包含双键的交联剂单体及含有此单体的光致抗蚀剂共聚物的制作方法

专利名称：包含双键的交联剂单体及含有此单体的光致抗蚀剂共聚物的制作方法
技术领域：
本发明涉及包含双键的光致抗蚀剂交联剂单体，衍生自该单体的光致抗蚀剂聚合物，及包含该聚合物的光致抗蚀剂组合物。具体地说，本发明涉及酸不稳定的光致抗蚀剂交联剂单体，衍生自该单体的光致抗蚀剂聚合物，及包含该聚合物的光致抗蚀剂组合物。本发明的光致抗蚀剂组合物适于采用KrF，ArF，EUV，VUV及相似光源的光刻工艺。
最近，已研究化学放大型DUV光致抗蚀剂用于制备半导体装置的微影像形成工艺中增加感光性。该光致抗蚀剂是由掺合光酸产生剂与包括酸不稳定基团的基质树脂聚合物而制得。
在光刻工艺中，将光致抗蚀剂曝光于一特定波长光中从存在于光致抗蚀剂中的光酸产生剂产生酸。该产生的酸引起树脂的主链或支链分解或交联。此外，酸除去存在于聚合物中的酸不稳定基团并改变在曝光区域中的光致抗蚀剂的极性。这种极性的改变产生了在显影溶液中曝光部分和未曝光部分之间溶解度差异，因此使图案形成。所形成图案的清晰度视光源的波长而定，即，一般波长愈短，越能形成微细的图案。
一般，有效的光致抗蚀剂(在此处缩写为“PR”)具有各种所要的性质，例如优良的抗蚀刻性，抗热性和粘附性。此外，光致抗蚀剂应容易在商购的显影溶液，例如2.38重量％或2.6重量％的氢氧化四甲铵(TMAH)水溶液中快速显影。然而，合成符合全部所述性质的光致抗蚀剂聚合物是非常困难的。
已经研究树脂(也就是，光致抗蚀剂聚合物)像在193纳米的波长处具有高透明性及高抗蚀刻性的酚醛清漆树脂。此外，Bell研究中心的研究员已研究由增加树脂的聚合物主链中的脂环单元的数量改善抗蚀刻性。再者，Fujitsu和Sipri已经研究加入甲基丙烯酸酯和/或丙烯酸酯单体以改善抗蚀刻性的效果。不幸地，所产生的聚合物不具有令人满意的抗蚀刻性。而且，制备聚合物主链中具有增加的脂环单元的聚合物的成本明显较高。此外，许多光致抗蚀剂聚合物通常具有低粘附性；因此，在150纳米以下的密集L/S图案不可能适当地形成。
因此，需要提供具有上述特性的聚合物的光致抗蚀剂单体。
本发明人已发现在光致抗蚀剂薄膜的曝光区域和未曝光区域之间的对比率可由，在优选的情况下，将具有二个双键的交联剂单体加入到PR聚合物而提高。而且，已发现作为共聚单体的交联剂单体的加入也改善图案轮廓。
因此，本发明的一个目的是提供一种包含双键的光致抗蚀剂交联剂单体，优选的是包含二个双键。特别是包含酸不稳定基团的交联剂单体。
本发明的另一目的是提供一种衍生自该光致抗蚀剂交联剂单体的光致抗蚀剂聚合物。在优选的情况下，该聚合物具有优良的抗蚀刻性，再现性，耐久性，粘附性和清晰度。
本发明的另一目的是提供一种包含该光致抗蚀剂聚合物的光致抗蚀剂组合物。
下面对附图做简要说明

图1显示在实施例7中获得的光致抗蚀剂图案；图2显示在实施例8中获得的光致抗蚀剂图案；图3显示在实施例9中获得的光致抗蚀剂图案；
图4显示在实施例10中获得的光致抗蚀剂图案；图5显示在实施例11中获得的光致抗蚀剂图案；图6显示在实施例12中获得的光致抗蚀剂图案。
本发明提供一种新颖的能达到上述目的的光致抗蚀剂交联剂单体，和一种制备该单体的方法。本发明也提供一种衍生自上述光致抗蚀剂交联剂单体的光致抗蚀剂聚合物，和一种包含该光致抗蚀剂聚合物的光致抗蚀剂组合物。本发明也提供一种由使用该光致抗蚀剂组合物制造的半导体装置。
本发明的一个方面是提供一种下式1表示的光致抗蚀剂交联单体 R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7和R8各自独立地为H，或经取代或未经取代的直链或支链(C1-C5)烷基；和k是从0到3的整数。
