用于驱动变压器的pwm死区吸收电路的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种用于驱动变压器的PWM死区吸收电路，包括变压器T1，与变压器T1输入端连接的功率MOSFET管M1、M2和二极管D1、D2，二极管D1、D2的负极连接可控硅SCR正极，可控硅SCR负极和二极管D3正极连接VCC，或非门U1输出端连接电容C1，电容C1的另一端连接二极管D3的负极，并与电阻R1相连，电阻R1另一端连接可控硅SCR触发极；功率MOSFET管M1、M2的输入端分别连接PWMA和PWMB管。本发明解决了驱动变压器在PWM死区时间能量释放不充分，驱动方波下降时间不够短，造成被驱动开关器件关断不彻底、震荡甚至误导通以至损坏的问题。
【专利说明】
【技术领域】
[0001] 本发明属于电力电子领域，具体涉及一种用于驱动变压器的PWM死区吸收电路。 用于驱动变压器的PWM死区吸收电路
【背景技术】
[0002] 驱动变压器在开关电源中被要求用来控制电路之间的同步动作，这些器件用来为 开关电源半导件元器件如高压功率MO S F E T或I G B T提供电脉冲，这种变压器也用 作电压隔离和阻抗匹配。
[0003] 驱动变压器是用来驱动电子开关器件门电路的基本脉冲变压器，设计这类变压器 时，是假定其脉冲的上升、下降都是最佳的值，由于变压器所储能量不能瞬间变化，因此不 加处理就会使脉冲的上升、下降时间延长，或者发生震荡，影响开关器件的性能，甚至使开 关器件同时导通，发生短路事故。
【发明内容】
[0004] 为了克服驱动变压器在PWM死区时间能量释放不彻底缺点，本发明提供了 一种主 动释放能量的用于驱动变压器的PWM死区吸收电路。
[0005] 为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种用于驱动变压器的PWM死 区吸收电路，包括变压器T1，与变压器T1输入端连接的功率M0SFET管Ml、M2和二极管D1、 D2,二极管D1、D2的负极连接可控硅SCR正极，可控硅SCR负极和二极管D3正极连接VCC， 或非门U1输出端连接电容C1，电容C1的另一端连接二极管D3的负极，并与电阻R1相连， 电阻R1另一端连接可控硅SCR触发极；功率M0SFET管M1、M2的输入端分别连接PWM A和 PWM B 管。
[0006] 进一步的，所述二极管D1、D2为快速恢复二极管，组成吸收能量的单项通道。
[0007] 本发明的有益效果是：或非门U1与电容C1、电阻R1、二极管D3、可控硅SCR组成 吸收能量的控制电路，驱动变压器中的能量有效释放，驱动波形迅速下降，主动释放能量。
【专利附图】
【附图说明】
[0008] 下面结合附图对本发明做进一步的描述。
[0009] 图1为本发明电路原理图； 图2为本发明驱动变压器输出波形。
【具体实施方式】
[0010] 如图1所示，一种用于驱动变压器的PWM死区吸收电路，包括变压器T1，与变压器 T1输入端连接的功率M0SFET管Ml、M2和二极管Dl、D2,二极管Dl、D2的负极连接可控硅 SCR正极，可控硅SCR负极和二极管D3正极连接VCC，或非门U1输出端连接电容C1，电容 C1的另一端连接二极管D3的负极，并与电阻R1相连，电阻R1另一端连接可控硅SCR触发 极；功率M0SFET管Ml、M2的输入端分别连接PWM A和PWM B管。
[0011] 所述二极管D1、D2为快速恢复二极管，组成吸收能量的单项通道。
[0012] 所述二极管D3、电容C1、电阻R1组成自举驱动电路。
[0013] PWM A和PWM B是相位互补的两路方波。当PWM A和PWM B都是低电平，即死区时 间，存储在驱动变压器中的能量不能有效的释放，使驱动波形不能迅速下降或产生震荡。此 时，或非门U1输出高电平，使电容C1与电阻R1之间电位高于VCC，可控硅SCR导通，驱动变 压器中的能量有效释放，驱动波形迅速下降。
[0014] 以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人 员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做若干改进和替换，这些改进和替换也 应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1. 一种用于驱动变压器的PWM死区吸收电路，其特征在于：包括变压器T1，与变压器 T1输入端连接的功率MOSFET管Ml、M2和二极管Dl、D2,二极管Dl、D2的负极连接可控硅 SCR正极，可控硅SCR负极和二极管D3正极连接VCC，或非门U1输出端连接电容C1，电容 C1的另一端连接二极管D3的负极，并与电阻R1相连，电阻R1另一端连接可控硅SCR触发 极；功率MOSFET管Ml、M2的输入端分别连接PWM A和PWM B管。
2. 根据权利要求1所述的用于驱动变压器的PWM死区吸收电路，其特征在于：所述二 极管Dl、D2为快速恢复二极管，组成吸收能量的单项通道。
【文档编号】H02M1/08GK104124857SQ201410380267
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2014年8月5日 优先权日:2014年8月5日
【发明者】唐春光, 杜香元, 曹学良, 郝敏强, 曹学磊 申请人:曹学良