4GHz频段的辐射场三维方向图。
[0071]图中不同的彩色部分为不同全向天线增益的数值，天线增益的单位为dBi。
[0072]从图中可以看出，在2.4GHz频段时，仿真所得的天线增益的峰值增益约为7.67dB1
[0073]图8为仿真所得全向天线在5.SGHz频段的辐射场三维方向图。
[0074]图中不同的彩色部分为不同天线增益的数值，天线增益的单位为dBi。
[0075]从图中可以看出，在5.8GHz频段时，仿真所得的天线增益的峰值增益约为4.02dB1
[0076]图9为仿真所得全向天线在2.4GHz频段的驻波比特性图。
[0077]图中的横轴为全向天线的辐射频率，纵轴为全向天线的驻波比，其中天线辐射频率的单位为GHz。
[0078]从图中可以看出，在2.4GHz频段时，仿真所得的天线驻波比均小于1.7。
[0079]图10为仿真所得全向天线在5.SGHz频段的驻波比特性图。
[0080]图中的横轴为全向天线的辐射频率，纵轴为全向天线的驻波比，其中天线辐射频率的单位为GHz。
[0081]从图中可以看出，在5.SGHz频段时，仿真所得的天线驻波比均小于1.6。
[0082]图11为仿真所得全向天线在2.4GHz频段的隔离度和回波损耗图。
[0083]图中的横轴为全向天线的辐射频率，纵轴为全向天线的隔离度，其中天线辐射频率的单位为GHz，天线隔离度的单位为dBi。
[0084]从图中可以看出，在2.4GHz频段时，仿真所得的天线隔离度均小于_20dBi。
[0085]图12为仿真所得全向天线在5.SGHz频段的隔离度和回波损耗图。
[0086]图中的横轴为全向天线的辐射频率，纵轴为全向天线的隔离度，其中天线辐射频率的单位为GHz，天线隔离度的单位为dBi。
[0087]从图中可以看出，在5.8GHz频段时，仿真所得的天线隔离度均小于_27dBi。
[0088]综上所述，当全向天线的导电介质层蚀刻有E形缺陷接地结构(E-aperture DGS)后，全向天线工作在两个频段时的隔离度均小于_20dBi，即全向天线隔离度的绝对值均大于20dBi，天线振子30之间的隔离性得到了改善。
[0089]以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种全向天线，包括: 基板(10)，所述基板(10)上设置有导电介质层； 立板(20)，设置在所述导电介质层上； 天线振子(30)，设置在所述立板(20)上； 其特征在于，所述导电介质层上设置有用于改变所述天线振子(30)的电场分布的沟槽(40)，所述沟槽(40)包括相互连接的基础槽(41)和延伸槽，所述延伸槽设置在所述基础槽(41)的至少一侧； 其中，所述延伸槽包括底槽以及连接在所述底槽上的至少三个直槽。2.根据权利要求1所述的全向天线，其特征在于，所述沟槽(40)还包括设置在所述基础槽(41)和所述延伸槽之间的连接槽，所述底槽连接在所述连接槽远离所述基础槽(41)的一端。3.根据权利要求1所述的全向天线，其特征在于，所述沟槽(40)设置在所述基板(10)和所述立板(20)的连接处的一侧或两侧。4.根据权利要求1所述的全向天线，其特征在于，所述基础槽(41)为一字型槽，沿所述基板(10)和所述立板(20)的连接处延伸，所述基础槽(41)的一个长边与所述立板(20)的一个长边重合，所述基础槽(41)的短边沿背离所述立板(20)的方向延伸。5.根据权利要求2所述的全向天线，其特征在于，所述延伸槽包括第一延伸槽(42)和第二延伸槽(43)，所述连接槽包括第一连接槽(44)和第二连接槽(45)，所述第一延伸槽(42)和所述第二延伸槽(43)分别通过所述第一连接槽(44)和第二连接槽(45)与所述基础槽(41)连接，所述第一连接槽(44)的长度小于所述第二连接槽(45)的长度。6.