优选的情况下，R7和R8各自独立地为H或CH3。
在本发明的另一个方面中，式1化合物优选的为式2或式3的化合物 其中R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，和k如上述定义。
如式2和3所示，本发明的交联剂单体优选具有二个双键。如下所示，当交联剂单体和其它的光致抗蚀剂共聚单体(等)的混合物被聚合时，本发明的交联剂单体允许交联聚合物的形成。而且，所述交联剂单体的交联剂单元可被在曝光区域中所产生的酸化学降解(即，断裂)。所述交联剂单元的酸降解提高了在PR聚合物的曝光区域和未曝光区域之间的对比率。
优选情况下，式2的交联剂单体选自由2，5-己二醇二丙烯酸酯、2，5-己二醇二甲基丙烯酸酯、2，4-戊二醇二丙烯酸酯、2，4-戊二醇二甲基丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二甲基丙烯酸酯(分别为化合物4，5，6，7，8和9)所组成的组
优选的包含本发明的交联剂单体的光致抗蚀剂聚合物(即，共聚物)包括下式的聚合物 其中R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，和k如上述定义。R9和R10各自独立地为H，或经取代或未经取代的直链或支链(C1-C5)烷基；i是0或1；m和n独立地为0到2的整数；及a∶b∶c∶d∶e的比例=0-80摩尔％∶1-30摩尔％∶1-30摩尔％∶0.1-48摩尔％∶10-50摩尔％。
所要了解的是表示于本发明聚合物式中的各单体单元的次序不必指示在实际聚合物中的该单体单元的实际次序。表示于聚合物式中的所述单体单元只是为了简单指示在所述聚合物中该种单体单元的存在，也就是，变数a，b，c，d，或e不是0。而且，这些变数a，b，c，d，和e表示每个单元的总相对比例。例如，衍生自顺-丁烯二酸酐的聚合单元的总数量“e”可分散于整个聚合物中(不必以相同浓度)或该聚合单元的全部或多数可集中在聚合物的特定位置。
如上所示，使用原来存在的二个双键，式1的交联剂单体可与其它光致抗蚀剂共聚单体一起聚合。由于衍生自所述交联剂单体的聚合单元的存在，所产生的聚合物是交联聚合物。而且，本发明的交联剂单体含有可被从曝光区域的光酸产生剂所产生的酸降解(也就是，水解)的酯部分。没有受限于任何理论，一般相信衍生自本发明的交联剂单体的聚合单元的酸降解改善了在曝光区域和未曝光区域之间的对比率。此外，不像其它的光致抗蚀剂单体，例如，5-降冰片烯-2-叔丁基羧酸酯，本发明的光致抗蚀剂交联剂单体不产生气体，例如，异丁烯。
如式10和11所示，本发明的聚合物可包括衍生自包括立体庞大基团的单体的聚合单元。因此，加入预定量的具有相对较小位阻现象的降冰片烯和四环十二碳烯以使其可适当地控制聚合物的分子量至大约5000到大约8000，增加大约40％或以上的聚合产率并改善聚合物的热稳定性。
而且，当降冰片烯和/或四环十二碳烯部分存在于所述聚合物中时，相对于传统紫外线的光致抗蚀剂，所述光致抗蚀剂的蚀刻速率度降低。例如，如果使用Cl2气的紫外线光致抗蚀剂的蚀刻速率是“1”，包含降冰片烯和/或四环十二碳烯部分的本发明的聚合物的蚀刻速率在大约0.8到大约0.92的范围。
本发明的光致抗蚀剂聚合物可由多种方法制备。在一特别优选的方法中，本发明的聚合物由将式1的交联剂单体加至其它适当的光致抗蚀剂单体(等)的混合物中而制备。
