基于调制波平移的h桥级联statcom直流侧电容电压相内平衡控制方法

文档序号:7359489阅读:167来源:国知局
基于调制波平移的h桥级联statcom直流侧电容电压相内平衡控制方法
【专利摘要】基于调制波平移的H桥级联STATCOM直流侧电容电压相内平衡控制方法,涉及电力系统领域。解决了现有的H桥级联STATCOM直流侧电容电压平衡控制方法的控制过程复杂、抗干扰性差、控制精度低和功率单元损耗大,导致系统寿命短的问题。本发明首先,根据各个功率单元输出的电压和电流的极性,判断各个功率单元中电容充放电的情况;其次,根据各个功率单元中电容的端电压相对大小,给出占空比的调整方向,使各个功率单元中电容的电压趋于一致;最后,利用载波相移调制策略,通过上下平移调制波,最终实现H桥级联STATCOM直流侧电容电压的相内平衡控制。本发明具体应用在H桥级联STATCOM系统中。
【专利说明】基于调制波平移的H桥级联STATCOM直流侧电容电压相内平衡控制方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电力系统领域。
【背景技术】
[0002]电力系统当中越来越多的使用柔性交流输电系统(FACTS)对电能进行传输,它能够提高电力系统利用和传输电能的能力,同时使系统稳定、安全、可靠地运行。作为核心装置与核心技术之一的静止同步补偿器(STATC0M),以其损耗低、响应快、储能元件体积小和输出电流谐波含量低等优点,成为动态无功补偿装置发展的重要方向。在几种比较成熟的拓扑结构中,H桥级联拓扑结构的STATCOM因其模块化结构、无需功率器件串联即可输出足够高的电压和输出多电平电压的特点,使其在高压大功率场合得到日益广泛的应用。图1为H桥级联STATCOM的主电路框图,其中,L表示电抗器,R表示电阻,ia表示STATCOM a相输出电流,ib表示STATCOM b相输出电流,i。表示STATCOM c相输出电流,Ude表示电容电压,Ua表示STATCOM a相输出电压,ub表示STATCOM b相输出电压,U。表示STATCOM c相输出电压,isa表示a相电网电流,isb表示b相电网电流,isc表示c相电网电流,ila表示a相负载电流,ilb表示b相负载电流,ilc表示c相负载电流,N表示中性点。然而,这种级联型结构的STATCOM的各个H桥单元直流母线彼此独立,每个单元的并联损耗、开关损耗、驱动脉冲延时等又存在差异,会导致STATCOM直流侧电容电压出现不平衡的问题,进而导致各功率器件承受不同的电压,使装置输出电压的总畸变率(THD)增加。因此,对H桥级联STATCOM直流侧电容电压采取均衡措施是十分必要的。
[0003]从目前的发展技术来看,H桥级联STATCOM直流侧电容电压相内平衡控制方法主要有以下几种:(I)对各单元的参考电压进行PI调节,从有功调节的角度来达到单元电压的均衡。这种方法易于理解,但在实现过程中对于级联单元数目庞大的装置,需要使用大量的PI控制器,涉及到调节参数整定及延时问题,因此其可行性还存在疑问。(2)通过外加电路对各单元的直流侧电容进行有功交换,让能量通过直流或交流母线在各单元之间流动,但是这种方法附加的装置数量较多,提高了系统的体积和成本以及控制复杂度,使装置可靠性降低,也有违级联结构设计的初衷。(3)在独立电容两端并联可调电阻,从调节并联损耗的角度实现直流电压平衡控制,这种方法简单,而且很早就在工业应用中发挥作用,但由于额外增加了装置的损耗,应当避免用于大功率的场合。(4)通过调节各单元的移相角,从消除脉冲延迟所产生的相位差的角度来实现直流电压的平衡控制,但对于高压大容量的变流器,移相角的可调范围很小,少量的偏差都可能引起系统不稳定。(5)调整脉冲序列的方法,从能量的角度实现电容电压平衡。该方法首先对各功率单元按照电容上直流电压大小进行排序,然后根据当前功率流动方向,选择电容电压值最大或者最小的功率单元进行电平变换。这种方法平衡效果好,而且能够适用于各种调制算法,缺点则在于由于功率单元本身损耗特性不同,每个功率单元的开关频率也不同,容易出现某些功率单元柜过于频繁动作的情况,对装置整体的使用寿命有影响。[0004]现有的H桥级联STATCOM的控制系统通常采用DSP和FPGA双控制器进行控制,DSP主要完成谐波和无功电流检测,参考指令电压的计算,并将参考指令电压送给FPGA等工作;FPGA在接收到DSP参考指令电压后,生成36路PWM调制波对三相的36个功率单元进行控制。
