光结构120的上表面的平面图，图8B是与图8A的线B_B对应的部分的剖视图。参照图8A和图8B，可以通过部分地去除发光结构120来形成第二电极130的暴露的部分，尤其是，形成暴露覆盖层133的区域120a。此外，还可以执行在通过将生长基底110从发光结构120分离而暴露的表面上形成粗糙度121a的步骤。
[0073]可以通过光刻工艺来形成暴露覆盖层133的区域120a。同时，在第一导电类型半导体层121的上表面上形成粗糙度121a的步骤可以包括执行湿蚀刻和/或干蚀刻，并且可以使用例如光增强化学(PEC)蚀刻。
[0074]如上所述，在暴露第二电极130的部分中，没有暴露反射层131而仅暴露了覆盖层133。因此，可以防止由于扩散导致的反射层131的反射特性的劣化。
[0075]参照图9，在暴露反射金属层130的区域120a上形成第二电极焊盘180。第二电极焊盘180可以利用沉积和剥离技术来形成，并且可以接触反射金属层130以电连接到反射金属层130。通过这样来做，可以提供如图9中所示的发光二极管100。
[0076]图10是用来描述根据本公开的一些示例性实施例的发光装置和制造其的方法的剖视图。
[0077]可以通过准备发光二极管、将发光二极管100安装在基底210上、然后形成与发光二极管100分隔开的波长转换单元240来提供发光装置。在下文中，将在下面描述每个组件或元件以及制作方法。
[0078]发光装置包括基底210、发光二极管100和波长转换单元240。此外，发光装置还可以包括反射器220、包封单元230和引线260。
[0079]基底210可以用作其上可以安装发光二极管100的支撑板，并且还可以用以将外部电源连接到发光二极管100。例如，基底210可以包括第一引线211和第二引线213，并且还可以包括设置在第一引线211和第二引线213之间以使它们之间绝缘的绝缘部件215。
[0080]第一引线211和第二引线213可以彼此分隔开，并且可以具有不同极性而连接到外部电源。因此，第一引线211和第二引线213可以包括具有导电性和优异的导热性的材料，并且可以包括例如Al、Ag、Cu、Ni等。
[0081]反射器220可以设置在基底210上并且还可以包括腔，其中，所述腔沿着基底210的外部边缘设置，以暴露第一引线211和第二引线213中的至少一条引线。反射器220的内侧可以是倾斜的，所述内侧的斜率相对于基底210的上表面可以在30°到60°的范围。
[0082]反射器220用以反射从发光二极管100发射的光，以改善发光装置的发光效率，因此反射器220可以包括相对于所发射的光具有高反射率的材料。例如，反射器220可以包括如EMC的高反射聚合物、高反射陶瓷材料以及如A1和Ag的高反射金属材料中的至少一种材料。
[0083]同时，可以一体地形成基底210和反射器220。例如，还可以基于壳体方案来形成基底210和反射器220。S卩，可以按如下形式来提供基底210和反射器220:通过形成壳体来提供由反射器220和基底210形成的基础基底，其中，所述壳体具有腔，所述腔设置在所述壳体的上部，并且通过所述腔暴露第一引线和第二引线。
[0084]然而，根据本公开的示例性实施例的基底210和反射器220不限于此，也可以是其它实施方式。
[0085]发光二极管100可以是与根据图1至图9的实施例的发光二极管100相同的发光二极管。因此，发光二极管100包括基本覆盖其下表面的第一电极150和设置在其上部的第二电极焊盘180。
[0086]发光二极管100安装在基底210上，第一电极150可以电连接到第一引线211，第二电极焊盘180可以电连接到第二引线213。具体地，发光二极管100可以设置在第一引线211上，从而第一电极150和第一引线211可以通过接触而电连接。此外，第二电极焊盘180可以通过引线260电连接到第二引线213。
[0087]此外，可以通过接合层250将发光二极管100安装在第一引线150上。只要接合层250能够将发光二极管100和第一引线150之间接合，可以使用任何层作为接合层250。例如，接合层250可以包括焊料、导电粘合剂或共晶接合的AuSn。具体地，当接合层250包括焊料或共晶接合的AuSn时，可以更有效地辐射在驱动发光二极管时产生的热。
[0088]如参照图1至图9所述，发光二极管100包括半极性或非极性的发光结构120，并且具有包括至少一个槽127的垂直发光二极管形式。发光二极管100在驱动发光二极管时具有相对减少的效率下降和减少的热产生。此外，根据本公开的示例性实施例，发光二极管100安装在第一引线211上，并且形成在发光二极管100的整个表面之上的第一电极150接触第一引线211，从而在驱动发光二极管时使散热效率优异。因此，即使在高电流下，也可以驱动包括发光二极管100的根据本公开的示例性实施例的发光装置。例如，可以在等于或大于350mA/mm2的电流密度下驱动发光装置。因此，在发光装置发射高功率光的同时，可以防止发光装置由于热产生而引起的缺陷和损坏。
