过热保护电路的制作方法
【专利摘要】本发明提供了过热保护电路，包括：温变电压产生单元，通过对随温度升高而增大的与温度成比例的电压和随温度升高而降低的第一导通电压求和产生温变电压；以及防过热信号产生单元，比较所述温变电压和随温度升高而降低的第二导通电压，以产生防过热信号，其中，所述第一导通电压和所述第二导通电压具有相同分布。
【专利说明】过热保护电路
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2012年11月22日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2012-0132966号的优先权，其披露通过引用结合于此。
【技术领域】
[0003]本发明涉及过热保护电路。
【背景技术】
[0004]过热保护电路包含在半导体集成电路中，并且是用于当发生异常过热时保护半导体集成电路的电路。过热保护电路基于负温度特性配置，由此，双极结型晶体管(BJT)的基极与发射极之间的电压Vbe随温度升高以-2.2mV/°C的速率进行改变。
[0005]然而，过热保护电路的操作温度根据BJT的基极与发射极之间的电压Vbe的分布而发生改变。
[0006]专利文献1，即下述的相关技术文件，披露了一种热保护电路，但是没有披露将根据BJT的基极与发射极之间的电压Vbe的分布而发生改变的操作温度维持为恒定值的技术。
[0007]【相关技术文献】
[0008](专利文献I)美国专利公开出版物US5654861。
【发明内容】
[0009]本发明的一个方面提供了一种过热保护电路，通过使用两个在其基极与发射极之间具有相同电压分布的双极结型晶体管(BJT)补偿基极与发射极之间的电压分布，该过热保护电路能够在恒定温度下运行。
[0010]根据本发明的一个方面，提供了一种过热保护电路，包括:温变电压产生单元，通过对随温度升高而增大的与温度成比例的电压和随温度升高而降低的第一导通电压求和产生温变电压；以及防过热信号产生单元，比较温变电压和随温度升高而降低的第二导通电压，以产生防过热信号，其中，第一导通电压和第二导通电压具有相同分布。
[0011]与温度成比例的电压随温度升高而增大的增大速率可比第一导通电压随温度升高而降低的降低速率高。
[0012]温变电压产生单元可包括与温度成比例的电压产生单元，检测具有电流量随温度升高而增大的与温度成比例的电流，以产生与温度成比例的电压；以及分布校正单元，提供第一导通电压以校正第二导通电压的分布。
[0013]与温度成比例的电压产生单元可包括输出与温度成比例的电流的第一与温度成比例的电流源；以及第一电阻器，将与温度成比例的电流作为与温度成比例的电压检测。
[0014]分布校正单元可包括第一双极结型晶体管(BJT)，该BJT具有连接至与温度成比例的电压产生单元的集电极、连接至集电极的基极和连接至地的发射极，其中，第一 BJT根据第一 BJT的发射极与第一 BJT的基极之间的电压提供第一导通电压。
[0015]第二导通电压随温度升高而降低的降低速率等于第一导通电压随温度升高而降低的降低速率。
[0016]防过热信号产生单元可包括:比较器，比较温变电压和第二导通电压；以及反相器，根据比较器的比较结果产生防过热信号。
[0017]比较器可包括第二与温度成比例的电流源，产生与第一与温度成比例电流源的电流相同的电流量；以及第二 BJT，具有连接至第二与温度成比例的电源的集电极、具有在其上施加温变电压的基极和连接至地的发射极，其中，第二 BJT根据第二 BJT的发射极与第二BJT的基极之间的电压提供第二导通电压。
[0018]比较器可进一步包括连接带隙电路，该带隙电路连接在第二 BJT的发射极与地之间，调整第二导通电压。
