[0037]在一些实施例中，所述第二子电介质105层的厚度为200埃米。
[0038]在一些实施例中，所述第三子电介质层107的厚度为1200埃米至1600埃米。
[0039]具体说明的是，在现有的形成碳基底连接层的方法中，形成的第一子电介质层和第三子电介质层的厚度是一样的，都为900埃米;在本发明实施例中，所述第三子电介质层107的厚度大于所述第一子电介质层103的厚度，因为本发明实施例中的方法为了有效地去除掉掩膜层，后期需要对所述第三子电介质层107进行第二次刻蚀。
[0040]参考图2，所述形成碳基底连接层的方法还包括:以所述掩膜层109为掩膜刻蚀部分所述电介质层110形成第一沟槽210。
[0041 ]其中，所述第一沟槽210的底部为剩余的所述电介质层110，剩余的所述电介质层110覆盖所述碳基底101。
[0042]在一些实施例中，所述第一沟槽210贯穿所述第三子电介质层107和所述第二子电介质层105并且嵌入所述第一子电介质层103。
[0043]需要说明的是，在本发明实施例中，所谓“嵌入”是指沟槽的底部位于该介质层中。
[0044]在一些实施例中，所述第一沟槽210的底部与所述碳基板101之间的距离为300埃米至500埃米。
[0045]在一些实施例中，刻蚀方法包括干法刻蚀(dry etch)。
[0046]参考图3，所述形成碳基底连接层的方法还包括:进行灰化去除残留的所述掩膜层和湿法清洗。
[0047]具体说明的是，因为形成所述第一沟槽210后，所述碳基底101仍被所述第一子电介质层103覆盖，所以使用灰化工艺不会使气体，比如氧气、氩气等，接触到所述碳基底101，这样所述碳基底101就不会和所述气体发生反应，从而可以很好地保留所述碳基底101。
[0048]其中，湿法清洗可以使用本技术领域内常用的溶剂进行，本发明实施例不对所述溶剂做限定。需要说明的是，进行这一步湿法清洗的目的至少包括:去除在上述工艺流程中形成的聚合物。
[0049]需要说明的是，在部分刻蚀所述电介质层110以形成所述第一沟槽210后，所述电介质层110仍然覆盖所述碳基底101，这样可以使用灰化工艺去除残留的所述掩膜层109。使用这一方法可以有效地去除掉残留的所述掩膜层109。然后使用湿法清洗以去除灰化过程中生成的所述聚合物以避免所述聚合物附在残留的所述掩膜层109的表面。
[0050]参考图4，所述形成碳基底连接层的方法还包括:刻蚀所述第一沟槽210底部剩余的所述电介质层110和部分所述碳基底101以形成第二沟槽420，所述第二沟槽420贯穿所述电介质层110并且嵌入所述碳基底101。
[0051]具体说明的是，刻蚀所述第一沟槽210底部剩余的所述电介质层110和部分所述碳基底101以形成第二沟槽420的目的至少包括:使所述第二沟槽420的底部表面不会有残留的所述掩膜层109和所述聚合物。
[0052]在一些实施例中，所述形成碳基底连接层的方法还包括:刻蚀部分所述第三子电介质层107，使得所述第三子电介质层107的厚度和所述第一子电介质层103的厚度相同。
[0053]其中，刻蚀部分所述第三子电介质层107是由所述第三子电介质层107的远离所述第二子电介质层105的表面开始，向与所述第二子电介质层105接触的表面进行刻蚀。
[0054]具体说明的是，由于进行灰化去除残留的所述掩膜层109和湿法清洗后，所述第三子电介质层107的远离所述第二子电介质层105的表面会有残留的所述掩膜层109和所述聚合物，所以由所述第三子电介质层107的远离所述第二子电介质层105的表面开始向与所述第二子电介质层105接触的表面对所述第三子电介质层107进行部分刻蚀，这样可以刻蚀掉表面有残留物质的所述第三子电介质层107，使得留下的所述第三子电介质层107的表面没有残留的所述掩膜层109和所述聚合物。
