键合基底及其形成方法、三维封装结构及其形成方法
【专利摘要】一种键合基底及其形成方法、三维封装结构及其形成方法，所述键合基底包括：晶圆；位于所述晶圆上的绝缘层、及多个焊盘，相邻两个所述焊盘被绝缘层隔开，所述焊盘包括：焊盘底部、及位于所述焊盘底部上方的焊盘凸部，所述焊盘底部的上表面低于或齐平于绝缘层的上表面，所述焊盘凸部的上表面高于绝缘层的上表面，所述焊盘凸部在晶圆表面上的投影，位于所述焊盘底部在晶圆表面上的投影内。解决了现有利用金属-金属键合方法形成三维封装结构的方法容易造成相邻两个焊盘短路的问题。
【专利说明】键合基底及其形成方法、三维封装结构及其形成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体封装【技术领域】，特别是涉及一种应用于三维封装的键合基底及其形成方法，以及一种三维封装结构及其形成方法。
【背景技术】
[0002]随着微电子器件高集成度、多功能化的要求，现有的二维封装技术难以满足封装要求，而三维封装具有尺寸小、重量轻、减小信号延迟等优点，正成为微电子器件封装的主流技术。键合是实现三维封装的关键工艺，应用于三维封装的键合方法有多种，包括:金属-金属键合、氧化物直接键合、阳极键合、粘接键合、基于焊料的键合、超声键合、玻璃介质键合等等。
[0003]现有一种利用金属-金属键合方法形成三维封装结构的方法包括:
[0004]如图1所不，提供两个键合基底1，键合基底I包括:晶圆11 ;位于晶圆11上的绝缘层12、及多个焊盘13，相邻两个焊盘13之间被绝缘层12隔开，焊盘13的上表面为平面，该平面高于绝缘层12的上表面。
[0005]如图2所示，使两个键合基底I上的焊盘13对准、并进行键合。
[0006]在键合过程中，在压力作用下，具有一定延展性的焊盘13会发生变形，使得焊盘13中凸出于绝缘层12上表面外的部分，向位于同一键合基底I上相邻的焊盘13延伸。而随着微电子器件集成度的提高，焊盘13的密度越来越大，键合基底I上相邻两个焊盘13之间的距离越来越小，容易造成同一键合基底I上相邻两个焊盘13之间连接起来，进而造成相邻两个焊盘13短路。当欲键合的两个键合基底上的焊盘尺寸不相等时，尺寸较大的焊盘比尺寸较小的焊盘更容易短路。
【发明内容】
[0007]本发明要解决的问题是:现有利用金属-金属键合方法形成三维封装结构的方法容易造成相邻两个焊盘短路。
[0008]为解决上述问题，本发明提供了一种应用于三维封装的键合基底，包括:
[0009]晶圆；
[0010]位于所述晶圆上的绝缘层、及多个焊盘，相邻两个所述焊盘被绝缘层隔开，所述焊盘包括:焊盘底部、及位于所述焊盘底部上方的焊盘凸部，所述焊盘底部的上表面低于或齐平于绝缘层的上表面，所述焊盘凸部的上表面高于绝缘层的上表面，所述焊盘凸部在晶圆表面上的投影，位于所述焊盘底部在晶圆表面上的投影内。
[0011]可选的，所述焊盘凸部的所有侧壁与对应的焊盘底部侧壁之间均存在间隔。
[0012]可选的，所述焊盘凸部宽度占焊盘底部宽度的50%至90%。
[0013]可选的，所述焊盘凸部的部分侧壁与对应的焊盘底部侧壁对齐。
[0014]可选的，所述焊盘凸部的宽度占焊盘底部的宽度的50%至95%。
[0015]可选的，所述焊盘的材料为铜。
[0016]可选的，所述焊盘最高点与绝缘层上表面之间的段差为O至10000埃。
[0017]另外，本发明还提供了上述任一键合基底的形成方法，包括:
[0〇18] 提供晶圆；
[0019]在所述晶圆上形成具有多个开口的绝缘层；
[0020]形成覆盖所述绝缘层、并填充所述开口的焊盘材料层；
[0021]对所述焊盘材料层进行平坦化处理，以去除所述绝缘层上的焊盘材料层，剩余的填充在所述开口内的焊盘材料层的上表面高于绝缘层的上表面；
[0022]在所述剩余的填充在开口内的焊盘材料层上方形成掩模层；
[0023]以所述掩模层为掩模进行刻蚀，以去除一定厚度的焊盘材料层，形成所述焊盘底部及焊盘凸部；
[0024]去除所述掩模层。
[0025]另外，本发明还提供了一种三维封装结构，包括:
[0026]第一键合基底，所述第一键合基底为上述任一所述的键合基底；
[0027]第二键合基底，所述第二键合基底包括:第二晶圆；位于所述第二晶圆上的第二绝缘层、及多个第二焊盘，所述第二焊盘的最高点高于第二绝缘层的上表面；
[0028]所述第一键合基底的焊盘与第二焊盘通过键合方法固定在一起。
[0029]可选的，所述第二键合基底为上述任一所述的键合基底。
[0030]可选的，所述第二焊盘高于第二绝缘层的部分在第二晶圆表面上的投影尺寸，等于所述第二焊盘位于第二绝缘层内的部分在第二晶圆表面上的投影尺寸。
[0031]另外，本发明还提供了上述三维封装结构的形成方法，包括:
[0032]利用上述方法形成第一键合基底；
[0033]形成所述第二键合基底；
[0034]使所述第一键合基底的焊盘对准第二焊盘、并进行键合。
[0035]可选的，所述键合为低温热压键合。
[0036]可选的，利用上述方法形成所述第二键合基。
[0037]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:
[0038]键合基底的焊盘包括:焊盘底部、和位于焊盘底部上方的焊盘凸部，其中，焊盘底部的上表面低于或齐平于绝缘层的上表面，焊盘凸部的上表面高于绝缘层的上表面，焊盘凸部在晶圆表面上的投影，位于焊盘底部在晶圆表面上的投影内，使得相邻两个凸出于绝缘层上表面的焊盘凸部之间的间隔，大于相邻两个焊盘底部之间的间隔。在保持本发明中焊盘底部尺寸与现有技术中焊盘的尺寸相同、相邻两个焊盘底部之间的间隔与现有技术中相邻两个焊盘之间的间隔相同的条件下，相当于增大了相邻两个焊盘中凸出于绝缘层上表面的部分之间的间隔，因而，在键合过程中减小了相邻两个焊盘连接的可能，进而减小了相邻两个焊盘短路的可能。
【专利附图】
【附图说明】
[0039]图1是现有键合基底的首I]面结构不意图；
[0040]图2是将两个图1所不键合基底键合固定在一起的首lJ面不意图；
[0041]图3至图6是本发明的第一实施例中第一键合基底在各个制作阶段的剖面结构示意图；
[0042]图7是本发明的第一实施例中第二键合基底的剖面结构示意图；
[0043]图8是本发明的第一实施例中第一键合基底与第二键合基底键合固定在一起的剖面示意图；
[0044]图9是本发明的第二实施例中第二键合基底的剖面结构示意图；
[0045]图10是本发明的第二实施例中第一键合基底与第二键合基底键合固定在一起的剖面示意图；
[0046]图11是本发明的第三实施例中第一键合基底的剖面结构示意图；
[0047]图12是本发明的第四实施例中第二键合基底的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0048]为了解决现有利用金属-金属键合方法形成三维封装结构的方法，容易造成相邻两个焊盘短路的问题，本发明提供了一种改进的三维封装结构形成方法，该方法的两个键合基底中，定义其中一个键合基底为第一键合基底、另一个为第二键合基底。
[0049]为了减小第一键合基底上相邻两个焊盘短路的可能性，第一键合基底的焊盘包括:焊盘底部、和位于焊盘底部上方的焊盘凸部，其中，焊盘底部的上表面低于或齐平于绝缘层的上表面，焊盘凸部的上表面高于绝缘层的上表面，焊盘凸部在晶圆表面上的投影，位于焊盘底部在晶圆表面上的投影内，使得相邻两个凸出绝缘层上表面的焊盘凸部之间的间隔，大于相邻两个焊盘底部之间的间隔。
[0050]在保持本发明中焊盘底部尺寸与现有技术中焊盘的尺寸相同，相邻两个焊盘底部之间的间隔、与现有技术中相邻两个焊盘之间的间隔相同的条件下，相当于增大了相邻两个焊盘中、凸出于绝缘层上表面的部分之间的间隔，因而，在键合过程中减小了相邻两个焊盘连接的可能，进而减小了第一键合基底上相邻两个焊盘短路的可能。
[0051]类似地，为了减小第二键合基底上相邻两个焊盘短路的可能性，也可使第二键合基底中的焊盘采用第一键合基底中焊盘的结构。
[0052]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0053]第一实施例
