用于在oled制程中量测子像素偏移量的方法
【技术领域】
[0001]本公开总地涉及一种量测0LED的基板上子像素偏移量的方法，具体而言，涉及用于在0LED制程中量测其基板上子像素偏移量的方法。
【背景技术】
[0002]随着0LED制造的高分辨率与高产量的趋势，对于镀膜精准度的要求越来越高，因此，如何准确快速的进行镀膜的偏移量的测量及对于偏移量的补偿对于实现上述要求至关重要。
[0003]图1、2分别示出了利用镀膜设备进行0LED子像素镀膜的主视图和俯视图。镀膜设备包括蒸发源1、金属框架2、掩膜板3及玻璃基板4，掩膜板3例如为高精度金属掩模板(Fine Metal Mask，FMM)，其上具有镂空部31，并固定在金属框架2上，蒸镀前，将玻璃基板4与掩膜板3对位设置，即，使玻璃基板4上的发光单元41的预设位置与镂空部31相对应，蒸发盛有0LED材料的蒸发源1，使0LED材料经由掩膜板3上的镂空部31沉积在玻璃基板4的发光单元41上，形成RGB等子像素P，如图3、4所示。接着，以同样的方式，利用其它布局的掩膜板在玻璃基板4上堆叠形成多层结构，以分别形成三层子像素。直到0LED制程完全结束，对玻璃基板4通电，使其发光，观察通电后发光单元41与0LED材料的蒸镀的子像素之间是否存在偏移，并测量偏移量。
[0004]接着，通过移动玻璃基板4或掩膜板3进行该偏移量的补偿，以避免再次发生偏移。
[0005]然而，上述偏移测量步骤必须在0LED制程完全结束后对玻璃基板4通电，才能进行，因此，即使检测并补偿偏移，实际上偏移的蒸镀层已经严重影响了后续制程，无法对大批量生产出的存在缺陷的基板进行弥补，因此无法使用。
[0006]因此，现在的偏移测量方法只能在制程完成后才能发现、测量偏移量，导致制程效率降低，浪费原料，使得废品率提升。
[0007]因此，需要一种量测0LED的基板上子像素偏移量的方法，以及早的发现镀膜偏移，提高制程效率、产品合格率。
[0008]在所述【背景技术】部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
【发明内容】
[0009]公开了一种用于在0LED制程中量测子像素偏移量的方法，以及早的发现镀膜偏移，提高制程效率、产品合格率。
[0010]本公开的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得显然，或者可以通过本公开的实践而习得。
[0011]根据本公开的一个方面，一种用于在0LED制程中量测子像素偏移量的方法，包括以下步骤:将0LED材料透过掩模板上的镂空部蒸镀到基板上的显示屏单元，显示屏单元包含有效区域和该有效区域外围的外围测量区域，所述OLED材料在该有效区域内形成多个有效子像素，在该外围测量区域内形成多个虚设子像素；及利用UV光使0LED材料的至少部分所述虚设子像素受激发光并测量该虚设子像素相对于所对应位于该基板上的发光单元预定位置的偏移量。
【附图说明】
[0012]通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
[0013]图1示出利用现有的镀膜设备进行镀膜的主视图。
[0014]图2示出利用现有的镀膜设备进行镀膜的俯视图。
[0015]图3示出在基板上形成子像素的主视图。
[0016]图4示出在基板上形成子像素的俯视图。
[0017]图5示出0LED显示屏单元及其周围的外围测量区域的示意图。
[0018]图6示出观察到的外围测量区域内的子像素偏移示意图。
【具体实施方式】
[0019]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中，为了清晰，夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
[0020]所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的各方面。
[0021]实施方式1
[0022]请一并参照图5及图6，本实施方式提供一种用于在0LED制程中量测子像素偏移量的方法，用于测量镀膜形成的子像素与相应的发光单元之间的偏移量，包括以下步骤:
[0023]步骤1:将0LED材料透过掩模板3上的镂空部31蒸镀到基板4上形成多个子像素，使子像素与基板4上的发光单元41相对应以形成0LED显示屏单元43。如图5，0LED显示屏单元43包括有效区域A1和有效区域A1外围的外围测量区域A2，形成在有效区域A1内的子像素定义为有效子像素P1，形成在外围测量区域A2内子像素定义的形成虚设子像素P2，有效子像素P1和虚设子像素P2的分布情况相同 '及
[0024]步骤2:请参照图6，图6是图5中外围测量区域A2的部分放大图，例如是区域A2-1的放大图。其中R、G、B分别表示红、绿、蓝0LED材料实际蒸镀于基板外外围测量区域A2虚设子像素P2的位置，而r、g、b则表示预定红、绿、蓝发光单元的位置，虚设子像素的面积大于发光单元的面积。利用UV光使0LED材料的红色虚设子像素R受激发光，观察并测量红色虚设子像素R相对于所对应的红色发光单元r预定位置的偏移量D1，而外围测量区域A2内的虚设子像素P2的偏移量与有效区域内A1的有效子像素P1的偏移量D2 —致，偏移量D2与掩模板3相对于基板4的偏移量D3 —致，因此，通过观察并测量偏移量D1，即可确定偏移量D3。
[0025]本实施方式中，是利用配备UV光源的测量显微镜观察虚设子像素P2图像，UV光源是通过光纤的方式传递并照射于基板4上的外围测量区域A2处，该UV光照射范围在0.5mm以内。可在外围测量区域A2内的多处区域进行测量，例如图