防氧化光源的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及LED光源防氧化技术领域，具体涉及一种防氧化光源。
【背景技术】
[0002]目前公知的LED光源都是通过银浆连接电路板芯片，熔点很低，当使用时间过长时很容易氧化和老化，导致LED光源的使用寿命大大的减少，同时也存在光源的不稳定的问题，增加了使用成本，不能适应市场对LED光源性能的需求。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种能够有效防止光源氧化，增加使用寿命的防氧化光源。
[0004]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:一种防氧化光源，包括底板、光源芯片、正极触点、负极触点以及围坝，底板包括铜箔电路、BT树脂层、陶瓷基板以及阻燃层，陶瓷基板上粘合BT树脂层，BT树脂层上压有铜箔电路，铜箔电路上的连接处连接正极触点、负极触点和围坝，正极触点、负极触点和围坝覆盖在BT树脂层上，围坝中部连接光源芯片，底板的非工作区域上涂覆有一层阻燃层。
[0005]作为上述技术的进一步改进，所述陶瓷基板上通过高温烧烤以及备胶工艺粘合BT树脂层。
[0006]作为上述技术的进一步改进，所述铜箔电路上连接处的正负极触点和围坝通过化学沉金方式覆盖在BT树脂层上。
[0007]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:通过BT树脂层将铜箔电路与陶瓷基板进行有效的固定连接，通过陶瓷基板、BT树脂层以及铜箔电路的结构组合，并且在底板非工作区域涂覆有一层阻燃层，有效防止光源氧化，大大增加了光源的使用寿命，能够有效防止漏电和氧化问题，对光源进行保护隔离。
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型的结构示意图。
[0009]图2为底板的结构示意图。
[0010]图中:1_底板、11-铜箔电路、12-BT树脂层、13-陶瓷基板、14-阻燃层、2-正极触点、3-负极触点、4-光源芯片。
【具体实施方式】
[0011 ] 下面结合【具体实施方式】对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
[0012]—种防氧化光源，包括底板1、光源芯片4、正极触点2、负极触点3以及围坝，底板1包括铜箔电路11、BT树脂层12、陶瓷基板13以及阻燃层14，陶瓷基板13上通过高温烧烤以及备胶工艺粘合BT树脂层12，BT树脂层12上压有铜箔电路11，铜箔电路11上的连接处连接正极触点2、负极触点3和围坝，正极触点2、负极触点3和围坝通过化学沉金方式覆盖在BT树脂层12上，围坝中部连接光源芯片4，底板1的非工作区域上涂覆有一层阻燃层14，能够有效防止漏电和氧化问题。
[0013]本实用新型工作时，由于通过BT树脂层12将铜箔电路11与陶瓷基板13进行有效的固定连接，能够有效的防止LED光源的氧化，由于BT树脂层12通过高温备胶工艺连接在陶瓷基板13上，BT树脂层12上通过工艺压上铜箔电路11，而铜箔电路11上的正极触点
2、负极触点3和围坝是通过化学沉金方式覆盖在BT树脂层12上，则铜箔电路11连接处通电之后里连接铜箔电路11上的正负极，光源芯片4就可正常发光，通过这种组合方式能够达到LED光源抗氧化效果，使其使用寿命大大增加，本实用新型在底板1的非工作区域涂覆有一层阻燃层，用于进行保护隔离。
[0014]以上所述仅为本实用新型较佳的实施例，并非因此限制本实用新型的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本实用新型说明书及图示内容作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本实用新型的保护范围内。
【主权项】
1.一种防氧化光源，包括底板、光源芯片、正极触点、负极触点以及围坝，其特征在于，底板包括铜箔电路、BT树脂层、陶瓷基板以及阻燃层，陶瓷基板上粘合BT树脂层，BT树脂层上压有铜箔电路，铜箔电路上的连接处连接正极触点、负极触点和围坝，正极触点、负极触点和围坝覆盖在BT树脂层上，围坝中部连接光源芯片，底板的非工作区域上涂覆有一层阻燃层。2.根据权利要求1所述的防氧化光源，其特征在于，所述陶瓷基板上通过高温烧烤以及备胶工艺粘合BT树脂层。3.根据权利要求1所述的防氧化光源，其特征在于，所述铜箔电路上连接处的正负极触点和围坝通过化学沉金方式覆盖在BT树脂层上。
【专利摘要】本实用新型公开一种防氧化光源，包括底板、光源芯片、正极触点、负极触点以及围坝，其特征在于，底板包括铜箔电路、BT树脂层、陶瓷基板以及阻燃层，陶瓷基板上粘合BT树脂层，BT树脂层上压有铜箔电路，铜箔电路上的连接处连接正极触点、负极触点和围坝，正极触点、负极触点和围坝覆盖在BT树脂层上，围坝中部连接光源芯片，底板的非工作区域上涂覆有一层阻燃层，相对现有技术，本实用新型能够有效防止光源氧化，并且增加使用寿命。
【IPC分类】H01L33/52, H01L33/48
【公开号】CN205092265
【申请号】CN201520692552
【发明人】艾晓琳
【申请人】深圳市中唐光电有限公司
【公开日】2016年3月16日
【申请日】2015年9月9日