0063]在本发明实施例提供的OLED显示器件的制作方法中，薄膜晶体管中，源极和漏极位于栅极绝缘层上，有源层位于源极、漏极以及源极和漏极之间的沟道上；
[0064]发光像素单元中，辅助金属层位于栅极绝缘层上，金属氧化物导体层位于辅助金属层上；
[0065]或者，
[0066]薄膜晶体管中，有源层位于栅极绝缘层上，源极和漏极位于有源层上；
[0067]发光像素单元中，金属氧化物导体层位于栅极绝缘层上，辅助金属层位于金属氧化物导体层上。
[0068]具体实施时，请参阅图5，薄膜晶体管中的有源层位于源极、漏极以及源极和漏极之间的沟道上，发光像素单元中的金属氧化物导体层位于辅助金属层上时，OLED显示器件的制作方法包括:
[0069]步骤101、提供一衬底基板；
[0070]步骤201、在衬底基板上形成栅极、栅极绝缘层；
[0071]步骤202、在栅极绝缘层上形成源极和漏极以及辅助金属层；
[0072]步骤203、在源极和漏极以及源极和漏极之间的沟道上形成有源层，在辅助金属层上形成金属氧化物导体层；
[0073]步骤102、在有源层的上方以及金属氧化物导体层上依次形成ITO层、微腔和阴极。
[0074]请参阅图6，薄膜晶体管中的源极、漏极位于有源层上，发光像素单元中的辅助金属层位于金属氧化物导体层上时，OLED显示器件的制作方法包括:
[0075]步骤101、提供一衬底基板；
[0076]步骤201、在衬底基板上形成栅极、栅极绝缘层；
[0077]步骤202’、在栅极绝缘层上形成有源层以及金属氧化物导体层；
[0078]步骤203’、在有源层上形成源极和漏极，在金属氧化物导体层上形成辅助金属层；
[0079]步骤102、在源极和漏极的上方以及辅助金属层上依次形成ITO层、微腔和阴极。
[0080]在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0081]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种OLED显示器件，其特征在于，包括发光像素单元，所述发光像素单元包括:位于衬底基板上方的阳极，与所述阳极相对设置的阴极，以及形成于所述阳极和所述阴极之间的微腔；其中， 所述微腔包括有机发光层，所述阳极包括与所述阴极相对的铟锡氧化物ITO层，以及位于所述ITO层背向所述阴极的侧面上的金属氧化物导体层。2.根据权利要求1所述的OLED显示器件，其特征在于，还包括位于所述衬底基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括:位于衬底基板上的栅极，覆盖所述衬底基板和所述栅极的栅极绝缘层，以及位于所述栅极绝缘层上方的有源层、源极和漏极，所述源极和所述漏极同层设置且不相连，所述漏极与所述阳极连接； 所述阳极的金属氧化物导体层位于所述阳极的ITO层与所述栅极绝缘层之间。3.根据权利要求2所述的OLED显示器件，其特征在于，所述发光像素单元中的金属氧化物导体层与所述薄膜晶体管中的有源层同层设置，所述金属氧化物导体层由对沉积在所述发光像素单元中的金属氧化物进行离子表面处理形成。4.根据权利要求2所述的OLED显示器件，其特征在于，所述发光像素单元的阳极还包括辅助金属层，所述辅助金属层位于所述阳极的ITO层与所述栅极绝缘层之间，且所述辅助金属层与所述金属氧化物导体层层叠设置。5.根据权利要求4所述的OLED显示器件，其特征在于，所述辅助金属层与所述源极和所述漏极同层设置。6.根据权利要求5所述的OLED显示器件，其特征在于， 所述薄膜晶体管中，所述源极和所述漏极位于所述栅极绝缘层上，所述有源层位于所述源极、所述漏极以及所述源极和所述漏极之间的沟道上； 所述发光像素单元中，所述辅助金属层位于所述栅极绝缘层上，所述金属氧化物导体层位于所述辅助金属层上。7.根据权利要求5所述的OLED显示器件，其特征在于， 所述薄膜晶体管中，所述有源层位于所述栅极绝缘层上，所述源极和所述漏极位于所述有源层上； 所述发光像素单元中，所述金属氧化物导体层位于所述栅极绝缘层上，所述辅助金属层位于所述金属氧化物导体层上。