一种应用于双反激拓扑结构电源模块的过压保护电路的制作方法

文档序号:7326791阅读:283来源:国知局
专利名称:一种应用于双反激拓扑结构电源模块的过压保护电路的制作方法
技术领域
本实用新型涉及双反激拓扑结构电源模块的电路,具体地涉及一种过压保护电路。
背景技术
现有双反激拓扑结构电源模块的过压保护都通过反激控制芯片自身进行保护,双 反激拓扑电源模块的简图参看附

图1,由反激控制芯片1作为第一部分反激拓扑,由反激控 制芯片2构成第二部分反激拓扑。Vcc是一个恒定电压给反激控制芯片供电,Vin是交流电 源经整流滤波后的直流电压输出端,三极管Vl和V2是反激电源的功率开关管,Tl和T2是 反激变压器,Cl和C2是FB脚接地电容,N3和N4为光电耦合器,其作用是通过反馈网络将 次级电压信号反馈到初级。现有双反激拓扑电源模块的工作原理是当电源正常工作时,反馈信号正常,光电 耦合器N3和N4都会导通,反激控制芯片FB脚会输出电流经过光电耦合器流到地,保证FB 脚电压在保护点以下。当电源反馈环开环时,反馈信号消失,电源失去负反馈调节作用,输出电压会升 高,危及后级电路安全。反馈信号消失后,反激控制芯片内部就会通过一个恒流源对FB脚 的外接电容充电,导致FB脚的电压上升,当FB脚电压达到芯片内部的设定值(Vref)时,就 会触发芯片的保护功能,此时芯片驱动信号关闭,芯片停止工作,输出电压消失,保护后级 电路,完成过压保护功能。由于反激控制芯片内部的恒流源提供的电流很小,对FB脚外接电容充电直到达 到保护点的这段时间很长,在这段时间内输出电压会持续升高,也有可能超出后级电路的 耐压值,损坏后级电路。

