一种高互调耦合结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种高互调耦合结构。
【背景技术】
[0002]微波耦合器是一种将主路输入微波信号能量耦合出一定能量到支路的器件，传统的耦合器包括以下两种耦合结构:(I)点耦合结构:通常利用两根内导体之间的空间进行耦合，通过调节耦合块与主路内导体之间的距离来调整耦合度，其优点是体积较小，不足之处是这种耦合结构在耦合度为40dB± IdB范围内的相对带宽只能到20%以内，无法实现宽带耦合。(2)多级级联耦合结构:这种技术方案是采用1/4波长结构实现的，如果要实现三倍频程带宽，最少需要采用两级级联耦合的方式来实现，这种方式可以较好地实现宽带性能，但是由于采用的是1/4波长线来实现，其体积明显增加(约为点耦合结构的3倍)，并且装配难度也明显增加，不易实现小体积结构。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种高互调耦合结构，该耦合结构通过绝缘螺杆进行互调，体积小，片状耦合体增强耦合性能。
[0004]本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:一种高互调耦合结构，它包括壳体，壳体内部中心为主导体，壳体的一侧设置有耦合块，耦合块的底部为一面积大于耦合块的片状耦合体，耦合块顶部与绝缘螺杆固定连接，绝缘螺杆通过螺纹与壳体连接，耦合块不与壳体接触，通过绝缘螺杆进行耦合块与主导体间距调节。
[0005]所述的片状耦合体为圆形片。
[0006]所述的绝缘螺杆为聚乙烯绝缘螺杆。
[0007]本实用新型的有益效果是:本实用新型公开了一种高互调耦合结构，该耦合结构通过绝缘螺杆进行互调，体积小，片状耦合体增强耦合性能。
【附图说明】
[0008]图1为親合结构不意图；
[0009]图中，1-壳体，2-主导体，3-耦合块，4-片状耦合体，5-绝缘螺杆。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案，但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。
[0011]如图1所示，一种高互调耦合结构，它包括壳体I，壳体I内部中心为主导体2，壳体I的一侧设置有耦合块3，耦合块3的底部为一面积大于耦合块3的片状耦合体4，耦合块3顶部与绝缘螺杆5固定连接，绝缘螺杆5通过螺纹与壳体I连接，耦合块3不与壳体I接触，通过绝缘螺杆5进行耦合块3与主导体2间距调节。
[0012]所述的片状耦合体4为圆形片。
[0013]所述的绝缘螺杆5为聚乙烯绝缘螺杆。
[0014]本实用新型的耦合结构使用时根据耦合需求旋转绝缘螺杆5进行耦合块3位置调节，耦合片4有助于增强耦合性能，满足耦合需求。
【主权项】
1.一种高互调耦合结构，其特征在于:它包括壳体(I)，壳体(I)内部中心为主导体(2)，壳体(I)的一侧设置有耦合块(3)，耦合块(3)的底部为一面积大于耦合块(3)的片状耦合体(4)，耦合块(3)顶部与绝缘螺杆(5)固定连接，绝缘螺杆(5)通过螺纹与壳体(I)连接，耦合块(3)不与壳体(I)接触，通过绝缘螺杆(5)进行耦合块(3)与主导体(2)间距调节。2.根据权利要求1所述的一种高互调耦合结构，其特征在于:所述的片状耦合体(4)为圆形片。3.根据权利要求1所述的一种高互调耦合结构，其特征在于:所述的绝缘螺杆(5)为聚乙稀绝缘螺杆。
【专利摘要】本实用新型公开了一种高互调耦合结构，它包括壳体（1），壳体（1）内部中心为主导体（2），壳体（1）的一侧设置有耦合块（3），耦合块（3）的底部为一面积大于耦合块（3）的片状耦合体（4），耦合块（3）顶部与绝缘螺杆（5）固定连接，绝缘螺杆（5）通过螺纹与壳体（1）连接，耦合块（3）不与壳体（1）接触，通过绝缘螺杆（5）进行耦合块（3）与主导体（2）间距调节。该耦合结构通过绝缘螺杆进行互调，体积小，片状耦合体增强耦合性能。
【IPC分类】H01P5/00
【公开号】CN205376719
【申请号】CN201620003156
【发明人】谭春明
【申请人】成都泰格微波技术股份有限公司
【公开日】2016年7月6日
【申请日】2016年1月5日