[0054]首先，对本实施例的利用金属-金属键合方法形成三维封装结构的方法作介绍。
[0055]如图6所示，提供第一键合基底100，第一键合基底100包括:晶圆110 ;位于晶圆110上的绝缘层120、及多个焊盘130，相邻两个焊盘130被绝缘层120隔开，焊盘130包括:焊盘底部131、及位于焊盘底部131上方的焊盘凸部132，焊盘底部131的上表面SI低于绝缘层120的上表面S3，焊盘凸部132的上表面S2高于绝缘层120的上表面S3，使得整个焊盘130的上表面是高低不平的，焊盘凸部132在晶圆110表面上的投影，位于焊盘底部131在晶圆110表面上的投影内。换言之，焊盘凸部132的尺寸小于焊盘底部131的尺寸，且焊盘凸部132的侧壁未凸出焊盘底部131的侧壁外。且，焊盘凸部132的所有侧壁与对应的焊盘底部131侧壁之间均存在间隔，换言之，焊盘凸部132的所有侧壁与对应的焊盘底部131侧壁未对齐。
[0056]晶圆110形成有电路结构(未图示)，焊盘130与晶圆110的电路结构电连接，以将所述电路结构与外部电路电连接。
[0057]在本实施例中，焊盘130的材料为铜。
[0058]为了使得后续键合工艺中，焊盘130和第二键合基底的第二焊盘能够牢靠地键合在一起，需使焊盘130的最高点(即焊盘凸部132的上表面S2)与绝缘层120的上表面S3之间有足够的段差。在本实施例中，焊盘130的最高点(即焊盘凸部132的上表面S2)与绝缘层120的上表面S3之间的段差为O至10000埃(不包括左端点)。
[0059]为了使得后续键合工艺中，焊盘130和第二键合基底的第二焊盘能够牢靠地键合在一起，且第一键合基底100上相邻两个焊盘凸部132之间有足够的间隔，以防止相邻两个焊盘130连接起来，在本实施例中，焊盘凸部132的宽度W1,占焊盘底部131的宽度W2的50%至90%。所述宽度尺寸是指沿焊盘130排列方向上的尺寸。
[0060]在本实施例中，第一键合基底100的形成方法包括:如图3所示，提供晶圆110，在晶圆110上形成具有多个开口(未标识)的绝缘层120，在具体实施例中，绝缘层120的形成方法包括:在晶圆110上形成绝缘材料层，在所述绝缘材料层上形成图形化光刻胶层，所述图形化光刻胶层定义开口的位置；以所述图形化光刻胶层为掩模对所述绝缘材料层进行刻蚀，以形成具有开口的绝缘层120 ；
[0061]继续参照图3所示，形成覆盖绝缘层120、并填充所述开口的焊盘材料层；对所述焊盘材料层进行平坦化处理，以去除覆盖在绝缘层120上的焊盘材料层，剩余的填充在所述开口内的焊盘材料层130a的上表面，高于绝缘层120的上表面S3，所述平坦化处理可以为化学机械研磨处理；
[0062]如图4所示，在所述剩余的填充在开口内的焊盘材料层130a上方形成掩模层140，掩模层140的所有侧壁与焊盘材料层130a对应的侧壁之间存在间隔，掩模层140的形成方法包括:形成覆盖绝缘层120及焊盘材料层130a的掩模层，所述掩模层可以为光刻胶层，对该掩模层进行光刻，以去除覆盖在绝缘层120及部分焊盘材料层130a上的掩模层，本步骤中光刻工艺所采用掩膜版，可以与形成上述图形化光刻胶层所采用掩膜版为同一掩膜版；
[0063]如图5所示，以掩模层140为掩模进行刻蚀，以去除一定厚度的焊盘材料层130a(如图4所示)，形成焊盘底部131及焊盘凸部132，在本实施例中，所述刻蚀方法可以为湿法刻蚀，所采用刻蚀剂为FeCl3、醋酸、蚁酸等；
[0064]如图6所示,去除掩模层140 (如图5所示)。
[0065]在具体实施例中，在形成所述焊盘材料层之前，可形成覆盖绝缘层120、以及所述开口的底部和侧壁上的阻挡层(barrier layer，未图示)，然后在阻挡层上形成金属种子层(未图示)。所述阻挡层为TaN层、Ta层、或者TaN层和Ta层的叠层，所述金属种子层的材料为Cu。所述阻挡层的作用是:防止焊盘材料层在绝缘层120中的扩散，同时增加焊盘材料层和绝缘层120之间的粘合力。
[0066]在具体实施例中，所述焊盘材料层的形成方法为电镀。
[0067]在具体实施例中，绝缘层120的材料为氧化硅。