实用新型内容本实用新型为解决上述问题,实现在输出电压异常冲高时达到快速过压保护的目 的,提供一种应用于双反激拓扑结构电源模块的过压保护电路。本实用新型实现发明目的采用的技术方案是,一种应用于双反激拓扑结构电源模 块的过压保护电路,连接反激控制芯片1和2,所述过压保护电路包括二极管Dl和D2、三极 管Q1、光电耦合器N5、稳压二极管ZDl和ZD2,所述光电耦合器N5的受光器集电极通过上位 电阻R4连接恒压电源,所述稳压二极管ZDl和ZD2并联,稳压二极管ZDl的负极连接第一 输出电压端,稳压二极管ZD2的负极连接第二输出电压端,所述第一输出电压端通过电阻 R3连接到所述光电耦合器N5的发光源正极,所述光电耦合器N5的发光源负极连接到所述 三极管Ql的集电极,所述稳压二极管ZDl和ZD2的正极通过电阻Rl连接到三极管Ql的基 极,所述三极管Ql的基极通过电阻R2接地,三极管Ql的发射极直接接地,所述二极管Dl 和D2并联,二极管Dl和D2的正极均连接所述光电耦合器N5的受光器发射极,二极管Dl 的负极连接反激控制芯片1的FB引脚,二极管D2的负极连接反激控制芯片2的FB引脚。[0008]所述第一输出电压端的输出电压为5V,所述第二输出电压端的输出电压为12V。本实用新型的有益效果是,电路设计简单,可靠性高,可以在输出电压异常冲高时 快速达到过压保护,同时可以限制输出电压冲的过高,从而保护了后级线路不被输出电压 的冲高而损坏。说明书附图图1,现有双反激拓扑电源模块的简图。图2,本实用新型双反激拓扑电源模块电路图。
具体实施方式
以下结合附图2对本实用新型进行详细说明。一种应用于双反激拓扑结构电源模块的过压保护电路(图2中虚线框所示),连接 反激控制芯片1和反激控制芯片2,过压保护电路包括二极管Dl和D2、三极管Q1、光电耦合 器N5、稳压二极管ZDl和ZD2,光电耦合器N5的受光器集电极通过上位电阻R4连接恒压电 源Vcc,稳压二极管ZDl和ZD2并联,稳压二极管ZDl的负极连接5V输出电压端,稳压二极 管ZD2的负极连接12V输出电压端,5V输出电压端通过电阻R3连接到光电耦合器N5的发 光源正极,光电耦合器N5的发光源负极连接到三极管Ql的集电极,稳压二极管ZDl和ZD2 的正极通过电阻Rl连接到三极管Ql的基极,所述三极管Ql的基极通过电阻R2接地,三极 管Ql的发射极直接接地,所述二极管Dl和D2并联,二极管Dl和D2的正极均连接光电耦 合器N5的受光器发射极,二极管Dl的负极连接反激控制芯片1的FB引脚,二极管D2的负 极连接反激控制芯片2的FB引脚。本实用新型的工作原理是当5V输出电压异常高于5. 6V时,稳压二极管ZDl被击 穿,三极管Ql导通,光电耦合器N5导通,经由二极管Dl和D2将Vcc电压灌至反激控制芯片 1和反激控制芯片2的FB脚,加快两个反激控制芯片的FB脚电压Vfb的上升速度,使之更 快达到保护点。这样过压保护响应的速度就加快,输出电压上升的幅度就小。触发保护功 能后,控制芯片停止向开关管Vl和V2输出驱动信号,输出电压消失,从而限制了 5V和12V 输出电压的冲的过高。当12V电压异常高于13V时,稳压二极管ZD2被击穿,三极管Ql导通,光电耦合器 N5也导通,经由二极管Dl和D2将Vcc电压灌至反激控制芯片1和反激控制芯片2的FB 脚,使两个芯片的FB脚电压Vfb迅速冲高达到保护点,从而限制了 5V和12V输出电压的冲 的过高。最后应说明的是以上实施例仅用以说明本实用新型而并非限制本实用新型所描 述的技术方案;因此尽管本说明书参照上述的各个实施例对本实用新型已进行了详细的说 明,但是本领域的技术人员应当理解,仍然可以对本实用新型进行修改或等同替换;而一切 不脱离本实用新型的精神和范围的技术方案及其改进,其均应涵盖在本实用新型的权利要 求范围中。
权利要求1.一种应用于双反激拓扑结构电源模块的过压保护电路,连接反激控制芯片(1)和 0),其特征在于所述过压保护电路包括二极管(Dl)和(D2)、三极管(Q1)、光电耦合器 (N5)、稳压二极管(ZDl)和(ZD2),所述光电耦合器(阳)的受光器集电极通过上位电阻 (R4)连接恒压电源,所述稳压二极管(ZDl)和(Z^)并联,稳压二极管(ZDl)的负极连接 第一输出电压端,稳压二极管(ZD2)的负极连接第二输出电压端,所述第一输出电压端通 过电阻0 )连接到所述光电耦合器(阳)的发光源正极,所述光电耦合器(阳)的发光源负 极连接到所述三极管Oil)的集电极,所述稳压二极管(ZDl)和(Z^)的正极通过电阻(Rl) 连接到三极管Oil)的基极,所述三极管Oil)的基极通过电阻(似)接地,三极管Oil)的发 射极直接接地,所述二极管(Dl)和(拟)并联,二极管(Dl)和(拟)的正极均连接所述光电 耦合器(N5)的受光器发射极,二极管(Dl)的负极连接反激控制芯片(1)的FB引脚,二极 管(D2)的负极连接反激控制芯片O)的FB引脚。
2.根据权利要求1所述的一种应用于双反激拓扑结构电源模块的过压保护电路,其特 征在于所述第一输出电压端的输出电压为5V,所述第二输出电压端的输出电压为12V。
专利摘要本实用新型提供一种应用于双反激拓扑结构电源模块的过压保护电路,连接反激控制芯片1和2,所述过压保护电路包括二极管D1和D2、三极管Q1、光电耦合器N5、稳压二极管ZD1和ZD2,本实用新型电路设计简单,可靠性高,可以在输出电压异常冲高时快速达到过压保护,同时可以限制输出电压冲的过高,从而保护了后级线路不被输出电压的冲高而损坏。
文档编号H02H7/10GK201904607SQ20102067782
公开日2011年7月20日 申请日期2010年12月23日 优先权日2010年12月23日
发明者乔景明, 梁盛贤 申请人:康佳集团股份有限公司
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