、漏极区、漏极区和源极区的第二关注区域417，仅存在位于第一源极区309、第一漏极区311、第二源极区313以及第二漏极区315上的一个通孔(例如，第四单元411中的第一通孔329)。如此，第二掩模层702的第一个放置在第四单元411中的第一通孔329上。
[0106]参见图7G，其示出具有四个漏极区的第二关注区域417，不存在位于第一源极区309、第一漏极区311、第二源极区313以及第二漏极区315上的通孔。如此，在图7G中，第二掩模层702不放置在任何通孔上方。
[0107]一旦第一掩模层701和第二掩模层702已经放置在其相应的结构上(如上所述)，使用第三掩模层703确定哪个结构应该在后布局处理215中进一步处理。在实施例中，可以将第三掩模层703成形为具有第三长度匕的正方形，其足以指示密切相关的通孔彼此相互作用。在实施例中，第三长度L3可以介于约70nm和约90nm之间，诸如约82nm。然而，可以可选地使用任何其他合适的长度。
[0108]然后，可以将第三掩模层703放置在先前放置的部分第一掩模层701或部分第二掩模层702中的一个的上方。在图7A至图7G中描述的实施例中，放置第三掩模层703从而使得位于导电单元边界上的第一掩模层701位于第三掩模层703的中心内。然而，可以可选地使用任何合适的布置。
[0109]—旦就位，实施分析以便确定第一掩模层701和第二掩模层702中的哪一个位于第三掩模层703内。将进一步分析共同位于第三掩模层703内的那些。换句话说，如果存在两个或更多个第一掩模层701或第二掩模层702，那么将进一步一起分析那些结构。在工艺中将不进一步分析未位于第三掩模层703内的那些。
[0110]在第二步骤1502中，实施分析以识别先前由第一掩模层701覆盖并且也具有到达电源轨323或接地轨325的替代布线的那些通孔。在实施例中，每个由第一掩模层701覆盖的通孔可以朝着第一金属零连接件件335或第二金属零连接件件337扩展第一距离Dp在实施例中，选择第一距离Di从而使得不存在来自实施后布局处理215的有害作用，诸如通过小于约50nm，诸如约30nm，但是可以可选地选择任何合适的距离。如果由第一掩模层701覆盖的扩展通孔延伸至第一金属零连接件件335或者第二金属零连接件件337，则存在到达电源轨323或接地轨325的替代布线，并且通孔是多余的。
[0111]例如，参见图7B(由于图7A不具有第一掩模层701部分)，分析图7B中的第一掩模层701以确定其是否在第一距离Dift。虽然第一单元行401的宽度至少部分取决于整体设计，其随着减小技术不断缩小，并且在一些例子中可以介于约300nm至约500nm之间，在其中第一单元行401的宽度为360nm的实施例中，第一掩模层701可以位于远离第三单元409的第二金属零连接件337和第四单元411的第一金属零连接件335的47nm处。如此，如以下参照图13A至图13G进一步描述的，可以去除图7B中的第一掩模层701。参照图7C至图7F，实施相似的分析并且分析在第一单元301、第二单元405、第三单元409以及第四单元411中的第一金属零连接件335或第二金属零连接件337中的一个的第一距离Di内的第一掩模层701的那些部分以确定是否可以去除它们。
[0112]然而，在图7G中，第一掩模层701的部分不位于第一单元301、第二单元405、第三单元409以及第四单元411中的第一金属零连接件335或第二金属零连接件337中的一个的第一距离Dift。具体地，当第二关注区域417内存在四个漏极区时，第一单元301、第二单元405、第三单元409以及第四单元411中的所有第一金属零连接件335或第二金属零连接件337的位置都比第一距离Di远。如此，不选择去除第一掩模层701的部分。
[0113]图8A至图8G示出第三步骤1503，其中识别可能与由第二掩模层702覆盖的通孔合并的由第一掩模层701覆盖的通孔。在实施例中，每个由第二掩模层702覆盖的通孔均扩展以形成禁区801。例如，在图8E中示出的实施例中，第一单元301中的第一通孔329和第二单元405中的第二通孔331扩展以形成禁区801。
[0114]在实施例中，第一单元301中的第一通孔329和第二单元405中的第二通孔331可以水平地扩展(例如，在与第一单元行401平行的第一方向803上)第二距离D2，改变第二距离D2的距离以指示由第一掩模层701覆盖的通孔和由第二掩模层702覆盖的通孔之间的相互作用。在其中第二掩模层702的部分之间存在63nm间距的实施例中，第一单元301中的第一通孔329和第二单元405中的第二通孔331可以水平地扩展介于约40nm和约50nm之间的第二距离D2，诸如约43nm。可选地，在其中由第二掩模层702覆盖的通孔之间存在66nm间距的实施例中，第二距离02可以是约46nm。
