显示器还包括第二阴极5。
[0034] 第二阴极5设置于所述像素区和所述透光区的上方，用于解决第一阴极34的电连 接问题，同时，其并不影响所述透光区的透光性。具体地，如图2所示，第二阴极5设置于所 述像素区上的部分位于第一阴极34的上方，第二阴极5设置于所述透光区的部分位于基板 1上。优选地，第二阴极5由ΙΤ0、IZO或者AZO等氧化物膜系或者金属膜系（例如金属纳 米薄膜）等透明导电材料制成。第二阴极5厚度为200:~1_0 Λ。在本实施例中，第二阴极 5是全部覆盖第一阴极34以及位于第一阴极34之间的透光区的连续层，进而，在制造过程 中蒸镀第二阴极5时可进行全屏蒸镀，避免使用掩膜板，降低了制造的成本；并且第二阴极 5使用透明导电材料，其全部覆盖不仅可加强第二阴极5电连接的可靠性，而且还不会对整 个透明显示器的透光性产生影响。但本发明并不限于此；第二阴极5也可以是覆盖第一阴 极34之间的透光区的不连续层。
[0035] 进一步地，在图2所示的优选实施例中，所述透明显示器还包括缓冲层2。缓冲层 2设置于基板1上，其中，所述透明显示器的像素区内的缓冲层2位于基板1与所述有机 电致发光器件之间。具体来说，缓冲层2覆盖基板1的上方，其中，在所述像素区部分，缓 冲层2设置于基板1和薄膜晶体管31之间；在所述透光区的部分，缓冲层2设置于基板I 和第二阴极5之间。优选地，缓冲层2由氧化硅或者氮化硅材料制成。缓冲层2的厚度为 20()()-、40()0A。
[0036] 请一并参见图4至图7,其分别示出了本发明的透明显示器的制造方法的流程图 以及制造过程中各步骤对应的透明显示器的纵截面结构示意图。具体来说，本发明还提供 一种图2和图3中所述的透明显示器的制造方法。如图4所示，所述制造方法包括如下步 骤：
[0037] 步骤SlOO :在基板1上的像素区制作薄膜晶体管31。优选地，制作薄膜晶体管31 之前先于基板1上制作缓冲层2,薄膜晶体管31制作于缓冲层2上，如图5所示。
[0038] 步骤S200 :在基板1上的像素区溅射阳极32,并于阳极32上蒸镀发光层33。优 选地，本实施例的顶发射结构中，阳极32溅射于薄膜晶体管31的上方，如图6所示。其中， 发光层33蒸镀的顺序依次为蒸镀空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光材料层、 空穴阻挡层、电子传输层以及电子注入层。
[0039] 步骤S300 :在基板1的像素区蒸镀第一阴极34。其中，第一阴极34的蒸镀过程是 通过一高精度金属掩膜板进行的。具体地，该高精度金属掩膜板覆盖基板1的透光区，其开 口位于基板1的像素区，因此，蒸镀后的第一阴极34仅覆盖所述像素区。在本实施例的顶 发射结构中，第一阴极34蒸镀于发光层33上，如图7所示。
[0040] 步骤S400 :在整个基板1上蒸镀第二阴极5。蒸镀第二阴极5后形成如图2所示 的透明显示器。
[0041] 第二实施例
[0042] 请参见图8,其示出了本发明的第二实施例的透明显示器的纵截面结构示意图。如 图8所示，与上述图2和图3所示的第一实施例不同的是，在此实施例中的透明显示器为底 发射结构，其有机电致发光器件的结构与上述第一实施例中不同。具体来说，所述透明显示 器的有机电致发光器件包括：薄膜晶体管31'、阳极32'、发光层33'以及第一阴极34'。
[0043] 薄膜晶体管31'设置于基板1的像素区上。薄膜晶体管31'优选地为低温多晶硅 薄膜晶体管。阳极32'设置于基板1上，且位于薄膜晶体管31' 一侧。发光层33'设置于 阳极32'上，且位于所述薄膜晶体管一侧。其中，发光层33'包括有机发光材料层、电子注 入层、空穴注入层、电子传输层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层（图中未示出）。第一 阴极34'设置于薄膜晶体管31'以及发光层33'上，且覆盖薄膜晶体管31'和发光层33'。 在此实施例中，由于第一阴极34'同样仅设置于像素区，因此，第一阴极34'并不会影响所 述透光区的透光性，进而，增加了所述透明显示器的透光性。