[0005]而现有的直流侧电容电压平衡控制方法大多数也在DSP中实现,这样就增加了DSP的运算量,降低了系统的运算速度。但将现有的控制算法移植到FPGA的过程非常复杂,也会大大的消耗FPGA的资源。

【发明内容】

[0006]本发明是为了解决现有的H桥级联STATCOM直流侧电容电压平衡控制方法的控制过程复杂、抗干扰性差、控制精度低和功率单元损耗大,导致系统寿命短的问题,本发明提供了一种基于调制波平移的H桥级联STATCOM直流侧电容电压相内平衡控制方法。
[0007]基于调制波平移的H桥级联STATCOM直流侧电容电压相内平衡控制方法,该方法是基于多个功率单元实现,所述的功率单元包括电容、I号功率开关、2号功率开关、3号功率开关、4号功率开关、I号二极管、2号二极管、3号二极管和4号二极管;
[0008]所述的电容的一端同时与I号功率开关的功率输入端、I号二极管的阴极、3号功率开关的功率输入端和3号二极管的阴极同时连接,
[0009]所述的电容的另一端同时与2号功率开关的功率输出端、2号二极管的阳极、4号功率开关的功率输出端和4号二极管的阳极同时连接,
[0010]所述的I号二极管的阳极作为功率单元交流侧的一个连接端与I号功率开关的功率输出端、2号功率开关的功率输入端和2号二极管的阴极同时连接,
[0011]所述的4号二极管的阴极作为功率单元交流侧的另一个连接端与3号功率开关的功率输出端、4号功率开关的功率输出端和3号二极管的阳极同时连接;
[0012]该方法包括如下过程,
[0013]步骤一、根据各个功率单元输出的电压和电流的极性,判断各个功率单元中电容充放电的情况;
[0014]步骤二、根据各个功率单元中电容的端电压相对大小,给出占空比的调整方向,使各个功率单元中电容的端电压趋于一致;
[0015]步骤三、利用载波相移调制策略,通过上下平移调制波,最终实现H桥级联STATCOM直流侧电容电压的相内平衡控制。
[0016]采用本发明所述的基于调制波平移的H桥级联STATCOM直流侧电容电压相内平衡控制方法对实际的H桥级联STATCOM的直流侧电容电压相内平衡效果进行实验验证。搭建了最高电压等级10kV,额定无功容量为±2Mvar的H桥级联STATCOM实验装置。实验参数为:每相N=12个H桥单元,网侧电Sus=IOkV,电网频率fQ=50Hz,系统采样频率ffSOkHz,开关频率f2=lkHz,功率单元直流侧电容C=5600 u F,功率单元直流侧电压参考值Udc=800V,连接电抗器L=10mH。图7给出了利用CCS软件记录数据,并通过Matlab绘制出的本发明控制下的a相12个级联功率单元的直流侧电压波形图,其中,纵坐标表示功率单元al到al2的直流侧电压值,横坐标表示时间。从图中可以看出,所有功率单元的电容电压都很好地平衡在800V,且计算得到纹波含量只有2.26%。实验结果证明了本发明配合载波相移调制策略,能够取得令人满意的平衡控制效果。
[0017]本发明所述的基于调制波平移的H桥级联STATCOM直流侧电容电压相内平衡控制方法的控制过程简单,控制精度高、抗干扰性强、且功率单元损耗小,增大了系统的使用寿命,控制精度提高了 20%以上,抗干扰性同比增大了 5%以上;现有的直流侧电容电压平衡控制方法大多数在DSP中实现,增加了 DSP的运算量,降低了系统的运算速度。而本发明可以把直流侧电容电压平衡控制移植到FPGA中实现,这样提高了 DSP的运算速度,也充分利用的FPGA的资源。