[0019]反相器可包括P沟道场效应晶体管，该P沟道场效应晶体管具有连接至第二与温度成比例的电流源和第二 BJT的集电极的连接点的栅极、其上施加驱动电压的源极和连接至输出防过热信号的输出端的漏极；以及连接在漏极和地之间的恒流源。
[0020]根据本发明的另一个方面，提供了一种过热保护电路，包括:温变电压产生单元，通过对随温度升高而增大的与温度成比例的电压和随温度升高而降低的第一导通电压求和产生温变电压；基准电压产生单元，提供随温度升高而降低的第三导通电压作为基准电压；以及防过热信号产生单元，比较温变电压和基准电压，以产生防过热信号，其中，第一导通电压和第三导通电压具有相同分布。
[0021]与温度成比例的电压随温度升高而增大的增大速率可比第一导通电压随温度升高而降低的降低速率高。
[0022]温变电压产生单元可包括:与温度成比例的电压产生单元，检测具有电流量随温度升高而增大的与温度成比例的电流，以产生与温度成比例的电压；以及分布校正单元，提供第一导通电压以校正第三导通电压的分布。
[0023]与温度成比例的电压产生单元可包括输出与温度成比例的电流的第一与温度成比例的电流源；以及第一电阻器，将与温度成比例的电流作为与温度成比例的电压检测。
[0024]分布校正单元可包括第一双极结型晶体管(BJT)，该BJT具有连接至与温度成比例的电压产生单元的集电极、连接至集电极的基极以及连接至地的发射极，其中，第一 BJT根据第一 BJT的发射极与第一 BJT的基极之间的电压提供第一导通电压。
[0025]第三导通电压随温度升高而降低的降低速率等于第一导通电压随温度升高而降低的降低速率。
[0026]基准电压产生单元可包括:第三与温度成比例的电流源，产生与第一与温度成比例的电流源的电流相同电流量的电流；以及第三BJT，具有连接至第三与温度成比例的电流源的集电极、连接至集电极的基极和连接至地的发射极，其中，第三BJT根据第三BJT的发射极与第三BJT的基极之间的电压提供第三导通电压。
[0027]比较器可进一步包括带隙电路，该带隙电路连接在第三BJT的发射极与地之间，调整第三导通电压。
[0028]防过热信号产生单元可包括比较器，该比较器在第一导通电压等于或高于第三导通电压时输出防过热信号。[0029]比较器可包括向其施加温变电压的同相端，向其施加第三导通电压的反相端，和输出防过热信号的输出端。
【专利附图】
【附图说明】
[0030]结合附图并根据以下详细描述，将更清晰地理解本发明的上述和其他方面、特征以及其他优点，其中:
[0031]图1为一般过热保护电路实例的电路图；
[0032]图2A和图2B为示出根据图1的过热保护电路的温度升高而产生防过热信号的过程的曲线图；
[0033]图3为另一个一般过热保护电路实例的电路图；
[0034]图4A和图4B为示出根据图3的过热保护电路的温度升高而产生防过热信号的过程的曲线图；
[0035]图5A和图5B为不出根据图1和图3所不的BJT的基极与发射极之间的电压分布的防过热温度分布；
[0036]图6为根据本发明实施方式的过热保护电路的电路图；
[0037]图7A至图7C为由温变电压产生单元产生的电压曲线图，该温变电压产生单元为根据本发明实施方式的过热保护电路的一个元件；
[0038]图8A和图SB为示出根据图6的过热保护电路的温度升高而产生防过热信号的过程的曲线图；
[0039]图9为根据本发明实施方式的过热保护电路的电路图；以及
[0040]图1OA和图1OB为示出根据图9的过热保护电路的温度升高而产生防过热信号的过程的曲线图。
【具体实施方式】
[0041]在下文中，将参考附图对本发明的实施方式进行详细描述。然而，本发明可体现在许多不同的形式并且不应受本文所述的实施方式限制。相反，提供了这些实施方式，以便本彻底、完整地披露，并且向本领域的技术人员充分地传达本发明的范围。在附图中，为了清晰，夸大了元件的形状和尺寸，并且通篇使用相同的参考数字以便指明相同或相似的元件。
