专利名称：一种瞬态电压抑制器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种瞬态电压抑制器，属于半导体元器件领域。
背景技术：
瞬态电压抑制器是一种用于保护器件的半导体元器件，如附图1-3所示，当瞬态 电压抑制器的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其 两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预 定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时 间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优 点。目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、 仪器仪表(电度表)、RS232/422/423/485、I/0、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、 GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、 声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。现有的瞬态电压抑制器具有较高的结电容Cp400W SMAJ系列的典型Cj如附图3 所示当用在高频线路时，这么高的q与线路中的电感形成振荡回路，就会影响被保护 器件的正常工作；如用于以下线路保护时，就需要用低结电容TVS 1)高速数据线保护；2) USB 端口 保护；3)便携式设备保护；4)局域网和宽带网设备保护；5)交换系统保护以及以太网交换机保护。因此如何制造低结电容的瞬态电压抑制器，是本实用新型研究的问题。 发明内容本实用新型提供一种低结电容的瞬态电压抑制器，其目的是要解决现有瞬态电压 抑制器的结电容较高，高频性能较差的技术问题。为达到上述目的，本实用新型采用的第一技术方案是一种瞬态电压抑制器，包 括瞬态电压抑制二极管，其具有P极面和N极面，整流二极管，其具有P极面和N极面，其中该整流二极管的P极面通过焊锡与所述 瞬态电压抑制二极管的P极面连接，第一铜引线，该第一铜引线的一端通过焊锡连接到所述瞬态电压抑制二极管的N 极面，第一铜引线的另一端作为所述瞬态电压抑制器的阴极端子；第二铜引线，该第二铜引线的一端通过焊锡连接到所述整流二极管的N极面，第二铜引线的另一端作为所述瞬态电压抑制器的阳极端子。为达到上述目的，本实用新型采用的第二技术方案是一种瞬态电压抑制器，包 括瞬态电压抑制二极管，其具有P极面和N极面，整流二极管，其具有P极面和N极面，其中该整流二极管的N极面通过焊锡与所述 瞬态电压抑制二极管的N极面连接，第一铜引线，该第一铜引线的一端通过焊锡连接到所述瞬态电压抑制二极管的P 极面，第一铜引线的另一端作为所述瞬态电压抑制器的阳极端子；第二铜引线，该第二铜引线的一端通过焊锡连接到所述整流二极管的P极面，第 二铜引线的另一端作为所述瞬态电压抑制器的阴极端子。由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点一方面，通过芯片的叠加，简单实现了低结电容二极管与瞬态电压抑制二极管TVS 芯片的串联，提高了瞬态电压抑制器的高频性能，另一方面，首先，工艺简单与单个瞬态电 压抑制二极管TVS相比，仅增加一次晶粒装填和一次焊片装填；其次，成本较低，与单个瞬 态电压抑制二极管TVS相比，主要是增加了价格低廉的普通整流二极管。
附图1为瞬态电压抑制器应用示意图；附图2为现有瞬态电压抑制器结构图；附图3为现有瞬态电压抑制器性能测试图；附图4为本实用新型瞬态电压抑制器第一种方案结构图；附图5为本实用新型瞬态电压抑制器第一种方案原理示意图；附图6为本实用新型瞬态电压抑制器第二种方案结构图；附图7为本实用新型瞬态电压抑制器第二种方案原理示意图。以上附图中1、瞬态电压抑制二极管；2、整流二极管；3、焊锡；4、第一铜引线；5、 第二铜引线。