在本发明的一特别方面中，用于制备本发明的光致抗蚀剂聚合物的方法包括下列步骤(a)混合一种式1的交联剂单体，至少一种其它适当的光致抗蚀剂单体，和聚合作用引发剂；及(b)提供足以产生光致抗蚀剂聚合物的聚合条件。
在优选的情况下，在聚合之前将所述混合物溶解在有机溶剂中。多种有机溶剂可用于聚合反应中，优选的有机溶剂选自由环己酮、四氢呋喃、二甲基甲酰胺、二甲亚砜、二噁烷、甲基乙基酮、苯、甲苯和二甲苯及其混合物所组成的组中。
当多种反应条件从所述混合物产生聚合物时，在一特别具体实施例中，聚合条件包括在惰性气体下，优选在氮或氩气下加热所述混合物至大约60℃到大约70℃范围的温度约4小时到24小时。
优选的情况下，聚合引发剂选自由2，2′-偶氮双异丁腈(AIBN)、乙酰基过氧化物、月桂基过氧化物、过乙酸叔丁基酯、叔丁基过氧化氢和二叔丁基过氧化物所组成的组中。
此外，该方法还包括结晶和/或纯化所产生的聚合物。在一特别具体实施例中，由结晶的纯化作用可通过使用选自乙醚，石油醚，包括甲醇、乙醇和丙醇的醇类，水，和其混合物的结晶溶剂达到。
本发明也提供一种光致抗蚀剂组合物，其包括本发明的光致抗蚀剂聚合物，一种有机溶剂和一种光酸产生剂。
硫化物或鎓类化合物优选作为光酸产生剂使用。另外，适合的光酸产生剂选自包括六氟化磷酸二苯碘葎、六氟化砷酸二苯碘葎、六氟化锑酸二苯碘葎、三氟甲磺酸二苯基对甲氧基苯基酯、三氟甲磺酸二苯基对亚苄基酯、三氟甲磺酸二苯基对异丁基苯基酯、三氟甲磺酸二苯基对叔丁基苯基酯、六氟化磷酸三苯基锍、六氟化砷酸三苯基锍、六氟化锑酸三苯基锍、三氟甲磺酸三苯基锍、和三氟甲磺酸二丁基萘基锍。优选地，光酸产生剂的量为所使用的聚合物重量的0.05％到10％。已发现当光酸产生剂使用量小于大约0.05％时，PR组合物的光敏度被降低，并且当光酸产生剂使用量大于约10％时，由于其高的光吸收而造成差的图案形成。
用于光致抗蚀剂组合物的有机溶剂优选地选自由3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙二醇甲醚乙酸酯、环己酮、环戊酮、2-庚酮和乙酸(2-甲氧基)乙酯。所用溶剂的量优选为PR树脂(亦即PR聚合物)重量的大约200％到大约1000％范围。当涂布在适当的基材上例如半导体元件的制造中的硅晶片上时，该比例被发现在获得所要厚度的光致抗蚀剂层中特别有效。特别是，本发明人已发现当有机溶剂的量为PR聚合物的大约500重量％时，可获得具有0.5μm厚度的PR层。
在本发明的一个方面中，所述光致抗蚀剂组合物由将所述聚合物以10％到30重量％的量溶解在所使用的有机溶剂中，以所使用的聚合物的0.05％到10重量％的量将光酸产生剂混入，并用超细过滤器过滤所得混合物而制得。
本发明亦提供一种形成光致抗蚀剂图案的方法，其包括下列步骤(a)将上述的光致抗蚀剂组合物涂布于半导体元件的基材上以形成光致抗蚀剂薄膜；(b)使用一光源将光致抗蚀剂薄膜曝光；和(c)显影该光致抗蚀剂薄膜。
形成光致抗蚀剂图案的方法在曝光步骤(b)之前和/或之后还可以包括烘烤步骤。优选地，烘烤步骤在从大约70℃到在约200℃的温度范围内进行。
可有效形成PR图案的实例光源包括ArF、KrF、VUV、EUV、E-光束、X-射线和离子束。优选地，辐射能量在从大约1mJ/cm2到大约100mJ/cm2的范围内。
显影步骤(c)可使用碱性显影溶液或蒸馏水进行。碱性显影溶液优选为一种包括约0.01至约5重量％的TMAH的水溶液。
此外，本发明提供一种半导体装置，该装置使用上述光致抗蚀剂组合物制造。
