即实现芯片210正装。
[0074]通过在芯片210的非功能面212形成第一粘结层214之后再粘接于载板200表面，使得所述第一粘结层214能够仅位于载板200与芯片210之间，从而能够暴露出载板200的凹槽204，不仅有利于后续形成的塑封层与载板200之间的结合，还有利于所述凹槽204释放载板200的应力。
[0075]在另一实施例中，将所述芯片的功能面与载板芯片区的第一表面固定的步骤包括:在所述载板的第一表面涂布第二粘结层；将芯片的功能面粘接于所述第二粘结层表面，并使所述芯片位于载板芯片区内。
[0076]请参考图8，在将芯片210的非功能面212与载板200芯片区201的第一表面203固定之后，在所述芯片210的功能面211表面形成凸点215 (stud bond)。
[0077]在本实施例中，所述芯片210的功能面211暴露出焊垫213，所述凸点215形成于所述焊点213表面。
[0078]所述凸点215的材料为金、银、铜、金合金、银合金或铜合金。在一实施例中，所述凸点215的形成工艺为引线键合工艺；所述引线键合工艺包括热压键合、超声波键合或热超声键合。在本实施例中，所述凸点215采用热超声键合工艺形成。在所述引线键合工艺中，所采用的劈刀为楔形或球形。
[0079]在其它实施例中，所述凸点215还能够通过电镀或沉积工艺形成导电层，并对所述导电层进行刻蚀以形成凸点215。
[0080]在本实施例中，所述凸点215包括若干堆叠的子凸点，且每一子凸点以一次引线键和工艺形成。采用引线键合工艺形成的凸点215或子凸点包括凸点本体、以及位于凸点本体表面的凸部。在本实施例中，所述劈刀为球形，所形成的凸点本体为柱状。在一实施例中，在每进行一次引线键和工艺形成子凸点之后，对所形成的子凸点进行压平。在其它实施例中，还能够不在开引线键合工艺之后进行压平。
[0081]固定于同一载板200表面的芯片210上形成的凸点215具有相同数量的子凸点。在本实施例中，固定于同一载板200表面的芯片210上形成的凸点215均具有两个堆叠子凸点。在其它实施例中，所述凸点215为单个独立凸点。
[0082]请参考图9，在所述载板200第一表面203和芯片210表面形成塑封层220，所述塑封层220暴露出所述凸点215的顶部表面。
[0083]所述塑封层220的形成步骤包括:采用塑封工艺在所述载板200第一表面203和芯片210表面形成初始塑封层，所述初始塑封层覆盖所述芯片210的功能面211和凸点215 ;平坦化所述初始塑封层，直至暴露出所述凸点215顶部为止，形成所述塑封层220。在本实施例中，所述平坦化工艺为化学机械抛光工艺(Chemical Mechanical Polishing，简称CMP);而且，所述平坦化工艺还能够去除部分所述凸点215的顶部，使所暴露出的凸点215顶部表面平坦。
[0084]在本实施例中，由于所述芯片210的非功能面212与载板200第一表面203相互固定，则所述初始塑封层覆盖所述芯片210的功能面211和凸点215。后续去除载板200之后，所述塑封层220表面能够直接暴露出芯片210的非功能面212。
[0085]在本实施例中，所述塑封层220暴露出凸点215的表面为第三表面；此外，所述塑封层220还能够包括切割道区，所述塑封层220的切割道区位于所述载板200的切割区202表面。
[0086]所述塑封层220能够为感光干膜、非感光干膜或者塑封材料膜。
[0087]在一实施例中，所述塑封层220为感光干膜；所述初始塑封层的形成工艺为真空贴膜工艺。
[0088]在另一实施中，所述塑封层220的材料为塑封材料，所述塑封材料包括环氧树脂、聚酰亚胺树脂、苯并环丁烯树脂、聚苯并恶唑树脂、聚对苯二甲酸丁二酯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯、聚烯烃、聚氨酯、聚烯烃、聚醚砜、聚酰胺、聚亚氨酯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚乙烯醇或其他合适的聚合物材料。
[0089]所述初始塑封层的形成工艺包括注塑工艺(inject1n molding)、转塑工艺(transfer molding)或丝网印刷工艺。所述注塑工艺包括:提供模具；在所述模具中填充塑封材料，使所述塑封材料包覆所述芯片210 ;对所述塑封材料进行升温固化，形成初始塑封层。
