层250，以使电极层290的第二电极区域294透过对应凹穴262以及连接到对应凹穴262的图案化镜面层265而电性连接至接触层250。介电反射层260覆盖未与凹穴262连接的至少部分图案化镜面层265。换句话说，除了连接到凹穴262的部分图案化镜面层265以外，介电反射层260覆盖大部分的图案化镜面层265，以使第二电极区域294可以透过对应凹穴262电性连接到图案化镜面层 265。
[0039]—般来说，从发光二极管结构200的俯视方向看，介电反射层260以小于或等于60%的覆盖率连接接触层250及第一型掺杂层220。在本实施例中，从发光二极管结构200的俯视方向看，介电反射层260是以小于或等于30%的覆盖率连接接触层250及第一型掺杂层220。图案化镜面层265的材质可以是导电材质，其可包括选自银(Ag)、铝(A1)、金(Au)、铑(Rh)、钯(Pd)、铜(Cu)、络(Cr)、钛(Ti)、铀(Pt)等元素之一或其任意组合。因此，连接至接触层250及第二电极区域294的图案化镜面层265可用以增强发光二极管结构200的电性效能并帮助反射主动层230所发出的光。此外，图案化镜面层265也可用以控制介电反射层260的覆盖率。也就是说，介电反射层260的覆盖率可以被图案化镜面层265的分布所控制。
[0040]从图5的发光二极管结构200的俯视图可以看出电极层290包括第一电极区域292和第二电极区域294，其中沟槽296用以分隔并电性绝缘第一电极区域292和第二电极区域294，因此发光二极管结构200可以用覆晶的方式透过第一电极区域292和第二电极区域294电性连接至电路板。
[0041]此外，使第二电极区域294电性连接到接触层250的凹穴262的其中之一，与使导电层270连接到第一型掺杂层220的开孔222的其中之一为紧邻配置。并且，使第二电极区域294电性连接到接触层250的部分凹穴262，与使导电层250连接到第一型掺杂层220的部分开孔222可交错配置。
[0042]综上所述，本发明的发光二极管结构使用介电反射层来作为反射层，用以反射主动层所发出的光，并且，从发光二极管结构的俯视方向看，介电反射层以小于或等于60%的覆盖率连接到接触层和第一型掺杂层，使其不仅可增强发光二极管结构的发光强度，更可同时维持发光二极管的顺向电压在一可接受的范围。
[0043]此外，一图案化镜面层更可以配置在接触层及介电反射层之间，以连接接触层和第二电极区域。介电反射层覆盖至少部分图案化镜面层。图案化镜面层的材质可以是导电材质，使图案化镜面层可用以增强发光二极管结构的电性效能并同时帮助反射自主动层发出的光。因此，本发明的发光二极管结构不仅增强其发光强度，同时也提供了优异的电性效會泛。
[0044]本说明书中所述的实施例或其任意组合均属本发明，虽然本发明揭露上述实施例，但实施例并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有常识的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当以权利要求所界定的范围为准。
【主权项】
1.一种发光二极管结构，包括: 堆栈半导体层，包括: 第一型掺杂层； 第二型掺杂层；以及 主动层，配置于所述第一型掺杂层及所述第二型掺杂层之间，多个开孔穿入所述第一型掺杂层、主动层及第二型掺杂层； 接触层，配置于所述第二型掺杂层上；以及 介电反射层，从所述发光二极管结构的俯视方向看，所述介电反射层以小于或等于60%的覆盖率连接所述接触层及所述第一型掺杂层。2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括电极层，其配置于所述介电反射层上，所述电极层包括第一电极区域及第二电极区域，且所述第一电极区域及第二电极区域通过一沟槽彼此分隔。3.根据权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括多个凹穴配置在所述堆栈半导体层上，且所述发光二极管结构的上表面具有与所述凹穴对应的凹口。4.根据权利要求3所述的发光二极管结构，其特征在于，所述电极层的第二电极区域经由至少部分所述多个凹穴电性连接至所述接触层。5.根据权利要求4所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括图案化镜面层，其配置在所述接触层上，所述图案化镜面层连接至少部分所述多个凹穴及所述接触层，使得所述电极层的第二电极区域经由对应的凹穴以及连接对应的凹穴的所述图案化镜面层而电性连接至所述接触层。