【专利附图】

【附图说明】
[0018]图1为【背景技术】中H桥级联STATCOM的主电路结构示意图;
[0019]图2为【具体实施方式】一中功率单元的结构示意图;
[0020]图3为【具体实施方式】一所述的基于调制波平移的H桥级联STATCOM直流侧电容电压相内平衡控制方法的流程图;
[0021]图4为【具体实施方式】二中功率单元中的电容处于充电时的电流流向示意图;其中带有箭头的虚线表示电流的走向;
[0022]图5为【具体实施方式】二中功率单元中的电容处于放电时的电流流向示意图;其中带有箭头的虚线表示电流的走向;
[0023]图6为【具体实施方式】四中,调制波平移图;曲线M表示移动后的正半轴调制波,曲线N表示移动后的负半轴调制波;曲线P表示载波;曲线Q表示调制波平移后的功率单元导通的占空比;
[0024]图7为H桥级联STATCOM直流侧电容电压相内平衡控制的实验结果图。
【具体实施方式】
[0025]【具体实施方式】一:参见图2和3说明本实施方式,本实施方式所述的基于调制波平移的H桥级联STATCOM直流侧电容电压相内平衡控制方法,该方法是基于多个功率单元实现,所述的功率单元包括电容C、1号功率开关Sl、2号功率开关S2、3号功率开关S3、4号功率开关S4、l号二极管Dl、2号二极管D2、3号二极管D3和4号二极管D4 ;
[0026]所述的电容C的一端同时与I号功率开关SI的功率输入端、I号二极管Dl的阴极、3号功率开关S3的功率输入端和3号二极管D3的阴极同时连接,
[0027]所述的电容C的另一端同时与2号功率开关S2的功率输出端、2号二极管D2的阳极、4号功率开关S4的功率输出端和4号二极管D4的阳极同时连接,
[0028]所述的I号二极管Dl的阳极作为功率单元交流侧的一个连接端与I号功率开关SI的功率输出端、2号功率开关S2的功率输入端和2号二极管D2的阴极同时连接,
[0029]所述的4号二极管D4的阴极作为功率单元交流侧的另一个连接端与3号功率开关S3的功率输出端、4号功率开关S4的功率输出端和3号二极管D3的阳极同时连接;
[0030]该方法包括如下过程,
[0031]步骤一、根据各个功率单元输出的电压和电流的极性,判断各个功率单元中电容C充放电的情况;
[0032]步骤二、根据各个功率单元中电容C的端电压相对大小,给出占空比的调整方向,使各个功率单元中电容C的端电压趋于一致;
[0033]步骤三、利用载波相移调制策略,通过上下平移调制波,最终实现H桥级联STATCOM直流侧电容电压的相内平衡控制。
[0034]【具体实施方式】二:参见图2、3、4和5说明本实施方式,本实施方式与【具体实施方式】一所述的基于调制波平移的H桥级联STATCOM直流侧电容电压相内平衡控制方法的区别在于,步骤一中,根据各个功率单元输出的电压和电流的极性,判断各个功率单元中电容C充放电的情况的具体过程为, [0035]在某一时刻,电流方向从电网流向变流器,
[0036]当功率单兀的输出电压为正时,I号功率开关SI和4号功率开关S4导通,则电容C处于充电状态;
[0037]当功率单兀的输出电压为负时,2号功率开关S2和3号功率开关S3导通,则电容C处于放电状态,
[0038]在某一时刻,电流方向从变流器流向电网,
[0039]当功率单兀的输出电压为正时,I号功率开关SI和4号功率开关S4导通,则电容C处于放电状态;
[0040]当功率单兀的输出电压为负时,2号功率开关S2和3号功率开关S3导通,则电容C处于充电状态。
[0041]【具体实施方式】三:参见图2、3、4和5说明本实施方式,本实施方式与【具体实施方式】二所述的基于调制波平移的H桥级联STATCOM直流侧电容电压相内平衡控制方法的区别在于,所述的步骤二中,根据各个功率单元中电容C的端电压相对大小,给出占空比的调整方向,使各个功率单元中电容C的端电压趋于一致的具体过程为,
