一种oled显示器件及其制作方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示器件及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]有机电致发光(Organic Light Emitting D1de，以下简称0LED)显示器件，又称有机电致发光二极管显示器件，因具有自发光、色彩丰富、响应速度快、视角宽、重量轻、厚度薄、耗电少、可实现柔性显示等优点，因此受到广泛关注，而且，采用OLED显示器件制得的显示装置被视为具有巨大应用前景的显示装置。
[0003]OLED显示器件的基本结构是一种由阳极、阴极和位于阳极和阴极之间的有机发光层构成的如三明治的结构，其中，阳极通常为薄而透明且具有半导体特性的铟锡氧化物(ITO)层，阴极通常为金属层或金属氧化物层。当对OLED显示器件施加电压时，由阳极输出的空穴在有机发光层与由阴极输出的电子结合，使OLED显示器件发光，OLED显示器件发出的光经阳极或阴极射出。然而，基本结构的OLED显示器件由于其自身结构层的影响，使得OLED显示器件的出光强度和发光效率较低。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种OLED显示器件，以提高OLED显示器件的出光强度和发光效率。
[0005]为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案:
[0006]—种OLED显示器件，包括发光像素单元，所述发光像素单元包括:位于衬底基板上方的阳极，与所述阳极相对设置的阴极，以及形成于所述阳极和所述阴极之间的微腔；其中，
[0007]所述微腔包括有机发光层，所述阳极包括:与所述阴极相对的铟锡氧化物ITO层，以及位于所述ITO层背向所述阴极的侧面上的金属氧化物导体层。
[0008]本发明提供的OLED显示器件中，所述发光像素单元的阳极包括ITO层和金属氧化物导体层，当在上述OLED显示器件上加载电压，ITO层和金属氧化物导体层的空穴和阴极的电子传输至有机发光层，空穴和电子在有机发光层中相遇，并激发有机发光层发出由多种能态的光子组合形成的光，不同能态的光子在阳极和阴极之间的微腔中被重新分配，使得从有机发光层发出的光中，波长符合共振腔模式的光射出OLED显不器件的外部，OLED显示器件开始发光，与现有技术中仅采用ITO层作为所述发光像素单元的阳极相比，ITO层和金属氧化物导体层作为所述发光像素单元的阳极，可以调节微腔的腔长，从而改善了 OLED显示器件的微腔效应，且ITO层和金属氧化物导体层形成的阳极改善了阳极的功函数，因而使得从有机发光层发出的光中，某一特定波长的光的光强增强，从而可以提高OLED显示器件的出光强度和发光效率。另外，由于阴极与由ITO层和金属氧化物导体层组成的阳极之间形成微腔，可以使得OLED显示器件发出的光的半高宽变窄，即得到窄化的光谱，减少不同颜色的光发生干涉的现象，从而可以提高OLED显示器件的色纯。
[0009]本发明的另一目的在于提供一种显示装置，以提高OLED显示器件的出光强度和发光效率。为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案:
[0010]一种显示装置，所述显示装置设置有如上述技术方案所述的OLED显示器件。
[0011]所述显示装置与上述OLED显示器件相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。
[0012]本发明的再一目的在于提供一种OLED显示器件的制作方法，以提高OLED显示器件的出光强度和发光效率。为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案:
[0013]一种OLED显示器件的制作方法，用于制作如上述技术方案所述的OLED显示器件，其特征在于，
[0014]提供一衬底基板；
[0015]在所述衬底基板的上方依次形成阳极、微腔以及阴极；
[0016]其中，所述微腔包括有机发光层，所述阳极包括金属氧化物导体层和与所述微腔相邻的铟锡氧化物ITO层。
[0017]所述OLED显示器件的制作方法与上述OLED显示器件相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。
【附图说明】
[0018]此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
[0019]图1为本发明实施例提供的一种OLED显示器件的结构示意图；
[0020]图2为本发明实施例提供的另一种OLED显示器件的结构示意图；
[0021]图3为本发明实施例提供的微腔的结构示意图；
[0022]图4为本发明实施例提供的一种OLED显示器件的制作方法的流程图；
[0023]图5为本发明实施例提供的另一种OLED显示器件的制作方法的流程图；
[0024]图6为本发明实施例提供的再一种OLED显示器件的制作方法的流程图。
[0025]附图标记:
[0026]11-衬底基板，12-1T0 层，
[0027]13-金属氧化物导体层，14-阴极，
[0028]15-微腔，16-辅助金属层；
[0029]21-栅极，22-栅极绝缘层，
[0030]23-源极，24-漏极，
[0031]25-有源层；
[0032]151-空穴注入层，152-空穴传输层，
[0033]153-有机发光层，154-电子注入层，
[0034]155-电子传输层。
【具体实施方式】
[0035]为了进一步说明本发明实施例提供的OLED显示器件及其制作方法、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。
[0036]请参阅图1或图2，本发明实施例提供的OLED显示器件包括发光像素单元，所述发光像素单元包括:位于衬底基板11上方的阳极，与阳极相对设置的阴极14，以及形成于阳极和阴极14之间的微腔15 ;其中，微腔15包括有机发光层，阳极包括与阴极14相对的铟锡氧化物ITO层12，以及位于ITO层12背向阴极14的侧面上的金属氧化物导体层13。
[0037]本发明实施例提供的OLED显示器件中，所述发光像素单元的阳极包括ITO层12和金属氧化物导体层13，当在上述OLED显示器件上加载电压，ITO层12和金属氧化物导体层13的空穴和阴极14的电子传输至有机发光层，空穴和电子在有机发光层中相遇，并激发有机发光层发出由多种能态的光子组合形成的光，不同能态的光子在阳极和阴极14之间的微腔中被重新分配，使得从有机发光层发出的光中，波长符合共振腔模式的光射出OLED显示器件的外部，OLED显示器件开始发光，与现有技术中仅采用ITO层12作为所述发光像素单元的阳极相比，设置ITO层12和金属氧化物导体层13作为所述发光像素单元的阳极，可以调节阳极和阴极14之间的微腔15的腔长，即阴极14朝向微腔15的表面与阳极朝向微腔15的表面之间的距离，从而改善了 OLED显示器件的微腔效应，且ITO层12和金属氧化物导体层13形成的阳极可以改善阳极的功函数，因而使得从有机发光层发出的光中，某一特定波长的光的光强增强，从而可以提高OLED显示器件的出光强度和发光效率。另外，由于阴极14与由ITO层12和金属氧化物导体层13组成的阳极之间形成微腔15，可以使得OLED显示器件发出的光的半高宽变窄，即得到窄化的光谱，减少不同颜色的光发生干涉的现象，从而可以提高OLED显示器件的色纯。
[0038]值得一提的是，阴极的材料可以为金属，也可以为金属氧化物；一般地，需要制作底发射OLED显示器件时，阴极采用具有高反射率的金属或具有比阳极更高反射率的金属氧化物作为阴极材料，以使OLED显示器件发出的光从阳极透射出来；需要制作顶发射OLED显示器件时，阴极采用透明或半透明的金属氧化物作为阴极材料，并增加阳极的反射率，以使OLED显示器件发出的光从阴极透射出来。
[0039]采用上述OLED显示器件制作彩色的显示装置时，衬底基板11上包括多个所述发光像素单元，每个所述发光像素单元包括至少一个R像素单元、至少一个B像素单元和至少一个G像素单元；由于R、G、