一种透明显示器及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体器件领域，特别是一种透明显示器。
【背景技术】
[0002] 与诸多显示面板相比，OLED面板因其主动发光、高对比度、无视角限制等其诸多优 点及独特的器件结构成为发展透明显示技术的不二载体。
[0003] 现有的透明显示器大致分为两种结构，一种是底发射结构、另一种为顶发射结构。 通常无论在底发射结构还是顶发射结构的透明显示器中，一般会采用普通的掩膜版（非高 精度掩膜版）进行全屏的阴极蒸镀。请参见图1，其示出了现有技术中的一种透明显示器的 纵截面结构示意图。如图1所示，以顶发射结构的透明显示器为例，阴极6蒸镀于像素区以 及透光区，其中，考虑到匹配性的问题，阴极6通常所采用的材料也多为Mg/Ag(合金）、Yb、 Ga、Ba、Mg/Al (合金）等低功函数材料。然而这些低功函数材料的透光性相对ITO等透明 导电薄膜是非常差的，透光率仅为50%左右，因此会导致整个透明显示屏的透光性大打折 扣。例如，假设像素区占整个透明OLED面板的比例为36%，则透光区占整个透明OLED面板 的比例则为64% ;当蒸镀阴极6之后光线的穿透率仅为64% X50%= 32%而已。由此可 见，现有技术中的透明显示屏的透光性较差，进而，会严重影响其显示效果。
【发明内容】
[0004] 针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种透明显示器，大幅度提高透明 显示器的透光性、透明度。
[0005] 根据本发明的一个方面提供一种透明显示器，其特征在于，所述透明显示器包括： 基板，所述基板包括多个像素区以及位于所述像素区之间的透光区；有机电致发光器件，设 置于所述基板上，且位于所述基板的像素区，所述有机电致发光器件包括：薄膜晶体管，设 置于所述基板的像素区上；像素电极，设置于所述基板的像素区且与所述薄膜晶体管电连 接；发光层，设置于所述像素电极上；第一对向电极，设置于所述基板的像素区，且位于所 述薄膜晶体管和所述发光层的上方；第二对向电极，设置于所述像素区和所述透光区的上 方，且在所述像素区内的第二对向电极位于所述第一对向电极的上方，所述第二对向电极 用于电连接所述第一对向电极。
[0006] 优选地，所述第一对向电极由Mg/Ag (合金）、Yb、Ga、Ba、Mg/Al (合金）等低功函 数材料制成。
[0007] 优选地，所述第二对向电极由金属膜系或氧化物膜系等透明导电材料制成。
[0008] 优选地，所述第一对向电极厚度为20~200 A ?
[0009] 优选地，所述第二对向电极厚度为2?)0~100Q 1。
[0010] 优选地，所述像素电极为阳极，所述阳极设置于所述薄膜晶体管上。
[0011] 优选地，所述像素电极为阳极，所述阳极设置于所述基板上且位于所述薄膜晶体 管一侧，所述发光层设置于所述阳极上，且位于所述薄膜晶体管一侧。
[0012] 优选地，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
[0013] 优选地，所述透明显示器还包括缓冲层，所述缓冲层设置于所述基板上，其中，所 述像素区的缓冲层位于所述基板与所述有机电致发光器件之间。
[0014] 根据本发明的另一个方面，还提供一种上述的透明显示器的制造方法，其特征在 于，所述制造方法包括如下步骤：在基板上像素区制作薄膜晶体管；在基板上的像素区溅 射像素电极，并于所述像素电极上蒸镀发光层；在基板的像素区蒸镀第一对向电极；在基 板的像素区和透光区蒸镀第二对向电极。
[0015] 相比于现有技术，本发明实施例提供的透明显示器仅在像素区蒸镀低功函数材料 的第一阴极，并且通过全屏蒸镀透明导电材料的第二阴极解决第一阴极之间的电连接问 题。由于透光区并不设有低功函数材料的第一阴极，因此，第一阴极并不会影响透光区的光 线穿透率，极大地提高了透明显示器的透光性和透明度。
