光源装置以及发光装置的制造方法

文档序号:9568744阅读:367来源:国知局
光源装置以及发光装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及使用了 LED (Light Emitting D1de:发光二极管)的光源装置以及发光装置。
【背景技术】
[0002]近几年,作为对地球温暖化的环境对策,一般照明用光源、显示器用背光光源的LED化正在被急速推进。在这样的光源中,使用构成为进行白色发光的LED照明模块。作为使用LED来生成白色光的方法,存在使用红色LED、蓝色LED以及绿色LED这3种LED而通过光的三原色的组合来生成的方法、将蓝色LED用于黄色荧光体的光源而通过蓝色光和黄色光的混色来生成的方法等。
[0003]例如在专利文献1中,公开了通过使用峰值波长不同的2种蓝色LED,激励黄色荧光体、绿色荧光体、红色荧光体来进行白色发光的照明光源。此外,在专利文献1中,排列多个不同的LED封装件来作为照明装置。
[0004]此外,在专利文献2中,公开了使用由含有荧光体的透光性的树脂所密封的蓝色发光LED元件和由不包含荧光体的透光性的树脂所密封的红色发光LED元件来进行白色发光的发光装置。
[0005]在先技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日本国公开特开2008-258356号公报(2008年10月23日公开)
[0008]专利文献2:日本国公开特开2011-192703号公报(2011年09月29日公开)

