基于mems的开关系统的制作方法

文档序号:7340195阅读:160来源:国知局
专利名称:基于mems的开关系统的制作方法
技术领域
本文公开的主题涉及开关系统。具体来说,本发明的示例实施例涉及基于微机电系统(MEMS)的开关系统,其中包括电动机起动器和电流中断装置。
背景技术

发明内容
按照本发明的一示例实施例,用于控制电流的装置可包括控制电路、与控制电路进行通信的微机电系统(MEMS)开关、响应控制电路而促进电流中断的MEMS开关、部署成与 MEMS开关进行电通信的混合无弧限制技术(HALT)消弧电路,其配置成响应MEMS开关将状态从闭合改变为打开而从MEMS开关接收电能传递,该HALT消弧电路包括电容部分、以及布置成与HALT消弧电路的电容部分进行并联电通信的可变电阻。通过结合附图的以下描述,这些及其它优点和特征将变得更显而易见。


在本说明书的结论部分具体指出作为本发明的主题并且在权利要求中明确要求对其进行专利保护。通过以下结合附图的详细描述,本发明的上述及其它特征和优点显而易见,附图包括图1描绘了按照一示例实施例的、示范基于无弧微机电系统开关(MEMS)的开关系统;图2描绘了按照一示例实施例的、在故障状况下的示范基于无弧微机电系统开关 (MEMS)的开关系统;图3描绘了按照一示例实施例的、在故障状况下的示范基于无弧微机电系统开关 (MEMS)的开关系统;图4描绘了按照一示例实施例的、在故障状况下的示范基于无弧微机电系统开关 (MEMS)的开关系统;图5描绘了按照一示例实施例的、示范基于无弧微机电系统开关(MEMS)的开关系统;图6描绘了按照一示例实施例的、在故障状况下的示范基于无弧微机电系统开关 (MEMS)的开关系统;图7描绘了按照一示例实施例的、在故障状况下的示范基于无弧微机电系统开关 (MEMS)的开关系统;图8描绘了按照一示例实施例的、在故障状况下的示范基于无弧微机电系统开关 (MEMS)的开关系统;以及图9描绘了按照一示例实施例的、示范基于无弧微机电系统开关(MEMS)的开关系统。
详细描述參照附图、作为举例来说明本发明的实施例以及优点和特征。
具体实施例方式本发明的示例实施例呈现创新,它们极大地降低基于微机电系统(MEMS)的电动机起动器和电流中断装置的复杂度、成本和尺寸,同时提供在故障状况下的能量的有效吸收。MEMS开关的使用提供快速响应时间,由此促进中断故障的通泄(let through)能量的降低。与MEMS开关并联连接的混合无弧限制技术(HALT)电路提供在任何给定时间在没有电弧的情况下使MEMS开关打开而不管电流或电压的能力,并且在新配置中包含金属氧化物变阻器(MOV)提供在故障状况下比较有效的能量吸收。图1示出按照ー示例实施例的、示范基于无弧微机电系统开关(MEMS)的开关系统 100。当前,MEMS —般指的是微米级结构,微米级结构例如能够通过微制造技术在共同衬底上集成多个功能不同的元件,例如机械元件、机电元件、传感器、致动器、和电子器件。但是, 预期当前在MEMS器件中可用的许多技术和结构将在较短时间内经由基于纳米技术的器件是可用的,基于纳米技术的器件例如尺寸可小于100纳米的结构。相应地,即使本文档通篇所述的示例实施例可指基于MEMS的开关器件,但是也认为本发明的发明方面应当被广义地解释,而不应当局限于微米尺寸器件。例如,按照ー些示例实施例,MEMS开关器件可包括悬臂梁结构。经由栅控制电压来静电操作悬臂梁结构。电流通过悬臂、从漏极引出线流到源极引出线。MEMS开关器件一般根据其机械/活动部分和小尺寸与晶体管和其它开关加以区分。多种其它类型的MEMS开关可适用于示例实施例;例如,适当器件应当包括不会通过接触电弧来耗散能量(例如,如典型继电器/机电开关那样)的足够小的触点/开关。这些MEMS器件通过以下方面与小机械开关加以区分(1)结构的大小规模(梁的长度/宽度为50-100 μ m,并且触点间隙大约为Iym);以及(2)它们经过静电控制(即,与电磁控制相対)。如图1所示,基于无弧MEMS的开关系统100示为包括基于MEMS的开关电路101 和消弧电路102,其中消弧电路102可包含或包括脉冲辅助接通(PATO)电路和混合无弧限制技术(HALT)电路,它操作地耦合到基于MEMS的开关电路101。