【附图说明】
[0016] 通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、 目的和优点将会变得更明显：
[0017] 图1为现有技术中的一种透明显示器的纵截面结构示意图；
[0018] 图2为本发明的第一实施例的透明显示器的纵截面结构示意图；
[0019] 图3为本发明的第一实施例的透明显示器的主视图；
[0020] 图4为本发明的透明显示器的制造方法的流程图；
[0021] 图5为本发明的第一实施例的基板上设置缓冲层和薄膜晶体管后的透明显示器 的纵截面结构示意图；
[0022] 图6为本发明的第一实施例的设置阳极和发光层后的透明显示器的纵截面结构 示意图；
[0023] 图7为本发明的第一实施例的蒸镀第一阴极后的透明显示器的纵截面结构示意 图；以及
[0024] 图8为本发明的第二实施例的透明显示器的纵截面结构示意图。
【具体实施方式】
[0025] 依据本发明主旨构思，所述透明显示器包括：基板，所述基板包括多个像素区以及 位于所述像素区之间的透光区；有机电致发光器件，设置于所述基板上，且位于所述基板 的像素区，所述有机电致发光器件包括：薄膜晶体管，设置于所述基板的像素区上；像素电 极，设置于所述基板的像素区且与所述薄膜晶体管电连接；发光层，设置于所述像素电极 上；第一对向电极，设置于所述基板的像素区，且位于所述薄膜晶体管和所述发光层的上 方；第二对向电极，设置于所述像素区和所述透光区的上方，且在所述像素区内的第二对向 电极位于所述第一对向电极的上方，所述第二对向电极用于电连接所述第一对向电极。
[0026] 需要说明的是，在本发明的实施例中，所述像素电极为阳极，所述第一对向电极为 第一阴极，所述第二对向电极为第二阴极。下面结合附图和实施例对本发明的技术内容进 行进一步地说明。
[0027] 第一实施例
[0028] 所述透明显示器包括像素区以及透光区。其中，多个所述像素区排列于所述透明 显示器上，所述像素区用于发出RGB三种颜色的光。所述透光区位于所述像素区之间，即透 明显示器上像素区以外的区域。所述透光区可供光线可穿透，其直接影响到所述透明显示 器的透光性以及显示效果。
[0029] 请一并参见图2和图3,其分别示出了本发明的第一实施例的透明显示器的纵截 面结构示意图以及主视图。如图2和图3所示，在本发明的优选实施例中，所述透明显示器 包括基板1、缓冲层2、多个有机电致发光器件。基板1包括多个像素区A和位于所述像素 区A之间的透光区B，其中，基板1的像素区A即为所述透明显示器的像素区，基板1的透光 区B即为所述透明显示器的透光区。所述有机电致发光器件设置于基板1上，且位于基板 1的像素区。
[0030] 图2中以顶发射机构的透明显示器上任意两个连续的有机电致发光器件所在区 域的结构为例进行说明。如图2所示，所述有机电致发光器件包括：薄膜晶体管31、阳极32、 发光层33以及第一阴极34。
[0031] 薄膜晶体管31设置于基板1的像素区上。薄膜晶体管31优选地为低温多晶硅薄 膜晶体管。阳极32设置于薄膜晶体管31上。发光层33设置于阳极32上。其中，发光层 33包括有机发光材料层、电子注入层、空穴注入层、电子传输层、空穴传输层、电子阻挡层、 空穴阻挡层（图中未示出）。
[0032] 第一阴极34设置于发光层33上，且覆盖发光层33。如图3所示，第一阴极34显 示的虚线区域即为基板1的像素区。第一阴极34优选地由Mg/Ag(合金）、Yb、Ga、Ba、或 Mg/Al (合金）等低功函数材料制成。第一阴极34的厚度优选地为20-200:
[0033] 本发明采用低功函数的材料作为第一阴极34,且第一阴极34仅仅设置于像素区， 而所述透光区并不设有第一阴极34,因此，第一阴极34并不会影响所述透光区的透光性。 然而，多个第一阴极34之间并不连接，存在电连接问题。为了解决多个第一阴极34之间的 电连接问题，因此，本发明的透明