[0042]图1为一般过热保护电路实例的电路图。现在将参考图1对一般过热保护电路进行描述。该过热保护电路可比较由第一电阻器rl和第二电阻器r2对基准电压Vref分压而产生的电压Va与双极结型晶体管(BJT)Ql的基极与发射极之间的电压Vbe，以产生防过热信号。在这种情况下，BJTQl可接收来自恒流源Ic的恒定电流输出，该恒流源Ic通过集电极连接至驱动电压Vcc。关于比较器1，电压Va可被施加到比较器I的同相端，并且电压Vbe可被施加到比较器I的反相端。随后，当电压Va等于或高于电压Vbe时，比较器I可向输出端输出防过热信号。尽管在图1中未示出，但是基准电压Vref可由带隙电路提供，尽管温度变化，但是该带隙电路仍输出恒定电压。
[0043]图2A和图2B为示出根据图1的过热保护电路的温度升高而产生防过热信号Stsd的过程的曲线图。如可从图2A看出的，随着温度的升高，Va维持在第二电压电平V2，但是由于BJT的基极与发射极之间的电压特性，电压Vbe随温度的升高而降低。[0044]电压Vbe在室温Tl下为第一电压电平Vl，但是其随温度的升高而以恒定的速率降低。因此，防过热信号Stsd可在与电压Va等于或高于电压Vbe的时间对应的防过热温度Ttsd产生。如从图2B可看出的，防过热信号在温度低于防过热温度Ttsd时维持在低电平，但是从防过热温度Ttsd起转变为高电平。
[0045]图3为另一个一般过热保护电路实例的电路图。现在将参考图3对一般过热保护电路的实例进行详细说明。第一和第二温度比例电源Ipatatl和Ipatat2以恒定增加速率增大电流量，以根据温度的升高输出电流。第一温度比例电源Ipatatl的电流输出可由电阻器r检测为电压Vb，并且可被提供至BJT Ql的基极。BJT Ql的发射极可连接至地。BJTQl的集电极可接收来自第二温度比例电源Ipatat2的电流。反相器2可连接至BJT Ql的集电极，并且可向输出端OUT输出通过对集电极的电压反相而产生的防过热信号Stsd。
[0046]图4A和图4B为示出根据图3的过热保护电路的温度升高而产生防过热信号Stsd的过程的曲线图。
[0047]电压Vb被设定为在室温Tl下比BJT Ql的基极与发射极之间的电压Vbe低。因此，电压Vb可维持在第三电压电平V3，并且电压Vbe可维持在第一电压电平VI。在这种情况下，BJT Ql不运行。BJT Ql的集电极电压可维持在高电平，并且通过对集电极电压反相获得的防过热信号Stsd可维持在低电平。
[0048]然而，可看出的是，随着温度的逐渐升高，温度比例电源Ipatatl的电流输出量增力口，以致电压Vb也逐渐增加，并且由于BJT的基极与发射极之间的电压特性，电压Vbe降低。随着温度的不断升高，BJT Ql在电压电平V2接通，在电压电平V2电压Vb等于或大于电压Vbe。此外，BJTQl的集电极电压降低至低电平，以致通过对集电极电压反相获得的防过热信号Stsd可转变至高电平。即，防过热信号Stsd可在防过热温度Ttsd产生,防过热温度Ttsd与电压Vb等于或大于电压Vbe的时间对应。
[0049]图5A和图5B为示出根据图1和图3所示的BJT的基极与发射极之间电压Vbe的分布的防过热温度Ttsd的分布的曲线图。图5A涉及图1的过热保护电路，并且图5B涉及图3的过热保护电路。
[0050]参考图2A和5A,图2A不出的电压Vbe由实线表不,在图5A中，基于正电压分布+ Δ V的电压Vbe由虚线表不,并且基于负电压分布-Δ V的电压Vbe由点划线表不。