根据权利要求5所述的全向天线，其特征在于，所述第一连接槽(44)和所述第二连接槽(45)均与所述基础槽(41)垂直，所述第一连接槽(44)与所述第二连接槽(45)的宽度相等，所述第一连接槽(44)和所述第二连接槽(45)在所述基础槽(41)的两边相对设置。7.根据权利要求5所述的全向天线，其特征在于，所述基础槽(41)的宽度大于所述第一连接槽(44)及所述第二连接槽(45)的宽度。8.根据权利要求5所述的全向天线，其特征在于，所述第一延伸槽(42)包括第一直槽(47)和第一底槽(46)，所述第二延伸槽(43)包括第二直槽(49)和第二底槽(48)，所述第一直槽(47)垂直于所述第一底槽(46)，并且所述至少三个第一直槽(47)的延伸方向相同，所述第二直槽(49)垂直于所述第二底槽(48)，并且所述至少三个第二直槽(49)的延伸方向相同。9.根据权利要求8所述的全向天线，其特征在于，所述第一延伸槽(42)和所述第二延伸槽(43)均为E形槽，所述E形槽的开口朝向背离所述立板(20)的方向。10.根据权利要求9所述的全向天线，其特征在于，所述第一底槽(46)的宽度大于所述第一连接槽(44)的宽度，所述第二底槽(48)的宽度大于所述第二连接槽(45)的宽度。11.根据权利要求1所述的全向天线，其特征在于，所述立板(20)为相交设置的两个，每个所述立板(20)上的所述天线振子(30)包括两个第一天线振子(31)和设置在所述两个第一天线振子(31)之间的第二天线振子(32)。12.根据权利要求11所述的全向天线，其特征在于，所述第二天线振子(32)与两个所述第一天线振子(31)之间的间距相等。13.根据权利要求11所述的全向天线，其特征在于，所述第二天线振子(32)设置在所述立板(20)的中部顶端，所述两个第一天线振子(31)对称地设置在所述立板(20)的底端。14.根据权利要求11所述的全向天线，其特征在于，对应一个所述立板(20)的所述沟槽(40)为两个，所述两个沟槽(40)与该一个所述立板(20)的所述两个第一天线振子(31)——对应设置。15.根据权利要求11所述的全向天线，其特征在于，所述立板(20)的下部设置有导电片(50)，所述导电片(50)位于所述第一天线振子(31)与所述沟槽(40)之间，并与所述导电介质层连接。16.根据权利要求11所述的全向天线，其特征在于，所述第一天线振子(31)为单极子天线振子，所述第二天线振子(32)为偶极子天线振子。17.根据权利要求11所述的全向天线，其特征在于，两个所述立板(20)均与所述基板(10)垂直设置，并且所述两个立板(20)的相交角度为90度。18.根据权利要求1所述的全向天线，其特征在于，所述沟槽(40)在所述导电介质层上的位置靠近对应的所述天线振子(30)在所述导电介质层上的投影位置。
【专利摘要】本实用新型提供了一种全向天线，包括：基板(10)，所述基板(10)上设置有导电介质层；立板(20)，设置在所述导电介质层上；天线振子(30)，设置在所述立板(20)上；其特征在于，所述导电介质层上设置有用于改变所述天线振子(30)的电场分布的沟槽(40)，所述沟槽(40)包括相互连接的基础槽(41)和延伸槽，所述延伸槽设置在所述基础槽(41)的至少一侧；其中，所述延伸槽包括底槽以及连接在所述底槽上的至少三个直槽。本实用新型的主要目的在于提供一种不同于现有技术且能够提高天线振子之间隔离性的全向天线。
【IPC分类】H01Q1/38, H01Q1/36, H01Q1/52
【公开号】CN204668463
【申请号】CN201520160965
【发明人】不公告发明人
【申请人】深圳光启智能光子技术有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2015年3月20日