在某些实施例中,例如,基于MEMS的开关电路101可完整地与消弧电路102集成在单个封装中。在其它实施例中,基于MEMS的开关电路101的仅某些部分或组件可与消弧电路102集成。基于MEMS的开关电路101可包括ー个或多个MEMS开关111。另外,消弧电路102 可包括平衡ニ极管电桥103和脉冲电路104。此外,消弧电路102可配置成通过响应MEMS 开关将状态从闭合改变为打开而从MEMS开关接收电能传递,来促进抑制ー个或多个MEMS 开关111的触点之间的电弧形成。可注意到,消弧电路102可配置成响应交流电(AC)113 或直流电(DC,为了清楚起见而未示出)而促进抑制电弧形成。在示出的示例实施例中,MEMS开关111描绘为是具有两个触点的简单开关,但是应当理解,MEMS开关111是包括至少三个触点的开关。例如,虽然未示出,但是MEMS开关 111可包括配置为漏极的第一触点、配置为源极的第二触点、以及配置为栅极的第三触点。 此外,如图1所示,电压缓冲电路105可与MEMS开关111并联耦合,并且配置成限制快速触点分离期间的电压过冲,如下面将更详细进行说明的。在某些示例实施例中,缓冲电路105可包括与缓冲电阻器115串联耦合的缓冲电容器114。缓冲电容器114可促进MEMS开关111的打开定序期间的瞬态电压分享的改迸。 此外,缓冲电阻器115可抑制由缓冲电容器114在MEMS开关111的闭合操作期间生成的任何电流脉冲。在某些其它示例实施例中,电压缓冲电路114可包括金属氧化物变阻器(MOV) (这里未示出,參见图5的516)。按照本技术的进一歩的方面,负载112可与MEMS开关111和电压源113串联耦合。 另外,负载112还可包括负载电感和负载电阻,其中负载电感表示MEMS开关111见到的组合负载电感和母线电感。參考标号106表示可流经负载112和MEMS开关111的负载电流。此外,如參照图1所述,消弧电路102可包括平衡ニ极管电桥103。在示出的示例实施例中,平衡ニ极管电桥103描绘为具有第一支路131和第二支路132。本文使用的术语 “平衡ニ极管电桥”用于表示配置成使得跨过第一支路和第二支路131、132两者的电压降基本相等的ニ极管电桥。平衡ニ极管电桥103的第一支路131可包括耦合在一起以形成第一串联电路的第一ニ极管Dl 1 和第二ニ极管D3 127。类似地,平衡ニ极管电桥103的第二支路132可包括操作地耦合在一起以形成第二串联电路的第三ニ极管D2 130和第四ニ极管 D4 129ο在一个实施例中,MEMS开关111可跨过平衡ニ极管电桥103的中点并联耦合。平衡ニ极管电桥的中点可包括位于第一ニ极管与第二ニ极管1观、127之间的第一中点以及位于第三ニ极管与第四ニ极管130、1四之间的第二中点。此外,MEMS开关111和平衡ニ极管电桥103可紧密封装,以促进由平衡ニ极管电桥103引起的、且具体来说是到MEMS开关 111的连接引起的寄生电感的最小化。可注意到,按照本技术的示范方面,MEMS开关111和平衡ニ极管电桥103相对彼此定位,以使得在MEMS开关111断开期间将负载电流的传递载运到ニ极管电桥103吋,第一 MEMS开关111与平衡ニ极管电桥103之间的固有电感产生小于跨过MEMS开关111的漏极和源极之间的电压的几个百分点的di/dt电压,其将在下面更详细地描述。在一个实施例中,MEMS开关111可与平衡ニ极管电桥103集成在单个封装中或者可选地在同一管芯中,目的是使互连MEMS开关111和ニ极管电桥103的电感为最小。另外,消弧电路104可包括耦合成与平衡ニ极管电桥103进行并联电通信的脉冲电路104。脉冲电路104可配置成检测开关条件,并且响应该开关条件而发起MEMS开关111 的打开。本文所使用的术语“开关条件”指的是触发改变MEMS开关111的当前操作状态的条件。例如,开关条件可引起将MEMS开关111的第一闭合状态改变到第二打开状态,或者将MEMS开关111的第一打开状态改变到第二闭合状态。开关条件可响应多个动作而发生, 多个动作包括但不限于电路故障或开关通/断请求。脉冲电路104可包括脉冲开关124以及串联耦合到脉冲开关124的脉冲电容器 123。此外,脉冲电路还可包括与脉冲开关124串联耦合的脉冲电感1 和第一ニ极管125。 