一种可控内电场的pn结的制作方法
【专利说明】
所属技术领域
[0001]本发明涉及一种半导体的PN结，尤其是可调节内电场强度的可控内电场的PN结。
【背景技术】
[0002]目前，公知的半导体的PN结都为结面电子扩散与空穴扩散自动形成，大小有此类决定，无法任意调控，这样，在有些场合需要高输出电压，如光伏，在有些场合需要低输出电压，如电容，很难实现调控。
【发明内容】
[0003]为了克服现有的半导体的PN结的不足，本发明提供一种可控内电场的PN结，该PN结可以任意调控PN结电压，对需要高低PN结电压的情况，有非常理想效果。
[0004]本发明解决其技术问题所采用的技术方案:在原PN结的二侧，增加二调压极，分别通与PN结内电场同向、反向电压，即可分别增大、减小内电场电压，也可直接以调压极代替PN结。
[0005]本发明的有益效果是，可调节内电场强度，对需要高、低内电场的情况，可获得很好效果，其制作方法简洁、无污染，与常规半导体工艺兼容，可连续生成，适宜大批量生产。
【附图说明】
[0006]下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
[0007]图1是本发明的原理图。
[0008]图2是第一个实施例的构造图。
[0009]图中1.PN结，2.调压极。
【具体实施方式】
[0010]在图1中，PN结(I)与调压极(2)。
[0011]在图2所示实施例中，调压极(2)代替PN结。
【主权项】
1.一种可控内电场的PN结，该PN结可以任意调控PN结电压，所采用的技术方案:在原PN结的二侧，增加二调压极，分别通与PN结内电场同向、反向电压，即可分别增大、减小内电场电压，也可直接以调压极代替PN结，其特征是:具有调压极，可调节PN结内电场强度。2.根据权利要求1所述的可控内电场的PN结，其特征是:直接以调压极代替PN结。
【专利摘要】一种可控内电场的PN结,该PN结可以任意调控PN结电压，所采用的技术方案：在原PN结的二侧，增加二调压极，分别通与PN结内电场同向、反向电压，即可分别增大、减小内电场电压，也可直接以调压极代替PN结，本发明的有益效果是，可调节内电场强度，对需要高、低内电场的情况，可获得很好效果，其制作方法简洁、无污染，与常规半导体工艺兼容，可连续生成，适宜大批量生产。
【IPC分类】H01L29/06
【公开号】CN105576007
【申请号】CN201410523872
【发明人】段兴
【申请人】段兴
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2014年10月8日