[0068]在具体实施例中，如图3所示，在利用化学机械研磨工艺形成焊盘材料层130a之后，为了使得焊盘材料层130a的上表面，与绝缘层120的上表面S3之间有足够的段差，在所述化学机械研磨处理之后，可以对绝缘层120进行刻蚀，以减薄绝缘层120的厚度。
[0069]如图7所示，提供第二键合基底200，第二键合基底200包括:第二晶圆210 ;位于第二晶圆210上的第二绝缘层220、及多个第二焊盘230，相邻两个第二焊盘230被第二绝缘层220隔开，第二焊盘230的上表面S4为高于第二绝缘层220的上表面S5的平面，使得第二焊盘230高于第二绝缘层220的部分在第二晶圆210表面上的投影尺寸，等于第二焊盘230位于第二绝缘层220内的部分在第二晶圆210表面上的投影尺寸，第二焊盘230在第二晶圆210表面上的投影尺寸，小于焊盘130在晶圆110表面上的投影尺寸(结合图8所示)。
[0070]在本实施例中，第二焊盘230的材料为铜。
[0071]为了使得后续键合工艺中，第二焊盘230和焊盘130能够牢靠地键合在一起，需使第二焊盘230的最高点(即第二焊盘230的上表面S4)与第二绝缘层220的上表面S5之间有足够的段差。在本实施例中，第二焊盘230的上表面S4与第二绝缘层220的上表面S5之间的段差为O至10000埃(不包括左端点)。
[0072]在本实施例中，第二键合基底200的形成方法包括:提供第二晶圆210，在第二晶圆210上形成具有多个第二开口(未标识)的第二绝缘层220 ;形成覆盖第二绝缘层220、并填充所述第二开口的第二焊盘材料层；对所述第二焊盘材料层进行平坦化处理，以去除覆盖在第二绝缘层220上的第二焊盘材料层，剩余的填充在所述第二开口内的第二焊盘材料层构成第二焊盘230。
[0073]在具体实施例中，在形成所述第二焊盘材料层之前，可形成覆盖第二绝缘层220、以及所述第二开口的底部和侧壁上的阻挡层(barrier layer，未图示)，然后在阻挡层上形成金属种子层(未图示)。所述阻挡层为TaN层、Ta层、或者TaN层和Ta层的叠层，所述金属种子层的材料为Cu。所述阻挡层的作用是:防止第二焊盘材料层在第二绝缘层220中的扩散，同时增加第二焊盘材料层和第二绝缘层220之间的粘合力。
[0074]在具体实施例中，所述第二焊盘材料层的形成方法为电镀。
[0075]在具体实施例中，第二绝缘层220的材料为氧化硅。
[0076]如图8所示，在键合之前，对第一键合基底100及第二键合基底200进行清洗，以去除焊盘130及第二焊盘230表面的氧化物，使焊盘130与第二焊盘230更为牢靠地固定连接在一起。
[0077]在本实施例中，所述清洗步骤所采用清洁剂为醋酸或柠檬酸。
[0078]继续参照图8所示，使焊盘130对准第二焊盘230、并进行键合。
[0079]在本实施例中，所述键合为低温热压键合。在键合过程中，在一定温度和压力作用下，焊盘130与第二焊盘230的界面原子间相互扩散而实现键合，使得第一键合基底100与第二键合基底200固定连接在一起。具体地，是焊盘130中焊盘凸部132的上表面S2，与第二焊盘230的上表面S4固定在一起。
[0080]在具体实施例中，所述低温热压键合的工艺参数包括:键合温度为300至400°C，键合时间为30至90min，键合压力为30至60KN。
[0081]由于第一键合基底100的焊盘130在晶圆110表面上的投影尺寸，大于第二焊盘230在第二晶圆210表面上的投影尺寸，故相邻两个焊盘130短路的可能性，大于相邻两个第二焊盘230短路的可能性。
[0082]由于焊盘130中焊盘凸部132在晶圆110表面上的投影，位于焊盘底部131在晶圆110表面上的投影内，使得相邻两个凸出于绝缘层120上表面S3的焊盘凸部132之间的间隔，大于相邻两个焊盘底部131之间的间隔。在保持焊盘底部131尺寸与现有技术中焊盘的尺寸相同，相邻两个焊盘底部131之间的间隔、与现有技术中相邻两个焊盘之间的间隔相同的条件下，相当于增大了相邻两个焊盘130中、凸出于绝缘层120上表面的部分(SP焊盘凸部132)之间的间隔，因而，在键合过程中减小了相邻两个焊盘130连接的可能，进而减小了相邻两个焊盘130短路的可能。