[0042]当(iaXvani)>0时,如果Vd。a」〈Vd。a,则增大第i个功率单元导通的占空比,即对于正在充电过程中的功率单元,当Vde a i小于Vde a时,应当延长该功率单元的导通时间;
[0043]当QaXvani) >0时,如果Vd。—LiXVdc^a,贝U减小第i个功率单元导通的占空比,即对于正在充电过程中的功率单元,当Vtk a i大于Vtk a时,应当减少该功率单元的导通时间;
[0044]当(iaXvani)〈0时,如果Vd。a」>Vd。a,则增大第i个功率单元导通的占空比,即对于正在放电过程中的功率单元,当Vde a i大于Vde a时,应当延长该功率单元的导通时间;
[0045]当(iaXvani)〈0时,如果Vd。—a—ZVdc^a,贝U减小第i个功率单元导通的占空比,即对于正在放电过程中的功率单元,当Vd^i小于Vd。—a时,应当减少该功率单元的导通时间;
[0046]ia是H桥级联STATCOM的a相输出电流,Vani是H桥级联STATCOM的a相第i个功率单元的交流侧输出电压,其中,i=l,2,…N,N为正整数,Vde a i是H桥级联STATCOM的a相第i个功率单元的直流侧电容的端电压,Vde a是H桥级联STATCOM的a相直流侧电容的平均电压。
[0047]【具体实施方式】四:参见图2、3、4、5和6说明本实施方式,本实施方式与【具体实施方式】二所述的基于调制波平移的H桥级联STATCOM直流侧电容电压相内平衡控制方法的区别在于,所述的步骤三中,利用载波相移调制策略,通过上下平移调制波,最终实现H桥级联STATCOM直流侧电容电压的相内平衡控制的具体过程为,
[0048]当调整指令为减小功率单元导通的占空比时,则下移正半轴调制波,使Ui=Ui0-^evdc i,上移负半轴调制波,使 Ui=Uit^hevdcj ;[0049]其中,Ui为平移后功率单元的调制波,Ui0为平移前功率单元的调制波,evdcJ为功率单元直流侧电容电压误差,且evd。i=Vd。_,Vdc i为功率单元直流侧电容电压,Vdc mean为功率单元直流侧电容电压平均值,k为调节系数;
[0050]当调整指令为增大功率单元导通的占空比时,则上移正半轴调制波,使Ui=Uitevdcu,下移负半轴调制波,Ui=Ui0-^evdc i o[0051]本实施方式中,假设当前需要减小功率单元导通的占空比,即减少单元充放电时间,以调制波大于零的前半周期来分析,具体参见图6,该功率单元应输出I和0电平,在0电平时该功率单元电容并没有接入主电路,既不充电也不放电。如果要减小功率单元充电时间,则需要减小I电平作用时间,那么可以减少I号功率开关SI和4号功率开关S4的导通时间;又因为I号功率开关SI和2号功率开关S2此时是由正相调制波(大于零)和正的三角载波比较决定,而3号功率开关S3和4号功率开关S4由反相调制波和负的三角载波比较决定,因此只要以0轴为界,如式Ui=Ui(l-k*evd。」所示;下移正半轴的调制波,并如式Ui=UitrHk^evdcu所示,上移负半轴的调制波,就可达到减小功率单元占空比的效果。
【权利要求】
1.基于调制波平移的H桥级联STATCOM直流侧电容电压相内平衡控制方法,该方法是基于多个功率单元实现,所述的功率单元包括电容(C)、l号功率开关(Sl)、2号功率开关(52)、3号功率开关(S3)、4号功率开关(S4)、l号二极管(Dl)、2号二极管(D2)、3号二极管(D3)和4号二极管(D4); 所述的电容(C)的一端同时与I号功率开关(SI)的功率输入端、I号二极管(Dl)的阴极、3号功率开关(S3)的功率输入端和3号二极管(D3)的阴极同时连接, 