专利名称：过电压控制模块的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电工、电子领域的器件，具体地讲本实用新型涉及一种过电压控制模块。在国际专利分类表中本实用新型应该分为H02H小类。
背景技术：
目前，有的过电压保护模块结构还是合理的，使用也是方便的，其不足之处是保护模块为二端元件，只能对单相电路过压事故进行保护，颇为不足。目前使用的附加过电压保护功能的漏电保安器，由于电路系统仍采用印刷电路板、分立元件的结构，在电路元件中有电解电容，由于对温度、湿度、尘埃、腐蚀性气体等使用环境的耐受性差，会对这种漏电保安器的工作性能造成不利的影响。
发明内容
本实用新型的发明目的在于针对已有技术的不足，提供一种集成化、结构简单、便于安装使用，对环境适应能力强，对交流单相、交流三相、直流供电系统都能稳定可靠工作的过电压控制模块。
本实用新型的发明目的是通过下述技术方案实现的所述的过电压控制模块有三支二极管VD1、VD2、VD3，所述的过电压控制模块有一个包括压敏电阻R1和可控硅VDT的过电压开关电路。
所述的过电压控制模块有四个引脚，分别为引脚1、引脚2、引脚3、引脚4。
所述的过电压控制模块的引脚2连接二极管VD1的正极，所述的过电压控制模块的引脚3连接二极管VD2的正极，所述的过电压控制模块的引脚4连接二极管VD3的正极；二极管VD1、VD2、VD3的负极相连接，可控硅VDT的阳极连接二极管VD1、VD2、VD3的负极，压敏电阻R1的一端连接二极管VD1、VD2、VD3的负极。
压敏电阻R1的另一端连接二极管VD4的正极，二极管VD4的负极连接可控硅VDT的控制极，电阻R3的一端连接可控硅VDT的控制极，可控硅VDT的阴极连接所述的过电压控制模块的引脚1，电阻R3的另一端连接所述的过电压控制模块的引脚1。
在具体实施例中所述的过电压模块有一个电容C1，所述的电容C1的一端连接可控硅VDT的控制极，所述的电容C1的另一端连接所述的过电压控制模块的引脚1。
所述的过电压控制模块有一个防止可控硅VDT瞬态过电压的抑制电路，所述的抑制电路为电阻R2、电容C2串联电路，所述的电阻R2的一端连接二极管VD1、VD2、VD3的负极，所述的电阻R2的另一端连接电容C2的一端，所述电容C2的另一端连接所述的过电压控制模块的引脚1。
所述的过电压控制模块的外侧封有一层树脂或绝缘材料层。
由于本实用新型采用了上述的技术方案，因为本实用新型集成化、结构简单，所以便于安装使用，性能稳定可靠。本实用新型对环境适应能力强，对交、直流都能稳定可靠地工作，是一种新型的系列化的过电压控制模块产品。
下面对本实用新型的附图进行说明附图1是过电压控制模块在三相交流电路中的工作原理图。方框中的部分是过电压控制模块。
附图2是过电压控制模块在交流单相电路中的工作原理图。方框中的部分是过电压控制模块。
附图3是过电压控制模块在直流电路中的工作原理图。方框中的部分是过电压控制模块。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明附图1是过电压控制模块在三相交流电路中的工作原理图。方框中的部分是过电压控制模块，也就是说方框中的内容就是所述的本实用新型的过电压控制模块。从附图1中可以看到所述的过电压控制模块的引脚2连接二极管VD1的正极，所述的过电压控制模块的引脚3连接二极管VD2的正极，所述的过电压控制模块的引脚4连接二极管VD3的正极；二极管VD1、VD2、VD3的负极相连接，可控硅VDT的阳极连接二极管VD1、VD2、VD3的负极，压敏电阻R1的一端连接二极管VD1、VD2、VD3的负极，电阻R2的一端连接二极管VD1、VD2、VD3的负极。
压敏电阻R1的另一端连接二极管VD4的正极，二极管VD4的负极连接可控硅VDT的控制极，电阻R3的一端连接可控硅VDT的控制极，电容C1的一端连接可控硅VDT的控制极，电阻R2的另一端连接电容C2的一端，可控硅VDT的阴极连接所述的过电压控制模块的引脚1，电容C1另一端连接所述的过电压控制模块的引脚1，电阻R3的另一端连接所述的过电压控制模块的引脚1，电容C2的另一端连接所述的过电压控制模块的引脚1，跳闸线圈YA的一端连接所述的过电压控制模块的引脚1，跳闸线圈YA的另一端连接N线。