8.根据权利要求1-7任一所述的OLED显示器件，其特征在于，所述微腔还包括: 位于所述阳极的ITO层与所述有机发光层之间的空穴注入层和空穴传输层，其中，所述空穴传输层位于所述有机发光层与所述空穴注入层之间； 以及位于所述阴极与所述有机发光层之间的电子注入层和电子传输层，其中，所述电子传输层位于所述有机发光层与所述电子注入层之间。9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置设置有如权利要求1-8任一所述的OLED显示器件。10.一种OLED显示器件的制作方法，用于制作如权利要求1-8任一所述的OLED显示器件，其特征在于，所述OLED显示器件的制作方法包括: 提供一衬底基板； 在所述衬底基板的上方依次形成阳极、微腔以及阴极； 其中，所述微腔包括有机发光层，所述阳极包括与所述阴极相对的铟锡氧化物ITO层，以及位于所述ITO层与所述衬底基板之间的金属氧化物导体层。11.根据权利要求10所述的OLED显示器件的制作方法，其特征在于，在所述衬底基板的上方依次形成所述阳极、所述微腔以及所述阴极之前，所述OLED显示器件的制作方法还包括: 在所述衬底基板上形成栅极、栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层上方形成有源层、源极和漏极，所述源极和所述漏极同层设置且不相连，所述漏极与所述阳极连接； 其中，所述阳极的金属氧化物导体层位于所述阳极的ITO层与所述栅极绝缘层之间。12.根据权利要求11所述的OLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述发光像素单元中的金属氧化物导体层与所述薄膜晶体管中的有源层同层设置，所述金属氧化物导体层由对沉积在所述发光像素单元中的金属氧化物进行离子表面处理形成。13.根据权利要求11所述的OLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述发光像素单元的阳极还包括辅助金属层，所述辅助金属层位于所述阳极的ITO层与所述栅极绝缘层之间，且所述辅助金属层与所述金属氧化物导体层层叠设置；所述辅助金属层与所述源极和所述漏极同层设置。14.根据权利要求13所述的OLED显示器件的制作方法，其特征在于， 所述薄膜晶体管中，所述源极和所述漏极位于所述栅极绝缘层上，所述有源层位于所述源极、所述漏极以及所述源极和所述漏极之间的沟道上； 所述发光像素单元中，所述辅助金属层位于所述栅极绝缘层上，所述金属氧化物导体层位于所述辅助金属层上； 或者， 所述薄膜晶体管中，所述有源层位于所述栅极绝缘层上，所述源极和所述漏极位于所述有源层上； 所述发光像素单元中，所述金属氧化物导体层位于所述栅极绝缘层上，所述辅助金属层位于所述金属氧化物导体层上。
【专利摘要】本发明公开一种OLED显示器件及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，以提高OLED显示器件的出光强度和发光效率。所述OLED显示器件包括：发光像素单元，发光像素单元包括：位于衬底基板上方的阳极，与阳极相对设置的阴极，以及形成于阳极和阴极之间的微腔；其中，微腔包括有机发光层，阳极包括：与阴极相对的铟锡氧化物ITO层，以及位于ITO层背向阴极的侧面上的金属氧化物导体层。由ITO层和金属氧化物导体层形成的阳极与阴极之间形成微腔，调节了微腔的腔长，改善了OLED显示器件的微腔效应，从而提高OLED显示器件的出光强度和发光效率。本发明提供的OLED显示器件应用于显示装置中。
【IPC分类】H01L27/32, H01L51/52, H01L51/56
【公开号】CN105097874
【申请号】CN201510297822
【发明人】张玉婷, 吴俊纬, 于剑伟
【申请人】合肥鑫晟光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年6月1日