[0051]从图5A可看出，不受电压分布影响的电压Vbe与电压Va在防过热温度Ttsd处相交，但是，受正和负电压分布土 AV影响的电压Vbe与电压Va在与防过热温度Ttsd相差土 Λ T温差处相交，而不是在防过热温度Ttsd处相交。
[0052]参考图4Α和5Β,图4Α不出的电压Vbe由实线表不,在图5Β中，基于正电压分布+ Δ V的电压Vbe由虚线表不,并且基于负电压分布-Δ V的电压Vbe由点划线表不。
[0053]如上述描述一样，可看出的是，受正和负电压分布土 AV影响的电压Vbe与电压Vb在与防过热温度Ttsd相差土 Λ T温差处相交，而不是在防过热温度Ttsd处相交。
[0054]S卩，由于BJT的基极与发射极之间的电压分布，因此产生过热温度Ttsd的分布，其中防过热信号Stsd在过热温度Ttsd产生，从而影响过热保护电路的可靠性。
[0055]在下文中，将对克服上述问题的本发明实施方式进行描述。
[0056]图6为根据本发明实施方式的过热保护电路10的电路图。过热保护电路10可包括温变电压产生单元Iio和防过热信号产生单元120。[0057]温变电压产生单元110可包括与温度成比例的电压产生单元111和分布校正单元112。
[0058]与温度成比例的电压产生单元111可包括第一与温度成比例的电流源Ipl和第一电阻器rl。详细地，第一与温度成比例的电流源Ipl可连接至驱动电压Vcc，以输出电流量随温度升高而增大的与温度成比例的电流。第一电阻器rl可检测与温度成比例的电流，以产生与温度成比例的电压VrI。
[0059]分布校正单元112可包括第一 BJT Ql。第一 BJT Ql的集电极可连接至与温度成比例的电压产生单元111，第一 BJT Ql的基极可连接至集电极，并且第一 BJT Ql的发射极可连接至地。如上所述，由于晶体管的特性，第一 BJT Ql的基极与发射极之间的电压Vbel可随温度的升高而降低。
[0060]在这种情况下，通过增加与温度成比例的电压Vrl和第一BJT Ql的基极与发射极之间的电压Vbel，温变电压产生单元110产生温变电压Va。在这种情况下，为了产生随温度升高而增大的温变电压Va，将与温度成比例的电压Vrl随温度升高的增大速率可被设定为比第一 BJT Ql的基极与发射极之间电压Vbel随温度升高的降低速率高。
[0061]图7A至图7C为由温变电压产生单元110产生的电压的曲线图，该温变电压产生单元为根据本发明实施方式的过热保护电路的一个元件。
[0062]图7A涉及与温度成比例的电压Vrl，图7B涉及第一 BJT Ql的基极与发射极之间的电压Vbel，且图7C涉及温变电压Va。在图7B中，不受电压分布影响的电压Vbel由实线表不，基于正电压分布的电压Vbel由虚线表不，以及基于负电压分布的电压Vbel由点划线表不。
[0063]从图7A至图7C可看出，与温度成比例的电压Vrl随温度的升高而增大，并且电压Vbel随温度的升高而降低。电压Vrl随温度升高的增大速率可被设定为比电压Vbel的降低速率高，湿的温变电压Va可随温度的升高而增大。但是，可看出的是，由于电压Vbel分布的影响，温变电压Va也可具有分布。
[0064]返回来参考图6，防过热信号产生单元120可包括比较器121和反相器122。
[0065]比较器121可包括第二与温度成比例的电流源Ip2和第二 BJT Q2。详细地，第二与温度成比例的电流源Ip2可连接至驱动电压Vcc，以向第二 BJT Q2的集电极输出电流量随温度升高而增大的与温度成比例的电流。在这种情况下，第二温度比例电流源Ip2可产生与第一与温度成比例的电流源Ipl产生的电流相等的电流。S卩，第一与温度成比例的电流源Ipl和第二与温度成比例的电流源Ip2可在相同的温度产生相同的电流。
