一种高透太阳能电池防湿膜的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于薄膜材料领域，特别涉及一种高透太阳能电池防湿膜。
【背景技术】
[0002]太阳能电池又称为“太阳能芯片”或“光电池”，是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片。它只要被光照到，瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。太阳能电池由于所使用的光电转换层的材料多为高分子材料，可使用一些简单的形成方法例如涂布法或者喷墨法来制作光电转换层，因此开始获得产业界的重视。
[0003]有机太阳能电池虽然具备很多优点，但是其所使用的有机光电转换材料却对水气相当敏感，因此通常在使用一段时间后会因为水气的渗入而使其使用寿命变短或者使用效率降低。因此，急需一种阻隔水气入侵的防湿膜，同时防湿膜的使用不得妨碍太阳光的透射。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的是提供一种高透太阳能电池防湿膜，本高透太阳能电池防湿膜利用氧化层组阻隔水气的同时具备增强阳光透射的效果，能够大大延长太阳能电池的使用寿命O
[0005]为实现上述技术方案，本实用新型提供了一种高透太阳能电池防湿膜，主要包括有:基材层、氧化物层组、中间光学膜层、介电质层和紫外光吸收层，所述氧化物层组包括氧化钛层和碳化硅层，所述氧化钛层位于基材层的上表面，所述碳化硅层位于氧化钛层上表面，所述中间光学膜层位于碳化硅层上表面，所述介电质层位于中间光学膜层的上表面，所述紫外光吸收层位于基材层的下表面。
[0006]在上述技术方案中，所述基材层为可弹性弯折的聚对苯二甲酸乙二醇酯层。
[0007]在上述技术方案中，所述中间光学膜层为碳氧化硅层、氮氧化硅层或碳氮氧化硅层。
[0008]在上述技术方案中，所述基材层的厚度为50μπι?125μπι。
[0009]在上述技术方案中，所述氧化钛层的厚度为1nm?20nm。
[00?0]在上述技术方案中，所述碳化娃层的厚度为20nm?25nm。
[0011]在上述技术方案中，所述中间光学膜层的厚度为15nm?25nm。
[0012]在上述技术方案中，所述介电质层的厚度为50nm?100nm。
[0013]在上述技术方案中，所述紫外光吸收层的厚度为30nm?50nm。
[0014]本实用新型相较于现有技术的有益效果在于:本实用新型提供的高透太阳能电池防湿膜利用氧化物层组作为阻水层，大大简化了现有技术中复杂的防水膜层结构，同时设置中间光学膜层增强阳光的透射率，另外设置介电质层和紫外光吸收层能够增强太阳能电池对光的吸收。
【附图说明】
[0015]图1是本实用新型的结构示意图。
[0016]图中:10-基材层，20-氧化物层组，21-氧化钛层，22-碳化硅层，30-中间光学膜层，40-介电质层，50-紫外光吸收层。
【具体实施方式】
[0017]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。本领域普通人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本实用新型的保护范围。
[0018]实施例1:一种高透太阳能电池防湿膜。
[0019]参照图1所示，本实施例提供的高透太阳能电池防湿膜，主要包括有:基材层10、氧化物层组20、中间光学膜层30、介电质层40和紫外光吸收层50，所述氧化物层组20包括氧化钛层21和碳化硅层22，所述氧化钛层21位于基材层10的上表面，所述碳化硅层22位于氧化钛层21上表面，所述中间光学膜层30位于碳化硅层22上表面，所述介电质层40位于中间光学膜层30的上表面，所述紫外光吸收层50位于基材层10的下表面。
[0020]本实施例中，所述基材层10为可弹性弯折的聚对苯二甲酸乙二醇酯层。
[0021 ]本实施例中，所述中间光学膜层30为氮氧化硅层。
[0022]本实施例中，所述基材层10的厚度为60μπι。
[0023]本实施例中，所述氧化钛层21的厚度为12nm。
[0024]本实施例中，所述碳化硅层22的厚度为25nm。
[0025]本实施例中，所述中间光学膜层30的厚度为18nm。
[0026]本实施例中，所述介电质层40的厚度为80nm。
[0027]本实施例中，所述紫外光吸收层50的厚度为30nm。
[0028]为了进一步解释本实用新型的构造特征、运用技术手段及所预期达成的功效，特将本实用新型的使用方式描述如下:
[0029]参照图1所示，生产制造本实施例中的高透太阳能电池防湿膜时，先在基材10上沉积形成高密度的氧化钛层21，再于该氧化钛层21上沉积形成低密度的碳化硅层22，然后在碳化硅层22的上表面附上中间光学膜层30，最后在中间光学膜层30上沉积形成介电质层40，该介电质层40为光学胶(Optically Clear Adhesive，0CA)，另外在基材10的下表面吸附形成一层紫外光吸收层60。
[0030]本实施例中，高密度的氧化钛层21和低密度的碳化硅层22组成的氧化物层组20能够有效阻断水气分子的渗透;氮氧化硅形成的中间光学膜层30能够有效提高阳光的透射率;介电质层40能够增加本防湿膜的折射率，增强太阳能电池对光的吸收效率;紫外光吸收层50能够增强太阳能电池对紫外光的吸收效率。
[0031]本实施例中，本防湿膜在实验温度25°C、相对湿度95%的条件下，阻水度〈0.1 g/m2.day ο
[0032]实施例2:—种高透太阳能电池防湿膜。
[0033]参照图1所示，本实施例提供的高透太阳能电池防湿膜，主要包括有:基材层10、氧化物层组20、中间光学膜层30、介电质层40和紫外光吸收层50，所述氧化物层组20包括氧化钛层21和碳化硅层22，所述氧化钛层21位于基材层10的上表面，所述碳化硅层22位于氧化钛层21上表面，所述中间光学膜层30位于碳化硅层22上表面，所述介电质层40位于中间光学膜层30的上表面，所述紫外光吸收层50位于基材层10的下表面。
[0034]本实施例中，所述基材层10为可弹性弯折的聚对苯二甲酸乙二醇酯层。
[0035]本实施例中，所述中间光学膜层30为碳氧化硅层。
[0036]本实施例中，所述基材层10的厚度为80μπι。
[0037]本实施例中，所述氧化钛层21的厚度为llnm。
[0038]本实施例中，所述碳化硅层22的厚度为13nm。
[0039]本实施例中，所述中间光学膜层30的厚度为20nm。
[0040]本实施例中，所述介电质层40的厚度为90nm。
[0041 ]本实施例中，所述紫外光吸收层50的厚度为40nm。
[0042]本实施例中，本防湿膜在实验温度25°C、相对湿度95%的条件下，阻水度〈0.2 g/m2.day ο
[0043]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作出的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种高透太阳能电池防湿膜，其特征在于主要包括有:基材层、氧化物层组、中间光学膜层、介电质层和紫外光吸收层，所述氧化物层组包括氧化钛层和碳化硅层，所述氧化钛层位于基材层的上表面，所述碳化硅层位于氧化钛层上表面，所述中间光学膜层位于碳化硅层上表面，所述介电质层位于中间光学膜层的上表面，所述紫外光吸收层位于基材层的下表面。2.如权利要求1所述的高透太阳能电池防湿膜，其特征在于:所述中间光学膜层为碳氧化硅层、氮氧化硅层或碳氮氧化硅层。3.如权利要求1所述的高透太阳能电池防湿膜，其特征在于:所述基材层为可弹性弯折的聚对苯二甲酸乙二醇酯层。4.如权利要求1所述的高透太阳能电池防湿膜，其特征在于:所述基材层的厚度为50μπι?125μπι05.如权利要求1所述的高透太阳能电池防湿膜，其特征在于:所述氧化钛层的厚度为10nm?20nmo6.如权利要求1所述的高透太阳能电池防湿膜，其特征在于:所述碳化硅层的厚度为20nm?25nm07.如权利要求1所述的高透太阳能电池防湿膜，其特征在于:所述中间光学膜层的厚度为15nm?25nm08.如权利要求1所述的高透太阳能电池防湿膜，其特征在于:所述介电质层的厚度为50nm?100nmo9.如权利要求1所述的高透太阳能电池防湿膜，其特征在于:所述紫外光吸收层的厚度为30nm?50nm。
【专利摘要】本实用新型提供了一种高透太阳能电池防湿膜，主要包括有：基材层、氧化物层组、中间光学膜层、介电质层和紫外光吸收层，所述氧化物层组包括氧化钛层和碳化硅层，所述氧化钛层位于基材层的上表面，所述碳化硅层位于氧化钛层上表面，所述中间光学膜层位于碳化硅层上表面，所述介电质层位于中间光学膜层的上表面，所述紫外光吸收层位于基材层的下表面。本实用新型提供的高透太阳能电池防湿膜利用氧化物层组作为阻水层，大大简化了现有技术中复杂的防水膜层结构，同时设置中间光学膜层增强阳光的透射率，另外设置介电质层和紫外光吸收层能够增强太阳能电池对光的吸收。
【IPC分类】H01L31/048
【公开号】CN205177863
【申请号】CN201520841685
【发明人】李伟明, 蓝银锋
【申请人】汕头市东通光电材料有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年10月28日