[0055]在一些实施例中，所述形成碳基底连接层的方法还包括:刻蚀部分所述第三子电介质层107形成厚度为900埃米的所述第三子电介质层107。
[0056]需要说明的是，形成所述第二沟槽420和刻蚀部分所述第三子电介质层107可以进一步地有效去除残留的所述掩膜层109和所述聚合物。
[0057]在一些实施例中，形成所述第二沟槽420后，所述形成碳基底连接层的方法还包括:使用有机溶剂ST-44进行湿法清洗。由于在先前的步骤中采用了湿法清洗去除聚合物，且刻蚀部分所述第三子电介质层107可以去除剩余的聚合物，因此此处使用有机溶剂ST-44可以有很好的清洗效果。
[0058]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种形成碳基底连接层的方法，其特征在于，包括: 提供碳基底； 在所述碳基底上形成电介质层； 在所述电介质层上形成掩膜层； 以所述掩膜层为掩膜刻蚀部分所述电介质层形成第一沟槽，其中，所述第一沟槽的底部为剩余的所述电介质层，剩余的所述电介质层覆盖所述碳基底；以及 进行掩膜层灰化和湿法清洗。2.如权利要求1所述的形成碳基底连接层的方法，其特征在于，在所述碳基底上形成所述电介质层包括: 在所述碳基底上形成第一子电介质层； 在所述第一子电介质层上形成第二子电介质层；以及 在所述第二子电介质层上形成第三子电介质层，其中，所述第三子电介质层的厚度大于所述第一子电介质层的厚度。3.如权利要求2所述的形成碳基底连接层的方法，其特征在于，所述第一子电介质层的厚度为900埃米，所述第三子电介质层的厚度为1200埃米至1600埃米。4.如权利要求2所述的形成碳基底连接层的方法，其特征在于，所述第一沟槽贯穿所述第三子电介质层和所述第二子电介质层并且嵌入所述第一子电介质层。5.如权利要求2所述的形成碳基底连接层的方法，其特征在于，还包括:刻蚀部分所述第三子电介质层，使得所述第三子电介质层的厚度和所述第一子电介质层的厚度相同。6.如权利要求4所述的形成碳基底连接层的方法，其特征在于，所述第一沟槽的底部与所述碳基板之间的距离为300埃米至500埃米。7.如权利要求6所述的形成碳基底连接层的方法，其特征在于，刻蚀部分所述第三子电介质层包括:由所述第三子电介质层的远离所述第二子电介质层的表面开始，向与所述第二子电介质层接触的表面进行刻蚀。8.如权利要求1所述的形成碳基底连接层的方法，其特征在于，还包括:刻蚀所述第一沟槽底部剩余的所述电介质层和部分所述碳基底以形成第二沟槽，其中，所述第二沟槽贯穿所述电介质层并且嵌入所述碳基底。9.如权利要求8所述的形成碳基底连接层的方法，其特征在于，形成所述第二沟槽后，还包括:使用有机溶剂进行湿法清洗。10.如权利要求9所述的形成碳基底连接层的方法，其特征在于，所述有机溶剂包括ST-44溶剂。
【专利摘要】本发明提供一种形成碳基底连接层的方法，包括：提供碳基底；在所述碳基底上形成电介质层；在所述电介质层上形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜刻蚀部分所述电介质层形成第一沟槽，其中，所述第一沟槽的底部为剩余的所述电介质层，剩余的所述电介质层覆盖所述碳基底；以及进行掩膜层灰化和湿法清洗。所述形成碳基底连接层的方法还包括：刻蚀所述第一沟槽底部剩余的所述电介质层和部分所述碳基底以形成第二沟槽，其中，所述第二沟槽贯穿所述电介质层并且嵌入所述碳基底；以及使用有机溶剂进行湿法清洗。使用这一方法可以有效地去除掉刻蚀后残留的所述掩膜层。
【IPC分类】H01L21/02
【公开号】CN105513949
【申请号】CN201511025296
【发明人】肖培
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年12月30日