6.根据权利要求5所述的发光二极管结构，其特征在于，所述介电反射层覆盖未与所述凹穴连接的部分图案化镜面层。7.根据权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括导电层，其配置在所述介电反射层和所述电极层之间，其中所述导电层经由至少部分所述多个开孔连接至所述第一型掺杂层，且所述电极层的第一电极区域连接至部分所述导电层。8.根据权利要求7所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括绝缘层，其配置在所述电极层的第二电极区域及所述导电层之间。9.根据权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于，在所述电极层的第一电极区域未与所述导电层连接处，所述绝缘层配置在所述电极层的第一电极区域及所述导电层之间。10.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括基板，所述堆栈半导体层配置于所述基板的表面上，并暴露所述基板的部分表面而形成基板暴露区，且所述介电反射层覆盖所述基板暴露区的至少一部分。11.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述介电反射层包括低折射率层，且所述低折射率层的材质是选自二氧化硅、氟化镁、氟化钙之一或其任意组合。12.根据权利要求11所述的发光二极管结构，其特征在于，所述介电反射层是分布式布拉格反射镜并包括高折射率层，且所述高折射率层的材质是选自二氧化钛、砸化锌、氮化硅、五氧化二铌、五氧化二钽之一或其任意组合。13.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述覆盖率小于或等于30%。14.根据权利要求3所述的发光二极管结构，其特征在于，至少部分的所述多个凹穴是条状凹穴，且所述条状凹穴的延伸方向彼此平行。15.根据权利要求3所述的发光二极管结构，其特征在于，至少部分的所述多个凹穴是圆形，且所述圆形凹穴排列成阵列。16.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述接触层的材质是选自铟锡氧化物、铈锡氧化物、锑锡氧化物、铝锌氧化物、铟锌氧化物、锌氧化物、镉锡氧化物、氧化镓锌、掺锑氧化锡、掺锡氧化镓、掺锡氧化银铟、掺锌氧化铟、氧化铜铝、镧铜氧硫化合物、氧化镍、氧化铜镓、氧化锶铜、银、金、铝、钛、钯、石墨烯之一或其任意组合。17.根据权利要求4所述的发光二极管结构，其特征在于，所述电极层的第二电极区域经由所述凹穴连接接触层。18.根据权利要求3所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括导电层，其配置在所述介电反射层及所述电极层之间，其中所述导电层经由至少部分的所述多个开孔连接到所述第一型掺杂层，且所述电极层的第一电极区域经由至少部分的所述多个凹穴连接至导电层的一部分。19.根据权利要求18所述的发光二极管结构，其特征在于，使所述电极层的第一电极区域电性连接到所述接触层的凹穴的至少其中之一与使所述导电层连接到所述第一型掺杂层的开孔的至少其中之一紧邻配置。20.根据权利要求18所述的发光二极管结构，其特征在于，使所述电极层的第二电极区域电性连接到所述接触层的至少部分凹穴与使所述导电层连接到所述第一型掺杂层的至少部分开孔交错配置。
【专利摘要】本发明揭示了一种发光二极管结构，其包括一堆栈半导体层、一接触层以及一介电反射层。堆栈半导体层包括一第一型掺杂层、一第二型掺杂层以及一配置于第一型掺杂层及第二型掺杂层之间的主动层，其中多个开孔穿入第一型掺杂层、主动层及第二型掺杂层。接触层配置于第二型掺杂层上。从发光二极管结构的俯视方向看，介电反射层以小于或等于60%的覆盖率连接接触层及第一型掺杂层。
【IPC分类】H01L33/46
【公开号】CN105374920
【申请号】CN201510136259
【发明人】杨程光, 冯辉庆, 徐健彬, 余国辉, 潘锡明
【申请人】璨圆光电股份有限公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2015年3月26日
【公告号】US20160064617