[0090]在所述升温固化的过程中，由于所述载板200切割区202的第一表面203内具有凹槽204，所述凹槽204能够抵消所述载板200和初始塑封层之间的热膨胀差异，由此释放载板200的应力。从而能够避免位于载板200第一表面203的芯片210位置发生漂移，还能够避免所述塑封层220相对于载板200发生翘曲。因此，后续形成的再布线结构与所述芯片210功能面211之间的对位更精确，使再布线结构与凸点215之间的电连接性能更优。[0091 ] 在其他实施例中，所述塑封层220的材料也可以为其他绝缘材料。
[0092]在本实施例中，由于所述载板200切割区202的第一表面203内还具有凹槽204，所形成的塑封层220还位于所述凹槽204(如图8所示)内，位于凹槽204内的部分塑封层220形成突出于塑封层220表面的凸起。
[0093]请参考图10，去除所述载板200 (如图9所示)。
[0094]在一实施例中，由于所述第一粘结层214 (如图9所示)的材料为UV胶，通过对所述第一粘结层214进行紫外光照射，能够使所述第一粘结层214的粘性降低；再将所述载板200自所述芯片210的功能面211和塑封层220的第三表面剥离。
[0095]在其它实施例中，还能够通过刻蚀工艺或化学机械抛光工艺去除所述载板200。
[0096]在去除所述载板200之后，后续形成所述再布线结构之前，还包括对所述塑封层220表面和芯片210的功能面211进行清洗，以此去除残留的第一粘结层214材料。
[0097]在本实施例中，在去除所述载板200之后，还包括去除位于所述凹槽204内的部分塑封层220形成凸起；去除所述凸起的工艺能够为抛光工艺、刻蚀工艺或等离子体处理工
Ο
[0098]后续在所述塑封层220第三表面和凸点215顶部表面形成再布线结构。以下将结合附图进行说明。
[0099]请参考图11，在所述塑封层220表面形成第一绝缘层230，所述第一绝缘层230内具有暴露出所述凸点215顶部表面的第一通孔231。
[0100]所述第一绝缘层230用于保护所述塑封层220表面。在本实施例中，所述第一通孔231暴露出所述凸点215顶部表面，所述第一通孔231能够使后续形成的再布线结构能够与凸点215电连接。
[0101]所述第一绝缘层230的形成步骤包括:在所述塑封层220第三表面和凸点215表面形成第一绝缘膜；对所述第一绝缘膜进行图形化，形成第一绝缘层230，且所述第一绝缘层230内具有第一通孔231。
[0102]在一实施例中，所述第一绝缘层230的材料为聚合物材料或无机绝缘材料；所述聚合物材料能够为绝缘树脂；所述无机绝缘材料能够为氧化娃、氮化娃、氮氧化娃中的一种或多种组合。
[0103]对所述第一绝缘膜进行图形化的工艺包括:采用涂布工艺和曝光显影工艺在第一绝缘膜表面形成图形化的光刻胶层；以所述光刻胶层刻蚀所述第一绝缘膜。
[0104]刻蚀所述第一绝缘膜的工艺为各向异性的干法刻蚀工艺；所述各向异性的干法刻蚀工艺的刻蚀气体包括ch4、chf3、ch3f中的一种或多种，偏置功率大于100瓦，偏置电压大于10伏。
[0105]在另一实施例中，第一绝缘层230的材料为光刻胶，所述第一通孔231采用光刻工艺形成。
[0106]请参考图12，在所述第一通孔231(如图11所示)内以及部分第一绝缘层230表面形成所述再布线结构232。
[0107]所述的再布线结构232的形成步骤包括:在所述第一通孔231内以及第一绝缘层230表面形成导电膜，所述导电膜填充满所述第一通孔231 ;平坦化所述导电膜；在平坦化工艺之后，在所述导电膜表面形成图形化层，所述图形化层覆盖部分导电膜；以所述图形化层为掩膜，刻蚀所述导电膜，直至暴露出第一绝缘层230面为止；在刻蚀所述导电膜之后，去除所述图形化层。
[0108]在本实施例中，所述第一通孔231暴露出凸点215，则形成于所述第一通孔231内的再布线结构232能够与所述凸点215电连接。
[0109]所述导电膜的材料包括铜、钨、铝、钛、钽、氮化钛、氮化钽、银中的一种或多种；刻蚀所述导电膜的工艺为各向异性的干法刻蚀工艺或者湿法工艺；所述图形化层能够为图形化的光刻胶层，还能够为图形化的硬掩膜，所述硬掩膜的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或的多种；所述平坦化工艺能够为化学机械抛光工艺。
[0110]所述再布线结构232能够为单层结构或多层结构，所述单层结构或多层结构的再布线结构232用于实现特定的电路功能。在本实施例中，所述再布线结构232为单层结构。在其它实施例中，所述再布线结构能够包括多层布线层，且相邻两层布线层之间以绝缘层电隔离。
[0111]在另一实施例中，所述再布线结构直接形成于塑封层表面和所述凸点的顶部表面。
[0112]请参考图13，在所述再布线结构232