所述的电容(C)的另一端同时与2号功率开关(S2)的功率输出端、2号二极管(D2)的阳极、4号功率开关(S4)的功率输出端和4号二极管(D4)的阳极同时连接,所述的I号二极管(Dl)的阳极作为功率单元交流侧的一个连接端与I号功率开关(SI)的功率输出端、2号功率开关(S2)的功率输入端和2号二极管(D2)的阴极同时连接,所述的4号二极管(D4)的阴极作为功率单元交流侧的另一个连接端与3号功率开关(53)的功率输出端、4号功率开关(S4)的功率输出端和3号二极管(D3)的阳极同时连接; 其特征在于 ,该方法包括如下过程, 步骤一、根据各个功率单元输出的电压和电流的极性,判断各个功率单元中电容(C)充放电的情况; 步骤二、根据各个功率单元中电容(C)的端电压相对大小,给出占空比的调整方向,使各个功率单元中电容(C)的端电压趋于一致; 步骤三、利用载波相移调制策略,通过上下平移调制波,最终实现H桥级联STATCOM直流侧电容电压的相内平衡控制。
2.根据权利要求1所述的基于调制波平移的H桥级联STATCOM直流侧电容电压相内平衡控制方法,其特征在于,步骤一中,根据各个功率单元输出的电压和电流的极性,判断各个功率单元中电容(C)充放电的情况的具体过程为, 在某一时刻,电流方向从电网流向变流器, 当功率单元的输出电压为正时,则电容(C)处于充电状态; 当功率单元的输出电压为负时,则电容(C)处于放电状态。 在某一时刻,电流方向从变流器流向电网, 当功率单元的输出电压为正时,则电容(C)处于放电状态; 当功率单元的输出电压为负时,则电容(C)处于充电状态。
3.根据权利要求2所述的基于调制波平移的H桥级联STATCOM直流侧电容电压相内平衡控制方法,其特征在于,所述的步骤二中,根据各个功率单元中电容(C)的端电压相对大小,给出占空比的调整方向,使各个功率单元中电容(C)的端电压趋于一致的具体过程为: 当QaXvani) >0时,如果Vtka ^Vtka,则增大第i个功率单元导通的占空比, 当QaXvani) >0时,如果Vtka AVtka,则减小第i个功率单元导通的占空比, 当(iaXvani)〈0时,如果Vtk a AVtk a,则增大第i个功率单元导通的占空比, 当(iaXvani)〈0时,如果Vtk a ^Vtk a,则减小第i个功率单元导通的占空比,ia是H桥级联STATCOM的a相输出电流,Vani是H桥级联STATCOM的a相第i个功率单元的交流侧输出电压,其中,i=l, 2,…N,N为正整数,Vdc a i是H桥级联STATCOM的a相第i个功率单元的直流侧电容的端电压,Vtk a是H桥级联STATCOM的a相直流侧电容的平均电压。
4.根据权利要求3所述的基于调制波平移的H桥级联STATCOM直流侧电容电压相内平衡控制方法,其特征在于,所述的步骤三中,利用载波相移调制策略,通过上下平移调制波,最终实现H桥级联STATCOM直流侧电容电压的相内平衡控制的具体过程为, 当调整指令为减小功率单元导通的占空比时,则下移正半轴调制波,使Ui=Uic1-1^evtk i,上移负半轴调制波,使; 其中,Ui为平移后功率单元的调制波,Ui0为平移前功率单元的调制波,evdcJ为功率单元直流侧电容电压误差,且Cvdcu=Vdcu-Vtkjlfjan, Vdc i为功率单元直流侧电容电压,Vdc_mean为功率单元直流侧电容电压平均值,k为调节系数; 当调整指令为增大功率单元导通的占空比时,则上移正半轴调制波,使Ui=Uit^hevdcj,下移负半轴调制波,Ui=Uic`1-1^evtk-P
【文档编号】H02J3/18GK103606934SQ201310610525
【公开日】2014年2月26日 申请日期:2013年11月25日 优先权日:2013年11月25日
【发明者】于泳, 徐榕, 王高林, 杨荣峰, 房云广, 李彦楠, 徐殿国 申请人:哈尔滨工业大学
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