[0089]波长转换单兀240设置在发光二极管100上，并且与发光二极管100分隔开。此夕卜，波长转换单元240可以包括多层结构。
[0090]波长转换单元240可以包括各种磷光体。在下文中，将参照图12A至图12E来描述根据本公开的各个示例性实施例的波长转换单元240。
[0091 ] 参照图12A波长转换单元240可以包括红色磷光体R和青色磷光体C。红色磷光体R和青色磷光体C浸于树脂中从而可以不规则地设置。树脂可以包括诸如环氧树脂和丙烯酸树脂的聚合物树脂或者硅树脂，并且可以用作使磷光体分散的基质。红色磷光体R和青色磷光体C可以包括对于本领域技术人员而言众所周知的各种磷光体，并且可以包括石榴石类磷光体、铝酸盐磷光体、硫化物磷光体、氮氧化物磷光体、氮化物磷光体、氟化物基磷光体和硅酸盐磷光体中的至少一种。例如，红色磷光体R可以包括CaAlSiN3: Eu2+，青色磷光体C可以包括M2MgSi207:Eu2+(M =从Ba、Sr和Ca中选择的至少一种)。然而，本公开不限于此。
[0092]红色磷光体R和青色磷光体C各自将从发光二极管100发射的紫外光波长转换为红基色光和青基色光，以使发光装置能够发射白光。
[0093]除了 CaAlSiN3:Eu2+磷光体之外，红色磷光体还可以包括例如SrAlSi 407:Eu2+、M2Si5N8:Eu2+ (Μ =从 Ba、Sr 和 Ca 中选择的至少一种)、MSiN2:Eu2+ (Μ =从 Ba、Sr 和 Ca 中选择的至少一种)、MSi202N2:Yb2+(M =从Ba、Sr和Ca中选择的至少一种)、Y202S:Eu3+Sm3+、La202S:Eu3+Sm3+、Caff04:Li1+Eu3+Sm3\ M2SiS4:Eu2+ (M =从 Ba、Sr 和 Ca 中选择的至少一种)、LaCu02。:Eu3+Ba2+等。
[0094]除了 M2MgSi207:Eu2+(M =从Ba、Sr和Ca中选择的至少一种)之外，青色磷光体还可以使用例如将Eu2+用作发光中心的诸如SrSi 5A102N7:Eu2\ BaSi202N2:Eu2+、BaAl204:Eu2+、BaZrSi309:Eu2\ M2Si04:Eu2+ (M =从 Ba、Sr 和 Ca 中选择的至少一种)、M2SiS4:Eu2+(Μ =从Ba、Sr和Ca中选择的至少一种)的磷光体。此外，青色磷光体可以包括CaSi12 {ηι+η)Α1{ηι+η)0nN16 n:Ce3+等。
[0095]参照图12B，波长转换单元240可以包括包含红色磷光体R的第一磷光体层241以及设置在第一磷光体层241上并且包括青色磷光体C的第二磷光体层242。
[0096]在磷光体层241和242中的每个磷光体层中，红色磷光体R和青色磷光体C浸于树脂中从而可以不规则地设置。从发光二极管发射的紫外光被第一磷光体层241转换成红基色光，并且被第二磷光体层242转换成青基色光。红基色光的波长比青基色光的波长要长，从而可以防止被第一磷光体层241转换后的光被第二磷光体层242再次转换。因此，能够防止波长转换单元240内产生不需要的波长转换。
[0097]此外，将波长转换单元240形成为具有包括第一磷光体层241和第二磷光体层242的多层，从而解决了由于从发光二极管100发射的光的偏振特性而引起的光的均匀性的问题。详细地描述，从发光二极管100发射的光由于如上所述的发光结构120的半极性或非极性的特性而具有偏振特性。根据本公开的示例性实施例，偏振光首先被第一磷光体层241波长转换，其次被设置在第一磷光体层241上的第二磷光体层242波长转换，从而能够防止根据偏振特性而变化的反射率导致所发射的光不均匀。
[0098]参照图12C，波长转换单元240大体上与图12B的情况类似，但与图12B的不同在于第一磷光体层241a包括多个凸起和多个凹陷。第一磷光体层241a包括凸起和凹陷，以防止光在第一磷光体层241a和第二磷光体层242a之间的界面处被散射和反射。因此，可以改善发光装置的发光效率。
[0099]参照图12D，波长转换单元240可以包括红色磷光体R、绿色磷光体G和蓝色磷光体B。红色磷光体R、绿色磷光体G和蓝色磷光体B浸于树脂中从而可以不规则地设置。树脂可以包括如环氧树脂或丙烯酸树脂的聚合物树脂或者硅树脂，并且可以用作使磷光体分散的基质。红色磷光体R、绿色磷光体G和蓝色磷光体B可以包括对于本领域技术人员而言众所周知的各种磷光体，并且可以包括例如石榴石类磷光体、铝酸盐磷光体、硫化物磷光体、氮氧化物磷光体、氮化物磷光体、氟化物基磷光体和硅酸盐磷光体中的至少一种。然而，本公开不限于此。
[0100]红色磷光体R、绿色磷光体G和蓝色磷光体B各自将从发光二极管100发射的紫