[0115]另外，第一单元301中的第一通孔329和第二单元405中的第二通孔331可以垂直地扩展(例如，在垂直于第一单元行401的第二方向805上)第三距离D3。在实施例中，可以将第三距离队设定为垂直方向上的通孔之间的距离的二分之一。例如，在图8E中示出的实施例中，其中第二单元405中的第二通孔331和第四单元411的第一通孔329彼此分离2nm，可以将第三距离D3设定为lnm。如此，虽然将通过初始设计和布置至少部分地设定第三距离D3，但是在一些实施例中，第三距离D3可以介于约Onm和约5nm之间，诸如约lnm。然而，可以使用任何合适的距离以形成禁区801。
[0116]继续图8E中示出的实施例，一旦由第一单元301中的第一通孔329和第二单元405中的第二通孔331的扩展产生禁区，识别保留在禁区外部的被第一掩模层701识别的那些通孔用于进一步的合并。在图8E中示出的实施例中，识别来自第三单元409中的第三通孔332和第四单元411中的第四通孔333的合并通孔。
[0117]另外，在图8G的实施例中，不存在被第二掩模层702识别的通孔。如此，被第一掩模层701识别的通孔位于任何禁区801的外部(因为不存在禁区801)。另外，选择被第一掩模层701识别的通孔用于合并。
[0118]遵循图8F中示出的实施例中的相似工序，只有来自第一单元301中的第四通孔333和第二单元405中的第三通孔332的合并通孔被识别为处于由第四单元411中的第一通孔329的扩展产生的禁区801的外部。第三单元409中的第三通孔332上方的第一掩模层701被禁区801接触并且未被识别为处于禁区801的外部。另外，在图8A中示出的实施例中，不存在被第一掩模层701识别的通孔。在图8B至图8D中示出的实施例的剩余部分中，所有的通孔都位于产生的禁区内，并且如此不选择这些通孔用于合并。例如，在图8B中示出的实施例中，其中第一单元301中的第四通孔333上的第一掩模层701的位置只离第二单元405中的第二通孔33111.5nm(对于其中在第二掩模层702的部分之间存在63nm间距的实施例)或13nm(其中在第二掩模层702的部分之间存在66nm间距)，禁区801建立与第一掩模层701的接触并且如此，不选择这些通孔用于合并。
[0119]一旦已经识别通孔，此时禁区801已经完成其目的。如此，在实施例中，从整体设计去除禁区801。用于形成禁区801的通孔恢复至其初始尺寸。
[0120]图9A至图9G示出工艺中的第四步骤1504，其中被第三步骤1403识别的那些通孔(以上描述)在与第一单元行401平行的第一方向803上扩展以形成第一扩展区901。参照图9G示出的实施例，在该步骤中每个在第三步骤1403中识别的通孔(例如，来自第二单元405中的第三通孔332和第一单元301中的第四通孔333的合并通孔以及来自第三单元409中的第三通孔332和第四单元411中的第四通孔333的合并通孔)均在与第一单元行401平行的第一方向803上扩展介于约25nm和约35nm之间的第四距离D4，诸如约31.5nm。
[0121]例如，在实施例中，第四距离D4的尺寸可以由多晶硅(poly)的间距、通孔尺寸和位置确定。作为实例，在图9E中示出的实施例中，其中多晶硅上的通孔连接盘(例如，第三单元409中的合并的第三通孔332和第四单元411中的第四通孔333)位于第四单元411中的合并的第三单元边界导体318和第三单元409中的第一单元边界导体319的中心上。在该实施例中，可以将第四距离D4设定成例如第三单元409中的第一单元边界导体319和第三单元409中的栅电极317之间的间距的二分之一。如此，在其中两个多晶硅区之间的间距是63nm的实施例中，可以将第四距离D4设定成31.5nm。可选地，在其中间距是66nm的实施例中，可以将第四距离D4设定成33nm。然而，可以可选地使用任何其他合适的距离。
[0122]类似地，在图9F中示出的实施例中，来自第二单元405中的第三通孔和第一单元301中的第四通孔333的合并通孔(在第三步骤1403中识别的通孔)也在与第一单元行401平行的第一方向803上扩展以形成第一扩展区901。另外，在图9E中示出的实施例中，来自第四单元411中的第四通孔333和第三单元409中的第三通孔332的合并通孔(在第三步骤1403中识别的通孔)也在与第一单元行401平行的第一方向803上扩展第四距离D4o