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述实施例一一种瞬态电压抑制器，包括瞬态电压抑制二极管1，其具有P极面和N极面，整流二极管2，其具有P极面和N极面，其中该整流二极管2的P极面通过焊锡3 与所述瞬态电压抑制二极管1的P极面连接，第一铜引线4，该第一铜引线4的一端通过焊锡3连接到所述瞬态电压抑制二极管 1的N极面，第一铜引线4的另一端作为所述瞬态电压抑制器的阴极端子；第二铜引线5，该第二铜引线5的一端通过焊锡3连接到所述整流二极管2的N极 面，第二铜引线5的另一端作为所述瞬态电压抑制器的阳极端子。结电容降低原理说明根据电容串联原理可计算总结电容如下r^.f \ — Ct C2 (Cl + C2)以 P4KE6. 8A 与 1N4004G 叠加为例P4KE6. 8A 的 C1 = 1500pF(典型值)；1N4004G 的 C2 = 7pF ；C(总)=7*1500/(7+1500) = 6. 97pF ；整流二极管2的选用整流二极管2的正向浪涌能力IFSM(正向峰值浪涌电流) 必须达到或超过瞬态电压抑制二极管1即TVS的IPPM(最大脉冲峰值电流)值；实施例二 一种瞬态电压抑制器，包括瞬态电压抑制二极管1，其具有P极面和N极面，整流二极管2，其具有P极面和N极面，其中该整流二极管2的N极面通过焊锡3 与所述瞬态电压抑制二极管1的N极面连接，第一铜引线4，该第一铜引线4的一端通过焊锡3连接到所述瞬态电压抑制二极管 1的P极面，第一铜引线4的另一端作为所述瞬态电压抑制器的阳极端子；第二铜引线5，该第二铜引线5的一端通过焊锡3连接到所述整流二极管2的P极 面，第二铜引线5的另一端作为所述瞬态电压抑制器的阴极端子。根据电容串联原理可计 算总结电容如下以 P4KE6. 8A 与 1N4004G 叠加为例P4KE6. 8A 的 C1 = 1500pF(典型值)；1N4004G 的 C2 = 7pF ；C(总)=7*1500/(7+1500) = 6. 97pF ；整流二极管2的选用整流二极管2的正向浪涌能力IFSM(正向峰值浪涌电流) 必须达到或超过瞬态电压抑制二极管1即TVS的IPPM(最大脉冲峰值电流)值；上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术 的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。 凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之 内。
权利要求一种瞬态电压抑制器，其特征在于包括瞬态电压抑制二极管(1)，其具有P极面和N极面，整流二极管(2)，其具有P极面和N极面，其中该整流二极管(2)的P极面通过焊锡(3)与所述瞬态电压抑制二极管(1)的P极面连接，第一铜引线(4)，该第一铜引线(4)的一端通过焊锡(3)连接到所述瞬态电压抑制二极管(1)的N极面，第一铜引线(4)的另一端作为所述瞬态电压抑制器的阴极端子；第二铜引线(5)，该第二铜引线(5)的一端通过焊锡(3)连接到所述整流二极管(2)的N极面，第二铜引线(5)的另一端作为所述瞬态电压抑制器的阳极端子。
1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于包括 瞬态电压抑制二极管(1)，其具有P极面和N极面，整流二极管(2)，其具有P极面和N极面，其中该整流二极管(2)的N极面通过焊锡(3) 与所述瞬态电压抑制二极管(1)的N极面连接，第一铜引线(4)，该第一铜引线(4)的一端通过焊锡(3)连接到所述瞬态电压抑制二极 管(1)的P极面，第一铜引线(4)的另一端作为所述瞬态电压抑制器的阳极端子；第二铜引线(5)，该第二铜引线(5)的一端通过焊锡(3)连接到所述整流二极管(2)的 P极面，第二铜引线(5)的另一端作为所述瞬态电压抑制器的阴极端子。
专利摘要一种瞬态电压抑制器，包括整流二极管，其具有P极面和N极面，其中该整流二极管的P极面或N极面通过焊锡与所述瞬态电压抑制二极管的P极面或N极面连接，第一铜引线，该第一铜引线的一端通过焊锡连接到所述瞬态电压抑制二极管的N极面或P极面，第一铜引线的另一端作为所述瞬态电压抑制器的阴极端子或阳极端子；第二铜引线，该第二铜引线的一端通过焊锡连接到所述整流二极管的N极面或P极面，第二铜引线的另一端作为所述瞬态电压抑制器的阳极端子或阴极端子。本实用新型降低了结电容，大大提高了瞬态电压抑制器的高频性能。
文档编号H02H9/04GK201754503SQ20102012925
公开日2011年3月2日 申请日期2010年3月3日 优先权日2010年3月3日
发明者葛永明, 许卫岗 申请人:苏州固锝电子股份有限公司