[0083]在本实施例中，焊盘130和第二焊盘230键合之后，进行退火处理，该退火处理的作用是:允许焊盘130、第二焊盘230界面间的内部扩散(inter-diffus1n),提供足够的能量以完成焊盘130和第二焊盘230结合处晶粒的生长。在具体实施例中，退火温度为300至400°C，时间为30至90min。
[0084]接着，对本实施例的三维封装结构作介绍。如图8所示，该三维封装结构包括:
[0085]第一键合基底100，第一键合基底100包括:晶圆110 ;位于晶圆110上的绝缘层
120、及多个焊盘130，相邻两个焊盘130被绝缘层120隔开，焊盘130包括:焊盘底部131、及位于焊盘底部131上方的焊盘凸部132，焊盘底部131的上表面SI低于绝缘层120的上表面S3，焊盘凸部132的上表面S2高于绝缘层120的上表面S3，焊盘凸部132在晶圆110表面上的投影，位于焊盘底部131在晶圆110表面上的投影内；
[0086]第二键合基底200，第二键合基底200包括:第二晶圆210 ;位于第二晶圆210上的第二绝缘层220、及多个第二焊盘230，相邻两个第二焊盘230被第二绝缘层220隔开，第二焊盘230高于第二绝缘层220的部分在第二晶圆210表面上的投影尺寸，等于第二焊盘230位于第二绝缘层220内的部分在第二晶圆210表面上的投影尺寸；
[0087]第一键合基底100的焊盘130与第二焊盘230通过键合方法固定在一起。
[0088]第二实施例
[0089]第二实施例与第一实施例之间的区别在于:在第二实施例中，如图9所示，第二键合基底200中的第二焊盘230包括:第二焊盘底部231、及位于第二焊盘底部231上方的第二焊盘凸部232，第二焊盘底部231的上表面S6低于第二绝缘层220的上表面S5，第二焊盘凸部232的上表面S7高于第二绝缘层220的上表面S5，使得第二焊盘230的上表面是高低不平的，第二焊盘凸部232在第二晶圆210表面上的投影，位于第二焊盘底部231在第二晶圆210表面上的投影内。换言之，第二焊盘凸部232的尺寸小于第二焊盘底部231的尺寸，且第二焊盘凸部232的侧壁未凸出第二焊盘底部231的侧壁外。另外，在第二实施例中，如图10所示，焊盘130在晶圆110表面上的投影尺寸，等于第二焊盘230在第二晶圆210表面上的投影尺寸。作为第二实施例的变换例，焊盘130在晶圆110表面上的投影尺寸，也可以小于或大于第二焊盘230在第二晶圆210表面上的投影尺寸。
[0090]为了使得键合工艺中，第二焊盘230和焊盘130能够牢靠地键合在一起，如图9所示，需使第二焊盘230的最高点(即第二焊盘凸部232的上表面S7)与第二绝缘层220的上表面S5之间有足够的段差。在本实施例中，第二焊盘230的最高点(即第二焊盘凸部232的上表面S7)与第二绝缘层220的上表面S5之间的段差为O至10000埃(不包括左端点)。
[0091]为了使得键合工艺中，第二焊盘230和焊盘130能够牢靠地键合在一起，且相邻两个第二焊盘凸部232之间有足够的间隔，以防止相邻两个第二焊盘230连接起来，在本实施例中，如图9所示，第二焊盘凸部232的宽度W3,占第二焊盘底部231的宽度W4的50%至90%。所述宽度尺寸是指沿第二焊盘230排列方向上的尺寸。
[0092]在本实施例的技术方案中，在键合过程中同时减小了相邻两个焊盘130连接的可能、相邻两个第二焊盘230连接的可能，进而同时减小了相邻两个焊盘130短路的可能、相邻两个第二焊盘230短路的可能。
[0093]在键合之后，如图10所示，焊盘130的焊盘凸部132的上表面S2，与第二焊盘230的第二焊盘凸部232的上表面S7固定在一起。
[0094]在本实施例中，第二键合基底200的形成方法可以参考第一实施例中第一键合基底的形成方法，在此不再赘述。
[0095]第三实施例
[0096]第三实施例与第一实施例或第二实施例之间的区别在于:在第三实施例中，如图11所示，第一键合基底100的焊盘130中，焊盘凸部132的部分侧壁与对应的焊盘底部131侧壁对齐。