本发明的其它目的，优点，和新颖特征对于本技术领域的技术人员来说通过下列实施例的检验后将会变得显而易见，这些实施例不用于限制本发明。Ⅰ、聚合物的制备实施例1聚(单-2-乙基-2-(羟甲基)丁基双环[2．2．1]庚-5-烯-2．3-二羧酸酯/顺-丁烯二酸酐/降冰片烯/叔丁基双环-[2．2．1]庚-5-烯-2-羧酸酯/2，5-己二醇二丙烯酸酯)的合成将单-2-乙基-2-(羟甲基)丁基双环[2．2．1］庚-5-烯-2，3-二羧酸酯(10毫摩耳)，顺-丁烯二酸酐(100毫摩尔)，降冰片烯(33毫摩尔)，叔丁基双环[2．2．1］庚-5-烯-2-羧酸酯(55毫摩尔)，2，5-己二醇二丙烯酸酯(2毫摩尔)和AIBN(0.30克)加至25毫升四氢呋喃中，将所获得的混合物加热到温度大约65℃保持8小时。将如此制备的聚合物沉淀在乙醚或乙醚/石油醚混合物中以产生粗固体。过滤固体且干燥以获得标题聚合物。实施例2聚(单-2-乙基-2-(羟甲基)丁基双环[2．2．1]庚-5-烯-2，3-二羧酸酯/顺-丁烯二酸酐/降冰片烯/叔丁基双环-[2．2．1]庚-5-烯-2-羧酸酯/2，4-戊二醇二丙烯酸酯)的合成重复实施例1的步骤，但使用2，4-戊二醇二丙烯酸酯(2毫摩尔)代替2，5-己二醇二丙烯酸酯(2毫摩尔)，获得标题聚合物。实施例3聚(单-2-乙基-2-(羟甲基)丁基双环[2．2．1]庚-5-烯-2，3-二羧酸酯/顺-丁烯二酸酐/降冰片烯/叔丁基双环-[2．2．1]庚-5-烯-2-羧酸酯/新戊二醇二丙烯酸酯)的合成重复实施例1的步骤，但使用新戊二醇二丙烯酸酯(2毫摩尔)代替2，5-己二醇二丙烯酸酯(2毫摩尔)，获得标题聚合物。实施例4聚(单-2-乙基-2-(羟甲基)丁基双环[2.2.1]庚-5-烯-2，3-二羧酸酯/顺-丁烯二酸酐/降冰片烯/叔丁基双环-[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸酯/2，5-己二醇二甲基丙烯酸酯)的合成重复实施例1的步骤，但使用2，5-己二醇二甲基丙烯酸酯(2毫摩尔)代替2，5-己二醇二丙烯酸酯(2毫摩尔)，获得标题聚合物。实施例5聚(单-2-乙基-2-(羟甲基)丁基双环[2.2.1]庚-5-烯-2，3-二羧酸酯/顺-丁烯二酸酐/降冰片烯/叔丁基双环-[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸酯/2，4-戊二醇二甲基丙烯酸酯)的合成重复实施例1的步骤，但使用2，4-戊二醇二甲基丙烯酸酯(2毫摩尔)代替2，5-己二醇二丙烯酸酯(2毫摩尔)，获得标题聚合物。实施例6聚(单-2-乙基-2-(羟甲基)丁基双环[2.2.1]庚-5-烯-2，3-二羧酸酯/顺-丁烯二酸酐/降冰片烯/叔丁基双环-[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸酯/新戊二醇二甲基丙烯酸酯)的合成重复实施例1的步骤，但使用新戊二醇二甲基丙烯酸酯(2毫摩尔)代替2，5-己二醇二丙烯酸酯(2毫摩尔)，获得标题聚合物。Ⅱ、光致抗蚀剂组合物的制备和图案的形成将如此制得的光致抗蚀剂组合物旋转涂布在硅晶片上，并于110℃的烘箱或热板软烘烤90秒。在烘烤之后，将所述光致抗蚀剂使用ArF激光曝光器曝光，然后于120℃后烘烤90秒。当后烘烤完成时，其在2.38重量％TMAH(氢氧化四甲铵)水溶液中显影40秒，获得0.13μmL/S图案(参见图1)。
将如此制得的光致抗蚀剂组合物旋转涂布在硅晶片上，并于110℃的烘箱或热板软烘烤90秒。在烘烤之后，将所述光致抗蚀齐剂使用ArF激光曝光器曝光，然后于120℃后烘烤90秒。当后烘烤完成时，其在2.38重量％TMAH(氢氧化四甲铵)水溶液中显影40秒，获得0.13μmL/S图案(参见图2)。
