比的两倍。33.如权利要求25所述的设备，其特征在于，所述可编程电阻部分包括耦合到所述钳位晶体管的所述体端子的至少一个多晶硅电阻器。34.如权利要求19所述的设备，其特征在于，所述触发电压电平是基于与提供所述电源电压的电路系统相关联的迹线电感来编程的。35.如权利要求19所述的设备，其特征在于，所述触发电压电平与和所述骤回钳位电路相关联的寄生双极结型晶体管(BJT)效应相关联。36.一种校准骤回钳位电路的方法，所述方法包括: 通过经由控制信号修改与钳位晶体管相关联的体-地电阻来校准与骤回钳位电路相关联的触发电压电平；以及 对所述骤回钳位电路的可编程偏置器件进行编程以偏置所述钳位晶体管的栅极端子以进一步校准所述触发电压电平。37.如权利要求36所述的方法，其特征在于，修改所述体-地电阻包括基于所述控制信号来门控多个晶体管。38.如权利要求36所述的方法，其特征在于，进一步包括通过用可编程电流源偏置二极管器件来偏置所述钳位晶体管的所述栅极端子。39.如权利要求36所述的方法，其特征在于，所述触发电压电平是在将所述骤回钳位电路耦合到电源电压之后被校准的。40.一种设备，包括: 用于基于触发电压电平来钳位电源电压的装置；以及 用于校准所述触发电压电平的装置，其中所述用于校准触发电压电平的装置包括: 用于偏置所述用于钳位电源电压的装置的输入节点的装置；以及 用于修改与所述用于钳位电源电压的装置相关联的体-地电阻的装置。41.如权利要求40所述的设备，其特征在于，所述用于钳位所述电源电压的装置包括钳位晶体管，并且其中所述输入节点包括所述钳位晶体管的栅极端子。42.一种存储指令的非瞬态计算机可读介质，所述指令能由处理器执行以通过生成控制信号以校准骤回钳位电路的可编程电阻部分来校准所述骤回钳位电路的触发电压电平。43.如权利要求42所述的非瞬态计算机可读介质，其特征在于，所述控制信号是多位码，其中所述多位码的位值的第一组合激活所述可编程电阻部分的多个晶体管的第一子集，并且其中所述多位码的位值的第二组合激活所述多个晶体管的第二子集。44.一种集成电路，包括: 骤回钳位电路，其具有基于所述骤回钳位电路的经编程偏置器件、所述骤回钳位电路的经编程体-地电阻、或其组合来确定的触发电压电平， 其中所述骤回钳位电路配置成响应于在静电放电(ESD)事件期间电源电压超过所述触发电压电平来钳位所述电源电压，以及 其中，所述骤回钳位电路使得能够进行对所述集成电路的毛刺抑制和ESD保护。45.如权利要求44所述的集成电路，其特征在于，所述触发电压电平与所述骤回钳位电路的钳位晶体管的寄生双极结型晶体管(BJT)效应相关联。46.一种在集成电路的操作期间钳位电源电压的方法，所述方法包括: 响应于在静电放电(ESD)事件期间所述电源电压超过触发电压电平，由所述集成电路的骤回钳位电路来钳位所述电源电压，其中，所述触发电压电平是响应于所述骤回钳位电路的经编程偏置器件、所述骤回钳位电路的经编程体-地电阻、或其组合来确定的，以及其中，所述骤回钳位电路使得能够进行对所述集成电路的毛刺抑制和ESD保护。47.如权利要求46所述的方法，其特征在于，所述触发电压电平与所述骤回钳位电路的钳位晶体管的寄生双极结型晶体管（BJT)效应相关联。
【专利摘要】一种设备包括配置成响应于电源电压超过触发电压电平而钳位该电源电压的骤回钳位电路。在至少一个实施例中，该骤回钳位电路包括钳位晶体管和响应于控制信号来校准该触发电压电平的可编程电阻部分。替换地或附加地，该骤回钳位电路可包括配置成通过偏置该钳位晶体管的栅极端子来校准该触发电压电平的可编程偏置器件。在另一特定实施例中，公开了一种校准骤回钳位电路的方法。在另一特定实施例中，公开了一种操作集成电路的方法。
【IPC分类】H03K17/08, H03K19/003, H01L27/06, H03F1/52, H01L27/02, H02H9/04
【公开号】CN105009285
【申请号】CN201480013344
【发明人】A·斯里瓦斯塔瓦, M·D·希恩科, E·R·沃莱
【申请人】高通股份有限公司
【公开日】2015年10月28日
【申请日】2014年3月6日
【公告号】US9182767, US20140254051, WO2014164182A1