脉冲电感126、ニ极管125、脉冲开关IM和脉冲电容器1 可串联耦合以形成脉冲电路 104,其中所述组件可配置成促进脉冲电流整形和定时。另外,消弧电路102可包括混合无弧限制技术(HALT)特定电路108。电路108可包括HALT电容121 ( S卩,电容部分或电容器)和HALT开关122。HALT电容121和HALT开关122可串联耦合以形成HALT特定电路108。要注意,虽然图1示出与HALT特定电路108 串联的脉冲电感126,但是示例实施例并不局限于此。例如,分离的HALT电感可与HALT电容121和开关122串联耦合,并且整个HALT特定电路108还可跨过脉冲电感126和脉冲电容123并联耦合。按照本发明的方面,MEMS开关111可从第一闭合状态迅速切換(例如,皮秒或纳秒量级)到第二打开状态,同时即使以近零电压来载运电流。这可通过负载电路112以及包括跨过MEMS开关111的触点并联耦合的平衡ニ极管电桥103的脉冲电路102的組合操作来实现。如进ー步示出的,系统100可包括可变电阻組,其中包括耦合成与基于MEMS的开关电路101进行并联电通信的多个可变电阻器133、134。可变电阻器133、134可以是任何适当可变电阻器,包括但不限于金属氧化物变阻器(M0V)。可变电阻器133、134可以是额定的并且配置成在故障情况下吸收从基于MEMS的开关电路101直接传递的电能。例如,图2 中示出在故障状况下的基于MEMS的开关系统200。如图所示,系统200与系统100基本相似。因此,为了简洁起见,本文中省略对各组件的布置和操作的详尽描述。如图所示,系统200处于故障状况下,其中故障电流201被传递到可变电阻器 133-134,并且故障电流203流经MEMS开关111的触点。响应这个故障,可通过HALT开关 122的激活来启动HALT特定电路108,以帮助清除故障并且启动HALT电流204。这在图3 中示出。如图所示,图3的系统300与系统100基本相似。因此,为了简洁起见,本文中省略对各组件的布置和操作的详尽描述。如上所述,HALT开关122已经激活,由此将电能从基于MEMS的开关电路101传递到HALT特定电路108,如采用电流301-303示出的。在电能传递时,通过打开MEMS开关111 来清除故障,这在图4中示出。如图所示,图4的系统400与系统100基本相似。因此,为了简洁起见,本文中省略对各组件的布置和操作的详尽描述。如上所述,MEMS开关111打开,由此清除故障并且允许电能通过缓冲电路105和变阻器133、134而被吸收,如采用电流401-402示出的。现在參照图5,其中示出备选的基于MEMS的开关系统500。如图5所示,基于无弧MEMS的开关系统500示为包括基于MEMS的开关电路501 和消弧电路502,其中消弧电路502可包含或包括脉冲辅助接通(PATO)电路和混合无弧限制技术(HALT)电路,它操作地耦合到基于MEMS的开关电路501。如參照系统100所述,在某些实施例中,例如,基于MEMS的开关电路501可完整地与消弧电路502集成在单个封装中。在其它实施例中,基于MEMS的开关电路501的仅某些部分或组件可与消弧电路502集成。基于MEMS的开关电路501可包括ー个或多个MEMS开关511。另外,消弧电路502 可包括平衡ニ极管电桥503和脉冲电路504。此外,消弧电路502可配置成通过响应MEMS 开关将状态从闭合改变为打开而从MEMS开关接收电能传递,来促进抑制ー个或多个MEMS 开关511的触点之间的电弧形成。可注意到,消弧电路502可配置成响应交流电(AC)513 或直流电(DC,为了清楚起见而未示出)而促进抑制电弧形成。在所示示例实施例中,MEMS开关511描绘为是具有两个触点的简单开关,但是应当理解,MEMS开关511是包括至少三个触点的开关。例如,虽然未示出,但是MEMS开关511 可包括配置为漏极的第一触点、配置为源极的第二触点、以及配置为栅极的第三触点。此外,如图5所示,电压缓冲电路505可与MEMS开关511并联耦合,并且配置成限制快速触点分离期间的电压过冲,如下面将更详细地进行说明的。在某些示例实施例中,缓冲电路505可包括与缓冲电阻器515串联耦合的缓冲电容器514。缓冲电容器514可促进MEMS开关511的打开定序期间的瞬态电压分享的改进。 