Qfn封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及集成电路封装技术，具体地说是一种QFN封装结构。
【背景技术】
[0002]QFN(Quad Flat No-lead Package，方形扁平无引脚封装)是表面贴装型封装之一。QFN是一种无引脚封装，呈正方形或矩形，封装底部中央位置有一个大面积裸露焊盘用来导热，围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连结的导电焊盘。
[0003]传统的QFN封装结构如图1所示，它是基于铜材的一种封装结构方式，产品基材一般是由铜材12和镀层11两部分构成，基材的外形由连接筋、支撑载体和焊接区组成。铜材12通常为A194、C7025等合金，铜材12表面电镀上金属镀层11以实现焊接功能，镀层11一般采用锡或者镍钯金。
[0004]这种传统类型的QFN存在以下缺点:(I)由于基材存在连接筋，引脚之间的信号在传输的时候会受到干扰；(2)基材厚度至少为0.1mm，无法实现0.35mm厚度以下更薄更小的QFN产品；(3)由于加工工艺(腐蚀)和结构的限制，类似产品只能实现2排引脚的封装，封装尺寸大小也会受到限制；(4)现有QFN产品的镀层结构决定了加工环节必须有电镀环节，电镀一般会产生大量废水废渣，造成环境负担。
【发明内容】
[0005]本实用新型针对上述传统QFN封装结构存在的问题，提供一种新型的QFN封装结构，该结构可保证QFN产品的电性能，以及实现QFN产品的小型化。
[0006]按照本实用新型的技术方案:一种QFN封装结构，包括由银制成的基材，所述基材的厚度为40-60um，所述基材上通过粘合层固定有芯片，所述芯片通过引线与所述基材相连，所述基材上设置有覆盖所述基材、所述芯片及弓I线的塑封体。
[0007]所述QFN封装结构的封装厚度为0.25-0.75mm。
[0008]所述基材的中央布置有支撑载体，所述支撑载体的周围布置有多个焊接区，所述焊接区间的间距大于等于0.3mm。
[0009]本实用新型的技术效果在于:本实用新型采用银作为基材，没有多种金属的交互干扰和传递，保证了QFN产品的电性能和热性能，并且基材的厚度为40-60um，可实现QFN产品的小型化。
【附图说明】
[0010]图1为传统的QFN封装结构的剖面图。
[0011 ]图2为本实用新型的结构剖面图。
[0012]图3为图2的仰视图。
[0013]图1?图3中，附图标记所分别指代的技术特征为:基材1、粘合层2、芯片3、引线4、塑封体5、支撑载体6、焊接区7、镀层11、铜材12。
【具体实施方式】
[0014]为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细的说明。
[0015]如图2所示，本实用新型是一种QFN封装结构，包括由银制成的基材1，基材I的厚度为40-60um，基材I上通过粘合层2固定有芯片3，芯片3通过引线4与基材I相连，基材I上设置有覆盖基材1、芯片3及引线4的塑封体5。
[0016]QFN封装结构的封装厚度为0.25-0.75mm。
[0017]如图3所示，是基材I的一种实施例。基材I的中央布置有支撑载体6，支撑载体6的周围布置有多个焊接区7，焊接区7有规律地排列，焊接区7间的间距大于等于0.3mm。
[0018]本实用新型使用金属银作为基材，没有多种金属的交互干扰和传递，可保证QFN产品的电性能和热性能，同时银基材也可以保证产品封装良好的作业性;银基材不需要电镀，可节约成本，减少污染。另外，本实用新型可以实现排布任意排数的引脚，并且引脚的形状也可以千变万化。
[0019]上文对本实用新型进行了足够详细的具有一定特殊性的描述。所属领域内的普通技术人员应该理解，实施例中的描述仅仅是示例性的，在不偏离本实用新型的真实精神和范围的前提下做出所有改变都应该属于本实用新型的保护范围。本实用新型所要求保护的范围是由所述的权利要求书进行限定的，而不是由实施例中的上述描述来限定的。
【主权项】
1.一种QFN封装结构，其特征是:包括由银制成的基材(I)，所述基材(I)的厚度为40-60um，所述基材(I)上通过粘合层(2)固定有芯片(3)，所述芯片(3)通过引线(4)与所述基材(I)相连，所述基材(I)上设置有覆盖所述基材(I)、所述芯片(3)及引线(4)的塑封体(5)。2.按照权利要求1所述的QFN封装结构，其特征是:所述QFN封装结构的封装厚度为0.25-0.75mm03.按照权利要求1或2所述的QFN封装结构，其特征是:所述基材(I)的中央布置有支撑载体(6)，所述支撑载体(6)的周围布置有多个焊接区(7)，所述焊接区(7)间的间距大于等于0.3mmο
【专利摘要】本实用新型涉及一种QFN封装结构，包括由银制成的基材，所述基材的厚度为40-60um，所述基材上通过粘合层固定有芯片，所述芯片通过引线与所述基材相连，所述基材上设置有覆盖所述基材、所述芯片及引线的塑封体；所述QFN封装结构的封装厚度为0.25-0.75mm。本实用新型采用银作为基材，没有多种金属的交互干扰和传递，保证了QFN产品的电性能和热性能，并且基材的厚度为40-60um，可实现QFN产品的小型化。
【IPC分类】H01L23/29, H01L23/373
【公开号】CN205282462
【申请号】CN201521134763
【发明人】陈莉, 司文全, 王建新
【申请人】无锡华润安盛科技有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2015年12月31日