太阳能光伏组件的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及太阳能领域，尤其涉及一种太阳能光伏组件。
【背景技术】
[0002]在近些年光伏发电已经发生翻天覆地的变化，各项技术都有很大的进步，推动了国内电站系统的大规模新建，然而现有的太阳电池光伏组件的转化效率仍然较低，一定程度上限制了其发展，而PID效应(电位诱导衰减效应)造成组件功率衰减，更是雪上加霜。
【实用新型内容】
[0003]鉴于此，有必要提供一种转化效率较高且抗PID性能较好的太阳能光伏组件。
[0004]一种太阳能光伏组件，包括依次层叠的背板、第一封装层、太阳能电池片、第二封装层、玻璃基板及二氧化硅层，所述太阳能电池片包括依次层叠的电池背场、硅片、扩散层、氮化硅层及钝化层，所述电池背场设置于所述第一封装层上，所述第二封装层设置于所述钝化层上。
[0005]在其中一个实施例中，所述二氧化硅层的厚度为90?110纳米。
[0006]在其中一个实施例中，所述第一封装层为乙烯和醋酸乙烯酯的共聚物层；所述第一封装层的厚度为0.35?0.55毫米。
[0007]在其中一个实施例中，所述第二封装层为乙烯和醋酸乙烯酯的共聚物层；所述第二封装层的厚度为0.35?0.55毫米。
[0008]在其中一个实施例中，所述太阳能电池片为多个，且多个所述太阳能电池片串联。
[0009]在其中一个实施例中，所述背板为聚氟乙烯板；所述电池背场为铝板。
[0010]在其中一个实施例中，所述硅片的厚度为180?200微米。
[0011]在其中一个实施例中，所述扩散层为扩磷层；所述扩散层的厚度为0.3?0.5微米。
[0012]在其中一个实施例中，所述氮化硅层的厚度为75?80纳米。
[0013]在其中一个实施例中，所述钝化层为二氧化硅层；所述钝化层的厚度为4?5纳米。
[0014]上述太阳能光伏组件通过设置成上述结构，并在氮化硅层上设置钝化层，不仅能够阻隔玻璃基板中的钠离子向硅片迀移，从而获得优异的抗PID性能，而且氮化硅层上设置钝化层具有较好的钝化效果，能够提升太阳能电池片短波响应性能，最终实现短波段更加有效地利用，从而提高转换效率；且通过匹配设置有二氧化硅层的玻璃基板，能够使透过玻璃基板的短波段入射光顺利通过，进而被太阳能电池片吸收，从而进一步提供转换效率，即上述太阳能光伏组件具有较高的转换效率和较好的抗PID性能。
【附图说明】
[0015]图1为一实施方式的太阳能光伏组件的结构示意图；
[0016]图2为图1所示的太阳能光伏组件的太阳能电池片的结构示意图。
【具体实施方式】
[0017]为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳的实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。
[0018]需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0019]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。
[0020]如图1所示，一实施方式的太阳能光伏组件10，包括依次层叠的包括依次层叠的背板100、第一封装层200、太阳能电池片300、第二封装层400、玻璃基板500及二氧化硅层600。
[0021]背板100的厚度为0.35?0.55毫米。背板100为聚氟乙烯(TPT)板。
[0022]第一封装层200为乙烯和醋酸乙烯酯的共聚物(EVA)层。第一封装层200的厚度为0.35?0.55毫米。
[0023]进一步的，第一封装层200中含有二苯甲酮类紫外线吸收剂，从而能够截止短波段光照射背板100，保证背板100的耐候性。且背板100与上述第一封装层200的接触面具有较高的反射率，可以将太阳光反射进入整个太阳能光伏组件10内，从而使太阳能电池片300的空隙之间的未被利用的光实现二次利用。
[0024]太阳能电池片300可以为一个，也可以为多个。当太阳能电池片300为多个时，多个太阳能电池片300通过导电焊带串联在一起。
[0025]请一并参阅图2，其中，太阳能电池片300包括依次层叠的电池背场310、硅片320、扩散层330、氮化硅层340及钝化层350。
[0026]电池背场310设置于第一封装层200上。电池背场310上设置有正电极360，第一封装层200设置于电池背场310有正电极360的一侧。电池背场310为销板。电池背场310的厚度为20微米?30微米。
[0027]硅片320层叠于电池背场310远离正电极360的一侧。硅片320为P型硅片320。硅片320的厚度为180微米?200微米。
[0028]扩散层330为扩磷层，即N型扩磷层。扩散层330的厚度为0.3微米?0.5微米。其中，在硅片320上形成扩散层330之前，先将硅片320清洗制绒，再进行扩散制结，形成扩散层330。