此外,缓冲电阻器515可抑制由缓冲电容器514在MEMS开关151的闭合操作期间生成的任何电流脉冲。又如进一步示出的,电压缓冲电路505可包括金属氧化物变阻器(M0V)516。按照本技术的进一步的方面,负载512可与MEMS开关511和电压源513串联耦合。 另外,负载512还可包括负载电感和负载电阻,其中负载电感表示MEMS开关511见到的组合负载电感和母线电感。参考标号506表示可流经负载512和MEMS开关511的负载电流。此外,如参照图5所述,消弧电路502可包括平衡二极管电桥503。在所示示例实施例中,平衡二极管电桥503描绘为具有第一支路531和第二支路532。本文所使用的术语 “平衡二极管电桥”用于表示配置成使得跨过第一支路和第二支路531、532两者的电压降基本相等的二极管电桥。平衡二极管电桥503的第一支路531可包括耦合在一起以形成第一串联电路的第一二极管Dl 5 和第二二极管D3 527。类似地,平衡二极管电桥503的第二支路532可包括操作地耦合在一起以形成第二串联电路的第三二极管D2 530和第四二极管 D4 529。在一个实施例中,MEMS开关511可跨过平衡二极管电桥503的中点并联耦合。平衡二极管电桥的中点可包括位于第一二极管与第二二极管5观、527之间的第一中点以及位于第三二极管与第四二极管530、5四之间的第二中点。此外,MEMS开关511和平衡二极管电桥503可紧密封装,以便促进由平衡二极管电桥503引起的、且具体来说是到MEMS开关511的连接引起的寄生电感的最小化。可注意到,按照本技术的示范方面,MEMS开关511 和平衡二极管电桥503相对彼此定位,以使得在MEMS开关511断开期间将负载电流的传递载运到二极管电桥503时,第一MEMS开关511与平衡二极管电桥503之间的固有电感产生小于跨过MEMS开关511的漏极和源极之间的电压的几个百分点的di/dt电压,其将在下面更详细地描述。在一个实施例中,MEMS开关511可与平衡二极管电桥503集成在单个封装中或者可选地在同一管芯中,目的是使互连MEMS开关511和二极管电桥503的电感为最小。另外,消弧电路502可包括耦合成与平衡二极管电桥503进行并联电通信的脉冲电路502。脉冲电路502可配置成检测开关条件,并且响应该开关条件而发起MEMS开关511 的打开。本文所使用的术语“开关条件”指的是触发改变MEMS开关511的当前操作状态的条件。例如,开关条件可引起将MEMS开关511的第一闭合状态改变到第二打开状态,或者将MEMS开关511的第一打开状态改变到第二闭合状态。开关条件可响应多个动作而发生, 多个动作包括但不限于电路故障或开关通/断请求。脉冲电路502可包括脉冲开关524以及串联耦合到脉冲开关524的脉冲电容器 523。此外,脉冲电路还可包括与脉冲开关524串联耦合的脉冲电感5 和第一二极管525。 脉冲电感526、二极管525、脉冲开关5 和脉冲电容器523可串联耦合以形成脉冲电路 502,其中所述组件可配置成促进脉冲电流整形和定时。
另外,消弧电路502可包括混合无弧限制技术(HALT)特定电路508。电路508可包括HALT电容521(即,电容部分)和HALT开关522。HALT电容521和HALT开关522可串联耦合以形成HALT特定电路508。要注意,虽然图5示出与HALT特定电路508串联的脉冲电感526,但是示例实施例并不局限于此。例如,分离的HALT电感可与HALT电容521 和开关522串联耦合,并且整个HALT特定电路508可进一步跨过脉冲电感5 和脉冲电容 523并联耦合。按照本发明的方面,MEMS开关511可从第一闭合状态迅速切换(例如,皮秒或纳秒量级)到第二打开状态,同时即使以近零电压来载运电流。这可通过负载电路512以及包括跨过MEMS开关511的触点并联耦合的平衡二极管电桥503的脉冲电路502的组合操作来实现。如进一步示出的,系统500可包括可变电阻组,其中包括耦合成与HALT电容521 进行并联电通信的多个可变电阻器533、534。可变电阻器533、534可以是任何适当可变电阻器,包括但不限于金属氧化物变阻器(MOV)。