[0044] 更为进一步地，本领域技术人员理解，本发明提供一种透明显示器，该透明显示器 仅在像素区蒸镀低功函数材料的第一阴极，并且通过全屏蒸镀透明导电材料的第二阴极解 决第一阴极之间的电连接问题。由于透光区并不设有低功函数材料的第一阴极，因此，第一 阴极并不会影响透光区的光线穿透率，极大地提高了透明显示器的透光性。
[0045] 虽然本发明已以优选实施例揭示如上，然而其并非用以限定本发明。本发明所属 技术领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与修改。因此， 本发明的保护范围当视权利要求书所界定的范围为准。
【主权项】
1. 一种透明显示器，其特征在于，所述透明显示器包括： 基板，所述基板包括多个像素区以及位于所述像素区之间的透光区； 有机电致发光器件，设置于所述基板上，且位于所述基板的像素区，所述有机电致发光 器件包括： 薄膜晶体管，设置于所述基板的像素区上； 像素电极，设置于所述基板的像素区且与所述薄膜晶体管电连接； 发光层，设置于所述像素电极上； 第一对向电极，设置于所述基板的像素区，且位于所述薄膜晶体管和所述发光层的上 方； 第二对向电极，设置于所述像素区和所述透光区的上方，且在所述像素区内的第二对 向电极位于所述第一对向电极的上方，所述第二对向电极用于电连接所述第一对向电极。2. 根据权利要求1所述的透明显示器，其特征在于，所述第一对向电极由Mg/Ag、Yb、 Ga、Ba或Mg/Al低功函数材料制成。3. 根据权利要求2所述的透明显示器，其特征在于，所述第二对向电极由金属膜系或 氧化物膜系透明导电材料制成。4. 根据权利要求1所述的透明显示器，其特征在于，所述第一对向电极厚度为 20 ~2()05. 根据权利要求1所述的透明显示器，其特征在于，所述第二对向电极厚度为 200~]000A,6. 根据权利要求1所述的透明显示器，其特征在于，所述像素电极为阳极，所述阳极设 置于所述薄膜晶体管上。7. 根据权利要求1所述的透明显示器，其特征在于，所述像素电极为阳极，所述阳极设 置于所述基板上且位于所述薄膜晶体管一侧，所述发光层设置于所述阳极上，且位于所述 薄膜晶体管一侧。8. 根据权利要求1所述的透明显示器，其特征在于，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄 膜晶体管。9. 根据权利要求1所述的透明显示器，其特征在于，所述透明显示器还包括缓冲层，所 述缓冲层设置于所述基板上，其中，所述像素区的缓冲层位于所述基板与所述有机电致发 光器件之间。10. -种如权利要求1至9中任一项所述的透明显示器的制造方法，其特征在于，所述 制造方法包括如下步骤： 在基板上像素区制作薄膜晶体管； 在基板上的像素区溅射像素电极，并于所述像素电极上蒸镀发光层； 在基板的像素区蒸镀第一对向电极； 在基板的像素区和透光区蒸镀第二对向电极。
【专利摘要】本发明揭示一种透明显示器及其制造方法，所述透明显示器包括：基板，所述基板包括多个像素区以及位于像素区之间的透光区；有机电致发光器件，设置于基板上，且位于基板的像素区，所述有机电致发光器件包括：薄膜晶体管，设置于基板的像素区上；像素电极，设置于基板的像素区且与所述薄膜晶体管电连接；发光层，设置于所述像素电极上；第一对向电极，设置于所述基板的像素区，且位于所述薄膜晶体管和所述发光层的上方；第二对向电极，设置于所述像素区和所述透光区的上方，且在所述像素区内的第二对向电极位于所述第一对向电极的上方，所述第二对向电极用于电连接所述第一对向电极。本发明的透明显示器可大幅度提高透明显示器的透光性、透明度。
【IPC分类】H01L51/56, H01L27/32, H01L51/52
【公开号】CN105097877
【申请号】CN201510392265
【发明人】熊娜娜, 徐小丽, 李艳虎
【申请人】上海和辉光电有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年7月6日