将如此制得的光致抗蚀剂组合物旋转涂布在硅晶片上，并于110℃的烘箱或热板软烘烤90秒。在烘烤之后，将所述光致抗蚀剂使用ArF激光曝光器曝光，然后于120℃后烘烤90秒。当后烘烤完成时，其在2.38重量％TMAH(氢氧化四甲铵)水溶液中显影40秒，获得0.13μmL/S图案(参见图3)。
将如此制得的光致抗蚀剂组合物旋转涂布在硅晶片上，并于110℃的烘箱或热板软烘烤90秒。在烘烤之后，将所述光致抗蚀剂使用ArF激光曝光器曝光，然后于120℃后烘烤90秒。当后烘烤完成时，其在2.38重量％TMAH(氢氧化四甲铵)水溶液中显影40秒，获得0.13μmL/S图案(参见图4)。
将如此制得的光致抗蚀剂组合物旋转涂布在硅晶片上，并于110℃的烘箱或热板软烘烤90秒。在烘烤之后，将所述光致抗蚀剂使用ArF激光曝光器曝光，然后于120℃后烘烤90秒。当后烘烤完成时，其在2.38重量％TMAH(氢氧化四甲铵)水溶液中显影40秒，获得0.13μmL/S图案(参见图5)。
将如此制得的光致抗蚀剂组合物旋转涂布在硅晶片上，并于110℃的烘箱或热板软烘烤90秒。在烘烤之后，将所述光致抗蚀剂使用ArF激光曝光器曝光，然后于120℃后烘烤90秒。当后烘烤完成时，其在2.38重量％TMAH(氢氧化四甲铵)水溶液中显影40秒，获得0.13μmL/S图案(参见图6)。
正如上述所讨论，本发明的光致抗蚀剂聚合物包括衍生自交联剂单体的聚合单元。所述交联剂单体包括可被酸降解(例如，断裂或水解)的官能部分。结果，在本发明的聚合物中的交联剂单元可被在曝光区域中所产生的酸水解。一般相信交联剂的酸降解反应使得曝光区域和未曝光区域之间的对比率增加。而且，本发明的聚合物不产生例如异丁烯的气体，因此限制了气体产生。
本发明人已发现本发明的光致抗蚀剂组合物除了具有优异的清晰度，感光性，耐久性和再现性之外还改善了图案的轮廓并提高了粘附性。
权利要求
1．一种衍生自单体的光致抗蚀剂聚合物，该聚合物包括(ⅰ)下式的交联剂单体 R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7和R8各自独立地为H，或经取代或未经取代的直链或支链(C1-C5)烷基；和k是从0到3的整数；及(ⅱ)至少一种其它适当的光致抗蚀剂单体。
2．根据权利要求1的光致抗蚀剂聚合物，其中所说的交联剂单体选自由下式的化合物
3．根据权利要求1的光致抗蚀剂聚合物，其中所说的交联剂单体选自由2，5-己二醇二丙烯酸酯、2，5-己二醇二甲基丙烯酸酯、2，4-戊二醇二丙烯酸酯、2，4-戊二醇二甲基丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、和新戊二醇二甲基丙烯酸酯所组成的组中。
4．根据权利要求1的光致抗蚀剂聚合物，其式为 其中R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，和k如权利要求1所定义；R9和R10各自独立地为H，或经取代或未经取代的直链或支链(C1-C5)烷基；i是0或1；m和n独立地为0到2的整数；及a∶b∶c∶d∶e的比例=0-80摩尔％∶1-30摩尔％∶1-30摩尔％∶0.1-48摩尔％∶10-50摩尔％。
5．一种制备权利要求1的光致抗蚀剂聚合物的方法，该方法包括下列步骤(a)混合(ⅰ)一种下式的交联剂单体 其中A，B，R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，和k如权利要求1所定义；(ⅱ)至少一种其它适当的光致抗蚀剂单体，和(ⅲ)一种聚合作用引发剂；及(b)提供足以从步骤a)所获得的混合物制备所说的光致抗蚀剂聚合物的聚合条件。