可变电阻器533、534可以是额定的并且配置成在故障情况下,一旦HALT开关522被激活就吸收从基于MEMS的开关电路501直接传递的电能。例如,图6中示出在故障状况下的基于MEMS的开关系统600。如图所示,系统600与系统500基本相似。因此,为了简洁起见,本文中省略对各组件的布置和操作的详尽描述。如图所示,系统600处于故障状况下。一般来说,如果系统处于故障状况下,则快速或立即清除故障会是合乎需要的。由于电流高(或者至少为非零),所以电动机512内部可捕获较大能量。因此,响应这个故障,HALT特定电路508可通过HALT开关522的激活来启动,以帮助清除故障。这在图7中示出。如图所示,图7的系统700与系统500基本相似。因此,为了简洁起见,本文中省略对各组件的布置和操作的详尽描述。如上所述,HALT开关522已经激活,由此将电能从基于MEMS的开关电路501传递到HALT特定电路508,其中故障电流601被传递到可变电阻器533443,并且故障电流602 流经MEMS开关511的触点。在电能传递时,通过打开MEMS开关511来清除故障,如图8所示。如图所示,图8的系统800与系统500基本相似。因此,为了简洁起见,本文中省略对各组件的布置和操作的详尽描述。如上所述,MEMS开关511打开,由此清除故障并且允许通过缓冲电路505和变阻器533、534来吸收电能,如采用电流801-802示出的。如上面示出的,变阻器533、534响应故障状况而吸收电感负载中贮存的故障能量。由于变阻器与HALT电路508的电容部分521并联通信,所以与变阻器133、134相比,变阻器因所施加电压的不同而可具有相对较小额定电压。此外,由于在保护能量传递操作期间跨过变阻器533、534看到相对较小电压,因此跨过二极管电桥503、MEMS开关511、HALT 开关522、和PATO开关5M呈现相对较小电压。由于保护能量传递操作期间的这个较小电压,二极管电桥503、MEMS开关511、HALT开关522、和PATO开关5 可额定为用于相对较低电压,从而产生较小可行尺寸和成本。现在参照图9,其示出按照本发明方面的示范软开关系统900的框图。如图9所示,软开关系统900包括操作地耦合在一起的开关电路903、检测电路902和控制电路901。 检测电路902可耦合到开关电路903,并且配置成检测负载电路中的交流源电压(以下称作 “源电压”)或者负载电路中的交流电(以下称作“负载电路电流”)的过零的出现。控制电路901可耦合到开关电路903和检测电路902,并且可配置成响应交流源电压或交流负载电路电流的检测的过零,来促进开关电路903中的一个或多个开关的无弧开关。在一个实施例中,控制电路901可配置成促进包括开关电路903的至少一部分的一个或多个MEMS开关的无弧开关。按照本发明的一个方面,软开关系统900可配置成执行软或波点(PoW)开关,由此开关电路903中的一个或多个MEMS开关可在跨过开关电路903的电压处于或非常接近零时闭合,而在通过开关电路903的电流处于或接近零时打开。通过在跨过开关电路903的电压处于或非常接近零时闭合开关,能够通过使一个或多个MEMS开关的触点之间的电场在一个或多个MEMS开关闭合时保持为低,来避免预击穿电弧,即使多个开关没有同时全部闭合。类似地,通过在通过开关电路903的电流处于或接近零时打开开关,软开关系统900 能够设计成使得在开关电路903中打开的最后一个开关中的电流落入开关的设计能力之内。如上面提到的并且按照一个实施例,控制电路901可配置成使开关电路903的一个或多个MEMS开关的打开和闭合与交流源电压或交流负载电路电流的过零的出现同步或者在故障情况下同步。如上所述,本发明的示例实施例呈现了创新,它们极大地降低基于MEMS的电动机起动器的复杂度、成本和尺寸,同时提供在故障状况下的能量的有效吸收。虽然仅结合有限数量的实施例详细描述了本发明,但是应当易于理解,本发明并不局限于这些公开的实施例。相反,本发明能够修改为结合前面没有描述、但与本发明的精神和范围相当的任何数量的变化、变更、替换或等效布置。另外,虽然已经描述本发明的多个实施例,但是要理解,本发明的方面可以仅包含所述实施例的一些。因此,本发明不能被看作受到以上描述的限制,而仅由所附权利要求的范围来限制。