选择压敏电阻R1适当的导通电压值来控制可控硅VDT的通与断。配合跳闸线圈YA、断路器SA来实现对供电线路的过电压控制。设定压敏电阻R1适当的导通电压值，当L1、L2、L3对N的电压低于压敏电阻R1的导通值时，压敏电阻R1不导通，可控硅VDT控制极无触发电流，可控硅VDT截止。跳闸线圈YA不吸合，断路器SA处于合闸位置，供电线路正常向用户供电。
当L1对N的电压超过压敏电阻R1的导通值时，压敏电阻R1导通，可控硅VDT控制极有触发电流通过，可控硅VDT导通。在L1、二极管VD1、可控硅VDT、跳闸线圈YA和N线之间形成回路。跳闸线圈YA吸合，断路器SA跳闸，断开供电电路。
当L2对N的电压超过压敏电阻R1的导通值时，压敏电阻R1导通，可控硅VDT控制极有触发电流通过，可控硅VDT导通。在L2、二极管VD2、可控硅VDT、跳闸线圈YA和N线之间形成回路。跳闸线圈YA吸合，断路器SA跳闸，断开供电电路。
当L3对N的电压超过压敏电阻R1的导通值时，压敏电阻R1导通，可控硅VDT控制极有触发电流通过，可控硅VDT导通。在L3、二极管VD3、可控硅VDT、跳闸线圈YA和N线之间形成回路。跳闸线圈YA吸合，断路器SA跳闸，断开供电电路。
二极管VD1、VD2、VD3是整流、隔离二极管。
压敏电阻R1、二极管VD4和电阻R3构成可控硅VDT的控制极触发电路。电容C1是为防止可控硅VDT误触发而设置的。
电阻R2、电容C2构成防止可控硅VDT瞬态过电压的抑制电路。
附图2是过电压控制模块在交流单相电路中的工作原理图。方框中的部分是过电压控制模块。当L对N的电压超过压敏电阻R1的导通值时，压敏电阻R1导通，可控硅VDT控制极有触发电流通过，可控硅VDT导通。在L、二极管VD2、可控硅VDT、跳闸线圈YA和N线之间形成回路。跳闸线圈YA吸合，断路器SA跳闸，断开供电电路。
附图3是过电压控制模块在直流电路中的工作原理图。方框中的部分是过电压控制模块。当电源正极(+)对负极(-)之间的电压值超过压敏电阻R1的导通值时，压敏电阻R1导通，可控硅VDT控制极有触发电流通过，可控硅VDT导通。在电源正极(+)、二极管VD2、可控硅VDT、跳闸线圈YA和电源负极(-)之间形成回路。跳闸线圈YA吸合，断路器SA跳闸，断开供电电路。
实验证明，本实用新型结构简单、便于安装、运行稳定可靠、使用寿命长，本实用新型对环境适应能力强，对交、直流都能稳定可靠地工作，是一种新型的系列化的过电压控制模块产品。
权利要求1.一种过电压控制模块，其特征在于所述的过电压控制模块有三支二极管VD1、VD2、VD3，所述的过电压控制模块有一个包括压敏电阻R1和可控硅VDT的过电压开关电路；所述的过电压控制模块有四个引脚，分别为引脚1、引脚2、引脚3、引脚4；所述的过电压控制模块的引脚2连接二极管VD1的正极，所述的过电压控制模块的引脚3连接二极管VD2的正极，所述的过电压控制模块的引脚4连接二极管VD3的正极；二极管VD1、VD2、VD3的负极相连接，可控硅VDT的阳极连接二极管VD1、VD2、VD3的负极，压敏电阻R1的一端连接二极管VD1、VD2、VD3的负极；压敏电阻R1的另一端连接二极管VD4的正极，二极管VD4的负极连接可控硅VDT的控制极，电阻R3的一端连接可控硅VDT的控制极，可控硅VDT的阴极连接所述的过电压控制模块的引脚1，电阻R3的另一端连接所述的过电压控制模块的引脚1。
2.根据权利要求1所述的过电压控制模块，其特征在于所述的过电压控制模块有一个电容C1，所述的电容C1的一端连接可控硅VDT的控制极，所述的电容C1的另一端连接所述的过电压控制模块的引脚1。
3.根据权利要求1所述的过电压控制模块，其特征在于所述的过电压控制模块有一个防止可控硅VDT瞬态过电压的抑制电路，所述的抑制电路为电阻R2、电容C2串联电路，所述的电阻R2的一端连接二极管VD1、VD2、VD3的负极，所述的电阻R2的另一端连接电容C2的一端，所述电容C2的另一端连接所述的过电压控制模块的引脚1。
4.根据权利要求1所述的过电压控制模块，其特征在于所述的过电压控制模块的外侧封有一层树脂或绝缘材料层。
专利摘要本实用新型涉及一种过电压控制模块，主要特点在于所述的过电压控制模块有一个包括压敏电阻R
文档编号H02H9/04GK2671198SQ20032010174
公开日2005年1月12日 申请日期2003年10月27日 优先权日2003年10月27日
发明者杨季民 申请人:杨季民