[0066]第二 BJT Q2可包括连接至第二与温度成比例的电流源Ip2的集电极、具有施加温变电压至此的基极以及接地的发射极。第二 BJT Q2与第一 BJT Ql以相同的工艺制造，因此第一 BJT Ql的基极与发射极之间的电压Vbel和第二 BJT Q2的基极与发射极之间的电压Vbe2具有相同的分布。由于晶体管的特性，电压Vbel和电压Vbe2以相同的降低速率随温度的升高而降低。
[0067]此外，比较器121可进一步包括带隙电路123，尽管温度变化，但是仍输出恒定电压。
[0068]带隙电路123连接在第二 BJT Q2的发射极与地之间，以便调整电压Vbe2使其在室温下比温变电压Va高。[0069]当温变电压Va小于电压Vbe2时，向连接至第二 BJT Q2的集电极的节点施加高电压。当温变电压Va等于或高于电压Vbe2时，可向连接至第二 BJT Q2的集电极的节点施加低电压。即，比较器121可比较温变电压Va与电压Vbe2，以产生具有高/低电平的输出。
[0070]反相器(inverter) 122可将比较器121的比较结果反相，以向输出端OUT输出防过热信号Ttsd。详细地，反相器122可包括:P沟道场效应晶体管，该P沟道场效应晶体管包括连接至第二与温度成比例的电流源IP2和集电极的连接节点的栅极，提供有驱动电压的源极，和连接到输出端以输出防过热信号Stsd的漏极；以及连接在漏极与地之间的恒电流源。当向第二 BJT Q2施加低电压时，P沟道场效应晶体管可导通，以通过其输出端输出防过热信号Stsd。
[0071]图8A和图SB为示出根据图6的过热保护电路10的温度升高而产生防过热信号的过程的曲线图。
[0072]如从图8A可看出，对于电压Vbe2而言，第一 BJT Ql和第二 BJT Q2以相同的工艺制造，因此电压Vbe2和电压Vbel可具有相同的分布。
[0073]如从图8A和图8B可看出，尽管电压Vbe2具有分布，但是由电压Vbel抵消(offset)该分布,并且防过热温度Ttsd和电压Vbe2总是在防过热温度Ttsd处相交，以产生防过热信号Stsd。
[0074]g卩，电压Vbe2的分布由电压Vbel的分布补偿，从而过热保护电路10可靠地运行。
[0075]图9为根据本发明实施方式的过热保护电路20的电路图。过热保护电路20可包括温变电压产生单元210、基准电压产生单元220以及防过热信号产生单元230。
[0076]图9的温变电压产生单元210与图6的温变电压产生单元110具有相似的结构和功能，因此不再对其进行详细描述。
[0077]基准电压产生单元220可包括第三与温度成比例的电流源Ip3和第三BJT Q3。详细地，第三与温度成比例的电流源Ip3可连接至驱动电压Vcc，并且可向第三BJT Q3的集电极输出电流量随温度升高而增大的与温度成比例的电流。在这种情况下，第三比例电流源IP3可产生与第一与温度成比例的电流源IPl相同的电流。即，第一与温度成比例的电流源IPl和第三与温度成比例的电流源IP3可在相同的温度产生相同的电流。
[0078]第三BJT Q3可包括连接至温度比例电源IP3的集电极、连接至集电极的基极和连接至地的发射极。第三BJT Q3和第一 BJT Ql都以相同的工艺制造，因此，第一 BJT Ql的基极与发射极之间的电压Vbel和第三BJT Q3的基极与发射极之间的电压Vbe3具有相同的分布。此外，由于晶体管的特性，电压Vbel和电压Vbe3可以以相同的降低速率随温度的升高而降低。
[0079]此外，基准电压产生单元220可进一步包括带隙电路221，尽管温度变化，但该带隙电路仍输出恒定电压。
[0080]带隙电路221可连接在第三BJT Q3的发射极与地之间，并且可通过调节电压Vbe3在室温下维持在比温变电压Va高的电平从而产生电压Vc。在这种情况下，通过简单地将电压Vbe3移动(shift)预定电平转换以在室温下比温变电压Va高，从而可获得电压Vc，并且因此电压Vc可具有与电压Vbe3相同的分布。