100基于无弧MEMS的开关系统101基于MEMS的开关电路102消弧电路103平衡二极管电桥104脉冲电路105缓冲电路106负载电流108HALT特定电路
权利要求
1.一种用于控制电流的装置(500),包括 控制电路(901);与所述控制电路(901)进行通信的微机电系统(MEMQ开关(511),所述MEMS开关 (511)响应所述控制电路(901)而促进所述电流的中断;部署成与所述MEMS开关(511)进行电通信的混合无弧限制技术(HALT)消弧电路 (508),其配置成响应所述MEMS开关(511)将状态从闭合改变为打开而从所述MEMS开关 (511)接收电能传递,所述HALT消弧电路(508)包括电容部分(521);以及可变电阻(534),布置成与所述HALT消弧电路(508)的所述电容部分(521)进行并联电通信。
2.如权利要求1所述的装置,其中,所述控制电路(901)响应满足定义的跳闸事件的參数的电流而打开所述MEMS开关(511)。
3.如权利要求2所述的装置,其中,所述定义的跳闸事件的所述參数包括故障事件。
4.如权利要求2所述的装置,其中,所述MEMS开关(511)包括与所述控制电路进行信号通信的单个栅触点,所述控制电路配置成在所述定义的跳间事件之后打开所述MEMS开关(511)。
5.如权利要求2所述的装置,还包括与所述控制电路(901)进行信号通信的检测电路 (902),所述检测电路(90 配置成提供对所述定义的跳间事件的指示。
6.如权利要求2所述的装置,其中,所述MEMS开关(511)配置用干与负载(512)的信号通信。
7.如权利要求6所述的装置,其中,所述负载(512)是电动机或电感负载。
8.如权利要求1所述的装置,还包括与所述MEMS开关(511)并联连接的电压缓冲电路 (505)。
9.如权利要求1所述的装置,还包括检测电路(902),配置成使所述MEMS开关(511)的状态的变化与交流电流和交流电压的至少ー个相对于绝对零电压參考的过零的出现同歩。
10.如权利要求1所述的装置,其中,所述MEMS开关(511)是与单个电流通路对应的多个MEMS开关其中之一,所述多个MEMS开关的各MEMS开关响应所述控制电路(901)而促进对经过所述单个电流通路的电流的所述中断。
11.如权利要求10所述的装置,其中,所述多个MEMS开关并联布置。
12.如权利要求10所述的装置,其中,所述多个MEMS开关串联布置。
13.如权利要求1所述的装置,其中,所述可变电阻(534)是可变电阻器(533-534)的組。
14.如权利要求13所述的装置,其中,所述可变电阻器的每个是金属氧化物变阻器 (MOV)。
15.如权利要求13所述的装置,其中,所述可变电阻器的每个布置成与所述HALT消弧电路(508)的所述电容部分(521)进行并联电通信。
16.如权利要求13所述的装置,其中,所述HALT抑制电路(508)的所述电容部分(521) 包括电容器,并且其中,所述可变电阻器的每个布置成与所述电容器进行并联电通信。
17.如权利要求13所述的装置,其中,所述可变电阻(534)配置成基于所述HALT消弧电路(508)的DC电压峰值来耗散所接收的能量。
18.如权利要求1所述的装置,其中,所述可变电阻(534)配置成基于所述HALT消弧电路(508)的DC电压峰值来耗散所接收的能量。
全文摘要
本发明名称为“基于MEMS的开关系统”。一种用于控制电流的装置,包括控制电路、与控制电路进行通信的微机电系统(MEMS)开关、响应控制电路而促进电流的中断的MEMS开关、部署成与MEMS开关进行电通信的混合无弧限制技术(HALT)消弧电路,以响应MEMS开关将状态从闭合改变为打开而从MEMS开关接收电能传递,该HALT消弧电路包括电容部分、以及布置成与HALT消弧电路的电容部分进行并联电通信的可变电阻,该可变电阻耗散一部分传递的电能。
文档编号H02H9/04GK102545136SQ20111036577
公开日2012年7月4日 申请日期2011年11月3日 优先权日2010年11月4日
发明者B·C·库姆菲尔, J·K·胡克, P·K·阿南德, R·K·基拉姆索德 申请人:通用电气公司
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