【发明内容】

[0009]发明要解决的课题
[0010]另外,以LED为光源的白色光所包含的蓝色分量中的波长为415?460nm的光对人眼睛的视网膜的影响(伤害度)较大。例如,在作为蓝色发光二极管所发出的蓝色光给人眼睛的视网膜带来不良影响的指标而使用的蓝色光伤害函数(JIS T7330)中,在将波长440nm设为1 (伤害度最大)的情况下,在415nm时为0.80,在425nm时为0.95,在450nm时为0.94,在460nm时为0.80,在470nm时为0.62。可以说该数值越小,对眼睛越温和。
[0011]但是,在利用了 LED的现有的光源、发光装置中,全都是以提高发光效率为目的,而关于对人眼的视网膜的影响并没有作特别的考虑,全都在白色光中包含有蓝色光伤害函数的值较大的450nm附近的蓝色分量。
[0012]本发明鉴于上述的问题点而作,其目的在于提供一种通过使用蓝色光伤害函数的值较小的蓝色光,从而发出对人眼睛温和的白色光的光源装置以及发光装置。
[0013]用于解决课题的手段
[0014]为了解决上述课题,本发明的一方式所涉及的光源装置是使用发光二极管来发出白色光的光源装置,其特征在于,所述白色光的发光光谱中460nm?500nm的积分发光强度大于415nm?460nm的积分发光强度。
[0015]发明效果
[0016]根据本发明的一方式,白色光的主要的蓝色分量是460nm?500nm的光,因而发挥能够提供一种发出对人眼睛温和的白色光的光源装置这样的显著的效果。
【附图说明】
[0017]图1 (a)是表示本发明的实施方式1所涉及的光源装置的发光面的构成例的俯视图,(b)是(a)所示的AA线箭头视剖面图。
[0018]图2(a)是表示本发明的实施方式2所涉及的光源装置的发光面的构成例的俯视图,(b)是(a)所示的BB线箭头视剖面图。
[0019]图3(a)是表示本发明的实施方式3所涉及的光源装置的发光面的构成例的俯视图,(b)是(a)所示的CC线箭头视剖面图。
[0020]图4是表示本发明的实施方式4所涉及的光源装置的发光面的基板上的密封树脂的形成位置的俯视图。
[0021]图5表示在图4所示的基板上形成了密封树脂的光源装置,(a)是俯视图,(b)是(a)的DD线箭头视剖面图。
[0022]图6表示在图4所示的基板上形成了密封树脂的另一光源装置,(a)是俯视图,(b)是(a)的EE线箭头视剖面图。
[0023]图7是表示本发明的实施方式5所涉及的光源装置的发光面的构成例的俯视图。
[0024]图8是表示图7所示的光源装置和现有的光源装置中的波长与标准化强度的关系的曲线图。
[0025]图9是示出了基于芯片的波长的差别的、波长与标准化强度的关系的曲线图。
【具体实施方式】
[0026]〔实施方式1〕
[0027]对本发明的一实施方式说明如下。
[0028](光源装置的基本构成)
[0029]图1 (a)是表示本实施方式所涉及的光源装置10的一构成例的俯视图,图1 (b)是图1(a)的AA线箭头视剖面图。
[0030]如图1(a)所示,光源装置10具备基板101、第1LED芯片102(第1发光二极管)、含荧光体树脂层(含荧光体密封树脂)104、堤坝环(dam ring) 105 (树脂性框)。
[0031]基板101是由陶瓷构成的基板。基板101具有俯视呈长方形的形状。在基板101的一方的面(以下定义为上表面),除了设置有上述的第1LED芯片102 (第1发光二极管)、含荧光体树脂层104、堤坝环105(树脂性框)以外,还形成有外部连接用的电极焊盘106、107。
[0032]电极焊盘106作为阳极电极而发挥作用,电极焊盘107作为阴极电极而发挥作用。电极焊盘106、107分别配置于基板101的上表面的由堤坝环105所包围的区域的外侧且上表面的2个角附近。电极焊盘106、107的表面露出,能够与外部端子连接。
[0033]第1LED芯片102分别由蓝色发光二极管构成,与未图不的布线电连接,该布线与电极焊盘106、107连接。由此,电极焊盘106、107经由第1LED芯片102而连接,使得该第1LED芯片102能够发光。关于第1LED芯片102的详细内容在后面叙述。
[0034]如图1 (b)所示,含荧光体树脂层104是由含有绿色荧光体104a(2价的铕激活的β型SiAlON)以及红色荧光体104b(SrxCalxAlSiN3:Eu2+)的树脂构成的密封树脂层。含荧光体树脂层104被填充到由堤坝环105所包围的区域,形成为对配置于该区域的第1LED芯片102进行填埋。S卩,含荧光体树脂层104将第1LED芯片102 —并进行密封。
[0035]另外,作为绿色荧光体104a、红色荧光体104b,并不限定于上述的荧光体,也可以是以下所示的荧光体,优选鉴于荧光体的激励特性来选择在光源装置中使用的LED芯片和荧光体的组合使得成为最佳的条件。另外,也可以不利用绿色荧光体或者红色荧光体中的一方,或者也可以将各荧光体同时利用多个。
[0036](绿色荧光体104a)
[0037](1)由EuaSibAlWdNe实质性地表示的作为β型SiAlON的2价的铕激活氧氮化物荧光体。
[0038](2)由MI3 xCexMII5012表示、MI是从Lu、Y、La以及Gd中选择的至少1种元素、MII是从Al、Ga中选择的至少1种元素的、石榴石型的3价的铈激活氧化物荧光体。
[0039](3)由MIII2 xEuxSi04表示、Mill是从Mg、Ca、Sr以及Ba中选择的至少1种元素的、2价的铕激活硅酸盐荧光体。
[0040](4)由MIII3分31¥與3012实质性地表示、MIII是从Mg、Ca、Sr以及Ba中选择的至少 1 种元素、]\0¥是从1^、恥、1(、08、诎、]\%、0&、8&、厶1、6&、111、5。、¥、1^、6(1 以及 Lu 中选择的至少1种元素的、3价的铈激活硅酸盐荧光体。
[0041](5)由MI3 xCexSi6Nn表示、是从Lu、Y、La以及Gd中选择的至少1种元素的、3价的铺激活氮化物荧光体。
[0042](红色荧光体104b)
[0043](1)由Mill! xEuxMVSiN3表示、Mill是从Mg、Ca、Sr以及Ba中选择的至少1种元素、MV是从Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd以及Lu中选择的至少1种元素的、2价的铕激活氮化物荧光体。
[0044](2)由MIII2 xEuxSi5Ns表示、MIII是从Mg、Ca、Sr以及Ba中选择的至少1种元素的、2价的铕激活氮化物荧光体。
[0045](3)由 EUfMVIgSihAlANk实质性地表示、MVI 是从 L1、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La以及Gd中选择的至少1种元素的、作为α型SiAlON的2价的铕激活氧氮化物荧光体。
[0046](4)由 MVIIjMVIIIi xMnx)F6表示、MVII 是从 L1、Na、K、Rb 以及 Cs 中选择的至少 1种元素、MVIII是从Ge、S1、Sn、Ti以及Zr中选择的至少1种元素的、4价的锰激活氟化金属盐焚光体。
[0047]堤坝环105是对上述的含荧光体树脂层104进行规定的构件。S卩,堤坝环105作为用于防止含荧光体树脂层104的形成时的树脂泄漏的堤坝(拦截构件)而发挥作用。
[0048](LED芯片的构成)
[0049]第1LED芯片102是峰值波长为460nm?500nm的范围的蓝色发光二极管(470nm芯片)。在本实施方式中,不使用峰值波长为415nm?460nm的范围的蓝色发光二极管(450nm 芯片)。
[0050]g卩,第1LED芯片102的峰值波长在460nm?500nm的范围内。而且,该第1LED芯片102发光而得到的蓝色光用于白色光的形成。S卩,第1LED芯片102发光而得到的蓝色光成为从光源装置10射出的白色光的蓝色分量。
[0051]另一方面,第1LED芯片102发光而得到的蓝色光分别激励上述的含荧光体树脂层104所包含的绿色荧光体104a、红色荧光体104b,而成为绿色光、红色光。S卩,第1LED芯片102发光而得到的蓝色光通过荧光体的激励以及发光,从而也成为从光源装置10射出的白色光的红色分量、绿色分量。
[0052]在此,第1LED芯片102的峰值波长的范围的下限值(临界值)
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