[0081 ] 防过热信号产生单元230可比较温变电压Va和电压Vbe3，并且根据比较结果向输出端OUT输出防过热信号Stsd。详细地，当比较温变电压Va与电压Vbe3时，如果温变电压Va等于或高于电压Vbe3，则防过热信号产生单元230可输出防过热信号Stsd。
[0082]防过热信号产生单元230可包括比较器231，该比较器具有施加有温变电压Va的同相端、施加有电压Vbe3的反相端和输出防过热信号Stsd的输出端。
[0083]图10为示出根据图9的过热保护电路20的温度升高而产生防过热信号的过程的曲线图。
[0084]第一 BJT Ql和第三BJT Q3由相同的工艺制造。因此，电压Vbe3和电压Vbel具有相同的分布。因此，可看出的是，电压Vc也具有与电压Vbel相同的分布。
[0085]参考图1OA和图10B，尽管电压Vc具有分布，但是由电压Vbel抵消电压Vc的分布，并且温变电压Va和电压Vc总在防过热温度Ttsd处相交，以产生防过热信号Stsd。
[0086]g卩，电压Vbe3的分布由电压Vbel的分布补偿，从而过热保护电路20可靠运行。
[0087]如上所述，根据本发明的实施方式，通过使用两个双极结型晶体管补偿基极与发射极之间的电压分布，从而增加了过热保护电路的运行可靠性，其中该双极结型晶体管的基极与发射极之间的电压具有相同分布。
[0088]尽管连同实施方式示出并描述了本发明，但对于本领域的技术人员显然的是，在不偏离本发明精神和范围的情况下，可根据所附权利要求的定义做出修改和改变。
【权利要求】
1.一种过热保护电路，包括: 温变电压产生单元，通过对随温度升高而增大的与温度成比例的电压和随温度升高而降低的第一导通电压求和产生温变电压；以及 防过热信号产生单元，比较所述温变电压和随温度升高而降低的第二导通电压，以产生防过热信号， 其中，所述第一导通电压和所述第二导通电压具有相同分布。
2.根据权利要求1所述的过热保护电路，其中，所述与温度成比例的电压随温度升高而增大的增大速率比所述第一导通电压随温度升高而降低的降低速率高。
3.根据权利要求2所述的过热保护电路，其中，所述温变电压产生单元包括: 与温度成比例的电压产生单元，检测具有电流量随温度升高而增大的与温度成比例的电流，以产生所述与温度成比例的电压；以及 分布校正单元，提供第一导通电压用于校正所述第二导通电压的分布。
4.根据权利要求3所述的过热保护电路，其中，所述与温度成比例的电压产生单元包括: 第一与温度成比例的电流源，输出所述与温度成比例的电流；以及 第一电阻器，将所述与温度成比例的电流作为与温度成比例的电压所述检测。
5.根据权利要求3所述的过热保护电路，其中，所述分布校正单元包括第一双极结晶体管(BJT)，所述双极结型晶体管具有连接至所述与温度成比例的电压产生单元的集电极、连接至所述集电极的基极和连接至地的发射极， 其中，所述第一双极结晶体管根据所述第一双极结晶体管的发射极与所述第一双极结晶体管的基极之间的电压提供所述第一导通电压。
6.根据权利要求1所述的过热保护电路，其中，所述第二导通电压随温度升高而降低的降低速率等于所述第一导通电压随温度升高而降低的降低速率。
7.根据权利要求4所述的过热保护电路，其中，所述防过热信号产生单元包括: 比较器，比较所述温变电压和所述第二导通电压；以及 反相器，根据所述比较器的比较结果产生所述防过热信号。
8.根据权利要求7所述的过热保护电路，其中，所述比较器包括: 第二与温度成比例的电流源，产生与所述第一与温度成比例的电流源的电流相同的电流量；以及 第二双极结晶体管，具有连接至所述第二与温度成比例的电流源的集电极、具有在其上施加所述温变电压的基极和连接至地的发射极， 其中，所述第二双极结晶体管根据所述第二双极结晶体管的发射极与所述第二双极结晶体管的基极之间的电压提供所述第二导通电压。