[0123]图9A至图9G还示出工艺中的第五步骤1505，其中在第三步骤1403中识别的那些通孔(以上描述)也在与第一方向803相反并且与第一单元行401平行的第三方向906上扩展以形成第二扩展区904。参照图9G中示出的实施例，在该步骤中每个在第三步骤1403中识别的通孔(例如，来自第一单元301中的第四通孔333和第二单元405中的第三通孔332的合并通孔以及来自第三单元409中的第三通孔332和第四单元411中的第四通孔333的合并通孔)均在与第一方向803相反并且与第一单元行401平行的第三方向906上扩展介于约25nm和约35nm之间的第五距离D5，诸如约31.5nm。然而，可以可选地使用任何合适的距离。
[0124]类似地，在图9F中示出的实施例中，来自第二单元405中的第三通孔332和第一单元301中的第四通孔333的合并通孔(第三步骤1403中识别的通孔)也在与第一方向803相反并且与第一单元行401平行的第三方向906上扩展第五距离D5以形成第二扩展区904。另外，在图9E中示出的实施例中，来自第三单元409中的第三通孔332和第四单元411中的第四通孔333的合并通孔(在第三步骤1403中识别的通孔)在与第一方向803相反并且与第一单元行401平行的第三方向906上扩展第五距离D5。
[0125]图10A至图10G示出第六步骤1506，其中由第二掩模层702覆盖的通孔连接盘在与第一单元行401垂直的第二方向805上延伸以形成第三扩展区907并且在第七步骤1507中，也在与第二方向805相反并且与第一单元行401垂直的第四方向905上延伸以形成第四扩展区909。参照图10A中示出的实施例，每个被第二掩模层702识别的通孔(例如，第一单元301中的第一通孔329、第二单元405中的第二通孔331、第三单元409中的第二通孔331以及第四单元411中的第一通孔329)在第二方向805上扩展介于约15nm和约25nm之间的第六距离D6，诸如约21nm。类似地，第一单元301中的第一通孔329、第二单元405中的第二通孔331、第三单元409中的第二通孔331以及第四单元411中的第一通孔329也在第四方向905上扩展介于约15nm和约25nm之间的第七距离D7，诸如约21nm。然而，可以可选地使用任何合适的距离。
[0126]参照图10B，第二单元405中的第二通孔331，第三单元409中的第二通孔331以及第四单元411中的第一通孔329 (被第二掩模层702识别的那些通孔)也在第二方向805和第四方向905上扩展。参照图10C，第二单元405中的第二通孔331和第三单元409中的第二通孔331 (被第二掩模层702识别的那些通孔)也在第二方向805和第四方向905上扩展。参照图10D，第二单元405中的第二通孔331和第四单元411中的第一通孔329(被第二掩模层702识别的那些通孔)也在第二方向805和第四方向905上扩展。参照图10E，第一单元301中的第一通孔329和第二单元405中的第二通孔331 (被第二掩模层702识别的那些通孔)也在第二方向805和第四方向905上扩展。最后，参照图10F，第四单元411中的第一通孔329 (被第二掩模层702识别的通孔)也在第二方向805和第四方向905上扩展。
[0127]图10A至图10G也示出工艺中的第八步骤1508，其中分析扩展的通孔之间的相互作用。例如，在图10E中示出的实施例中，分析来自第三单元409中的第三通孔332和第四单元411中的第四通孔333的合并通孔(其已经在第一方向803和第三方向906上扩展)以确定其是否与被第二掩模层702识别的并且在第六步骤1506或第七步骤1507中扩展的任何通孔相互作用。在实施例中，通过确定来自第三单元409中的第三通孔332和第四单元411中的第四通孔333的扩展的合并通孔是否与第一单元301中的扩展的第一通孔329或第二单元405中的扩展的第二通孔331重叠可以观察到相互作用。换句话说，如果扩展区(例如第一扩展区901、第二扩展区904、第三扩展区907、或者第四扩展区909)中的任一个重叠，通孔相互作用。
[0128]在实施例中，第八步骤1508可以分成若干子步骤。例如，在第一子步骤中，分析第四步骤1504的扩展物(例如，第一扩展区901)以确定其是否与第六步骤1506的扩展物(例如，第三扩展区907)相互作用。另外，分析来自第四步骤1504的扩展物(例如，第一扩展区901)以确定其是否与来自第七步骤1507的扩展物(例如，第四扩展区909)相互作用。
[0129]在第二子步骤中，分析第五步骤1505的扩展物(例如，第二扩展区903)以确定其是否与第六步骤1506的扩展物(例如，第三扩展区907)相互作用(例如，重叠)。类似地，分析第五步骤1505中的扩展物(例如，第二扩展区903)以确定其是否与第七步骤1507的扩展物(例如，第四扩展区909)相互作用。
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