[0029]氮化硅层340的厚度为75?80纳米。其中，氮化硅层340可通过PECVD (等离子体增强化学气相沉积法)镀膜工艺制备得到。
[0030]钝化层350的厚度为4?5纳米。钝化层350为二氧化娃层，二氧化娃层作钝化层350可以更加有效地实现阻隔玻璃中的钠离子向硅片320迀移，而且具有较好的钝化效果，能够提升太阳能电池片300的短波响应性能。钝化层350可通过PECVD (等离子体增强化学气相沉积法)镀膜工艺制备得到。
[0031]其中，钝化层350远离氮化硅层340的一侧设置有负电极370。
[0032]第二封装层400为乙烯和醋酸乙烯酯的共聚物层。第二封装层400设置于钝化层350上。具体的，第二封装层400设置于钝化层350有负电极370的一侧。第二封装层400的厚度为0.35?0.55毫米。
[0033]进一步的，第二封装层400中没有添加二苯甲酮类紫外吸收剂。且该第二封装层400可以使透过玻璃基板500的短波段入射光顺利通过，进而被太阳能电池吸收。
[0034]进一步的，可以通过降低第二封装层400中的醋酸乙烯酯的含量，提高第二封装层400的材料的纯度，添加EDTA(乙二胺四乙酸)，利用其螯合结构，络合玻璃中的钠、钾等金属离子，或者添加吸收离子等方式来提高第二封装层400的电阻，从而阻隔玻璃中的钠、钾离子向太阳能光伏组件10的太阳能电池片300迀移，从而增加太阳能光伏组件10的抗PID性能。
[0035]玻璃基板500的厚度为3.2毫米。
[0036]二氧化硅层600具有增透的作用，以增加短波段的透过率。二氧化硅层600的厚度为90?110纳米，该厚度的二氧化硅层600设置于玻璃基板500上，能够在短波段具有较高的透过率，即在300nm?400nm波段具有较高的透过率。其中，二氧化娃层600可通过滚涂的方法形成于玻璃基板500上。
[0037]上述太阳能光伏组件10通过设置成上述结构，并在氮化硅层340上设置钝化层350，不仅能够阻隔玻璃基板500中的钠离子向硅片320迀移，从而获得优异的抗PID性能，而且氮化硅层340上设置钝化层350具有较好的钝化效果，能够提升太阳能电池片300短波响应性能，最终实现短波段更加有效地利用，从而提高转换效率；且通过匹配设置有二氧化硅层600的玻璃基板500，能够使透过玻璃基板500的短波段入射光顺利通过，进而被太阳能电池片300吸收，从而进一步提供转换效率，即上述太阳能光伏组件10具有较高的转换效率和较好的抗PID性能。
[0038]以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种太阳能光伏组件，其特征在于，包括依次层叠的背板、第一封装层、太阳能电池片、第二封装层、玻璃基板及二氧化硅层，所述太阳能电池片包括依次层叠的电池背场、硅片、扩散层、氮化硅层及钝化层，所述电池背场设置于所述第一封装层上，所述第二封装层设置于所述钝化层上。
2.根据权利要求1所述的太阳能光伏组件，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为90?110纳米。
3.根据权利要求1所述的太阳能光伏组件，其特征在于，所述第一封装层为乙烯和醋酸乙烯酯的共聚物层；所述第一封装层的厚度为0.35?0.55毫米。
4.根据权利要求1所述的太阳能光伏组件，其特征在于，所述第二封装层为乙烯和醋酸乙烯酯的共聚物层；所述第二封装层的厚度为0.35?0.55毫米。
5.根据权利要求1所述的太阳能光伏组件，其特征在于，所述太阳能电池片为多个，且多个所述太阳能电池片串联。
6.根据权利要求1所述的太阳能光伏组件，其特征在于，所述背板为聚氟乙烯板；所述电池背场为铝背场。
7.根据权利要求1所述的太阳能光伏组件，其特征在于，所述硅片的厚度为180?200微米。
8.根据权利要求1所述的太阳能光伏组件，其特征在于，所述扩散层为扩磷层；所述扩散层的厚度为0.3?0.5微米。
9.根据权利要求1所述的太阳能光伏组件，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为75?80纳米。
10.根据权利要求1所述的太阳能光伏组件，其特征在于，所述钝化层为二氧化硅层；所述钝化层的厚度为4?5纳米。
【专利摘要】一种太阳能光伏组件，包括依次层叠的背板、第一封装层、太阳能电池片、第二封装层、玻璃基板及二氧化硅层，太阳能电池片包括依次层叠的电池背场、硅片、扩散层、氮化硅层及钝化层，电池背场设置于第一封装层上，第二封装层设置于钝化层上。上述太阳能光伏组件具有较高的转换效率和较好的抗PID性能。
【IPC分类】H01L31-0216, H01L31-048
【公开号】CN204332984
【申请号】CN201520023255
【发明人】陈志穗, 杨江海, 蒋忠伟, 孙小菩, 彭华
【申请人】东莞南玻光伏科技有限公司, 中国南玻集团股份有限公司
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2015年1月13日