9.根据权利要求8所述的过热保护电路，其中，所述比较器进一步包括带隙电路，所述带隙电路连接在所述第二双极结晶体管的发射极与地之间，调整所述第二导通电压。
10.根据权利要求8所述的过热保护电路，其中，所述反相器包括: P沟道场效应晶体管，具有连接至所述第二与温度成比例的电流源和所述第二双极结晶体管的集电极的连接点的栅极，在其上施加驱动电压的源极，和连接至输出所述防过热信号的输出端的漏极；以及连接在所述漏极与地之间的恒流源。
11.一种过热保护电路，包括: 温变电压产生单元，通过对随温度升高而增大的与温度成比例的电压和随温度升高而降低的第一导通电压求和产生温变电压； 基准电压产生单元，提供随温度升高而降低的第三导通电压作为基准电压；以及 防过热信号产生单元，比较所述温变电压和所述基准电压，以产生防过热信号， 其中，所述第一导通电压和所述第三导通电压具有相同分布。
12.根据权利要求11所述的过热保护电路，其中，所述与温度成比例的电压随温度升高而增大的增大速率比所述第一导通电压随温度升高而降低的降低速率高。
13.根据权利要求12所述的过热保护电路，其中，所述温变电压产生单元包括: 与温度成比例的电压产生单元，检测具有电流量随温度升高而增大的与温度成比例的电流，以产生所述与温度成比例的电压；以及 分布校正单元，提供所述第一导通电压用于校正所述第三导通电压的分布。
14.根据权利 要求13所述的过热保护电路，其中，所述与温度成比例的电压产生单元包括: 第一与温度成比例的电流源，输出所述与温度成比例的电流；以及 第一电阻器，将所述与温度成比例的电流作为所述与温度成比例的电压检测。
15.根据权利要求13所述的过热保护电路，其中，所述分布校正单元包括第一双极结晶体管(BJT)，所述第一双极结型晶体管具有连接至所述与温度成比例的电压产生单元的集电极、连接至所述集电极的基极和连接至地的发射极， 其中，所述第一双极结晶体管根据所述第一双极结晶体管的发射极与所述第一双极结晶体管的基极之间的电压提供所述第一导通电压。
16.根据权利要求11所述的过热保护电路，其中，所述第三导通电压随温度升高而降低的降低速率等于所述第一导通电压随温度升高而降低的降低速率。
17.根据权利要求14所述的过热保护电路，其中，所述基准电压产生单元包括: 第三与温度成比例的电流源，产生与所述第一与温度成比例的电流源的电流相同电流量的电流；以及 第三双极结晶体管，具有连接至所述第三与温度成比例的电流源的集电极、连接至所述集电极的基极和连接至地的发射极， 其中，所述第三双极结晶体管根据所述第三双极结晶体管的发射极与所述第三双极结晶体管的基极之间的电压提供所述第三导通电压。
18.根据权利要求17所述的过热保护电路，其中，所述基准电压产生单元进一步包括带隙电路，所述带隙电路连接在所述第三双极结晶体管的发射极与地之间，调整所述第三导通电压。
19.根据权利要求11所述的过热保护电路，其中，所述防过热信号产生单元包括比较器，所述比较器在所述第一导通电压等于或高于所述第三导通电压时输出所述防过热信号。
20.根据权利要求19所述的过热保护电路，其中，所述比较器包括在其上施加所述温变电压的同相端、在其上施加所述第三导通电压的反相端，和输出所述防过热信号的输出端。
【文档编号】H02H5/04GK103840430SQ201310053730
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2013年2月19日 优先权日:2012年11月22日
【发明者】许畅宰 申请人:三星电机株式会社