[0097]在本实施例中，焊盘凸部132的宽度W1,占焊盘底部131的宽度W2的50%至95%。
[0098]第四实施例
[0099]第四实施例与第二实施例之间的区别在于:在第三实施例中，如图12所示，第二焊盘凸部232的部分侧壁与对应的第二焊盘底部231侧壁对齐。
[0100]在本实施例中，第二焊盘凸部232的宽度W3,占第二焊盘底部231的宽度W4的50%至 95%。
[0101]在其他实施例中，第一键合基底的焊盘的焊盘底部上表面，也可以与绝缘层的上表面齐平；第二焊盘中，第二焊盘底部的上表面也可以与第二绝缘层的上表面齐平。
[0102]本发明中，各实施例采用递进式写法，重点描述与前述实施例的不同之处，各实施例中的相同部分可以参照前述实施例。
[0103]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【权利要求】
1.一种应用于三维封装的键合基底，其特征在于，包括: 晶圆; 位于所述晶圆上的绝缘层、及多个焊盘，相邻两个所述焊盘被绝缘层隔开，所述焊盘包括:焊盘底部、及位于所述焊盘底部上方的焊盘凸部，所述焊盘底部的上表面低于或齐平于绝缘层的上表面，所述焊盘凸部的上表面高于绝缘层的上表面，所述焊盘凸部在晶圆表面上的投影，位于所述焊盘底部在晶圆表面上的投影内。
2.根据权利要求1所述的键合基底，其特征在于，所述焊盘凸部的所有侧壁与对应的焊盘底部侧壁之间均存在间隔。
3.根据权利要求2所述的键合基底，其特征在于，所述焊盘凸部宽度占焊盘底部宽度的 50% 至 90%ο
4.根据权利要求1所述的键合基底，其特征在于，所述焊盘凸部的部分侧壁与对应的焊盘底部侧壁对齐。
5.根据权利要求4所述的键合基底，其特征在于，所述焊盘凸部的宽度占焊盘底部的宽度的50%至95%。
6.根据权利要求1至5任一项所述的键合基底，其特征在于，所述焊盘的材料为铜。
7.根据权利要求6所述的键合基底，其特征在于，所述焊盘最高点与绝缘层上表面之间的段差为O至10000埃。
8.—种权利要求1至7任一项所述键合基底的形成方法，其特征在于，包括: 提供晶圆； 在所述晶圆上形成具有多个开口的绝缘层； 形成覆盖所述绝缘层、并填充所述开口的焊盘材料层； 对所述焊盘材料层进行平坦化处理，以去除所述绝缘层上的焊盘材料层，剩余的填充在所述开口内的焊盘材料层的上表面高于绝缘层的上表面； 在所述剩余的填充在开口内的焊盘材料层上方形成掩模层； 以所述掩模层为掩模进行刻蚀，以去除一定厚度的焊盘材料层，形成所述焊盘底部及焊盘凸部； 去除所述掩模层。
9.一种三维封装结构，其特征在于，包括: 第一键合基底，所述第一键合基底为权利要求1至7任一项所述的键合基底； 第二键合基底，所述第二键合基底包括:第二晶圆；位于所述第二晶圆上的第二绝缘层、及多个第二焊盘，所述第二焊盘的最高点高于第二绝缘层的上表面； 所述第一键合基底的焊盘与第二焊盘通过键合方法固定在一起。
10.根据权利要求9所述的三维封装结构，其特征在于，所述第二键合基底为权利要求1至7任一项所述的键合基底。
11.根据权利要求9所述的三维封装结构，其特征在于，所述第二焊盘高于第二绝缘层的部分在第二晶圆表面上的投影尺寸，等于所述第二焊盘位于第二绝缘层内的部分在第二晶圆表面上的投影尺寸。
12.—种权利要求9所述的三维封装结构的形成方法，其特征在于，包括: 利用权利要求8所述的方法形成第一键合基底； 形成所述第二键合基底； 使所述第一键合基底的焊盘对准第二焊盘、并进行键合。
13.根据权利要求12所述的形成方法，其特征在于，所述键合为低温热压键合。
14.根据权利要求12所述的形成方法，其特征在于，利用权利要求8所述的方法形成所述第二键合基。
【文档编号】H01L23/488GK104517921SQ201310463714
【公开日】2015年4月15日 申请日期:2013年9月30日 优先权日:2013年9月30日
【发明者】陈福成 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司