6．根据权利要求5的方法，其中所说的聚合条件包括在惰性气体下将所说的混合物加热至大约60到大约70℃的温度范围保持4到24小时。
7．根据权利要求5的方法，其中所说的混合物还包括选自由环己酮、四氢呋喃、二甲基甲酰胺、二甲亚砜、二噁烷、甲基乙基酮、苯、甲苯、二甲苯和其混合物所组成的组中的一种有机溶剂。
8．根据权利要求5的方法，其中所说的聚合作用引发剂选自由2，2＇-偶氮双异丁腈(AIBN)、乙酰过氧化物、月桂基过氧化物、过乙酸叔丁基酯，叔丁基过氧化氢和二叔丁基过氧化物所组成的组中。
9．根据权利要求5的方法，该方法还包括由使用选自乙醚、石油醚、醇、水和其混合物的结晶溶剂的结晶作用纯化聚合物的步骤。
10．一种光致抗蚀剂组合物，该组合物含有(ⅰ)一种权利要求1的光致抗蚀剂聚合物，(ⅱ)一种有机溶剂，和(ⅲ)一种光酸产生剂。
11．根据权利要求10的组合物，其中所说的光酸产生剂为硫化物或鎓类化合物。
12．根据权利要求10的组合物，其中所说的光酸产生剂包括六氟化磷酸二苯碘葎、六氟化砷酸二苯碘葎、六氟化锑酸二苯碘葎、三氟甲磺酸二苯基对甲氧基苯基酯、三氟甲磺酸二苯基对亚苄基酯、三氟甲磺酸二苯基对异丁基苯基酯、三氟甲磺酸二苯基对叔丁基苯基酯、六氟化磷酸三苯基锍、六氟化砷酸三苯基锍、六氟化锑酸三苯基锍、三氟甲磺酸三苯基锍、三氟甲磺酸二丁基萘基锍或其混合物。
13．根据权利要求10的组合物，其中所说的光酸产生剂的量为所说的光致抗蚀剂聚合物重量的大约0.05到大约10％。
14．根据权利要求10的组合物，其中所说的有机溶剂选自由3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙二醇单甲醚乙酸酯、环己酮、环戊酮、2-庚酮和乙酸(2-甲氧基)乙酯所组成的组中。
15．根据权利要求10的组合物，其中所说的有机溶剂的量为所说的光致抗蚀剂聚合物重量的大约200到大约1000％。
16．一种形成光致抗蚀剂图案的方法，该方法包括下列步骤(a)将根据权利要求10的所说的光致抗蚀剂组合物涂布至半导体装置的基材上以形成光致抗蚀剂薄膜；(b)使用一光源将光致抗蚀剂薄膜曝光；和(c)显影该经曝光的光致抗蚀剂薄膜。
17．根据权利要求16的方法，该方法还包括在步骤(b)的曝光之前和/或之后的烘烤步骤。
18．根据权利要求17的方法，其中所述的烘烤步骤在70到200℃进行。
19．根据权利要求16的方法，其中所说的光源为ArF、KrF、VUV、EUV、E-光束、X-射线或离子束。
20．根据权利要求16的方法，其中将所说的光致抗蚀剂薄膜以大约1毫焦耳/平方厘米至大约100毫焦耳/平方厘米的曝光能量辐射。
21．一种半导体装置，该装置根据权利要求16的方法制得。
全文摘要
本发明提供一种式1的交联剂单体,由包含该交联剂单体的单体生成的光致抗蚀剂聚合物,及包含该光致抗蚀剂聚合物的光致抗蚀剂组合物。光致抗蚀剂聚合物的交联单元可被曝光区域中由光酸产生剂产生的酸水解(或降解或断裂)。据信该交联单元的酸降解增加了曝光区域和未曝光区域之间的对比率。本发明的光致抗蚀剂组合物具有改善的图案轮廓,增强的粘附性,优异的清晰度,感光性,耐久性及再现性。
文档编号H02J3/00GK1285529SQ00123479
公开日2001年2月28日 申请日期2000年8月17日 优先权日1999年8月23日
发明者李根守, 郑载昌, 白基镐 申请人:现代电子产业株式会社