一种三相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法
【专利摘要】一种三相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法，在转子位置区间[0°，θr/3]设置第一组转矩阈值，在转子位置区间[θr/3，θr/2]设置第二组转矩阈值，对相邻的A相和B相供电励磁，A相供电励磁比B相供电励磁超前θr/3，A相到B相的整个换相过程分为两个区间，在转子位置区间[0°，θ1]区间A相使用第二组转矩阈值，B相使用第一组转矩阈值，临界位置θ1是在换相过程中自动出现的，无需额外进行计算，总转矩控制在[Te+th2low，Te+th2up]之间；在转子位置区间[θ1，θr/3]区间A相继续使用第二组转矩阈值，B相继续使用第一组转矩阈值，总转矩被控制在[Te+th1low，Te+th1up]之间，抑制了三相开关磁阻电机转矩脉动。
【专利说明】—种三相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法，尤其适用于三相开关磁阻电机驱动系统。
【背景技术】
[0002]开关磁阻电机以其结构简单坚固，制造成本低以及良好的调速性能而广受关注。然而其特殊的双凸极结构以及开关式的励磁方式，使之输出的电磁转矩存在较大脉动，严重制约了其领域的应用，为此研究者们提出了多种方法，在消除转矩脉动的同时还实现了铜损最小化，这些方法在一定速度范围段取得了良好的效果，然而当转速较高时，由于受有限的直流供电电压限制，系统控制跟踪期望电流、期望磁链、期望转矩的能力减弱，转矩脉动难以有效消除。此外，受绕组所能承受的最大电流及半导体器件伏安容量的限制，开关磁阻电机系统存在电流上限，电流的限制使得开关磁阻电机只能输出有限范围的平滑转矩。因此，对于所有输出平滑转矩的控制都存在一定的可操作范围。
【发明内容】
[0003]技术问题:本发明的目的是克服已有技术中存在的问题，提供一种三相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法。
[0004]技术方案:本发明的三相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法，包括如下步骤:
[0005]a.在转子位置区间[0°，0r/3]设置第一组转矩阈值(thllOT，thIzero, thlup)，在转子位置区间[θ r/3, Θ r/2]设置第二组转矩阈值(th2lOT，th2zero, th2up)，这6个转矩阈值满足条件:
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[0011]其中，转子位置0°为最小相电感位置，转子位置Θ ^为齿距角即一个转子周期，半个转子周期是Θ Jl ；
[0012]b.设置励磁状态Sa为A相供电励磁状态，励磁状态Sa = I表示A相励磁电压为正，励磁状态Sa = O表示A相励磁电压为零，励磁状态Sa = -1表示A相励磁电压为负；设置励磁状态Sb为B相供电励磁状态，励磁状态Sb = I表示B相励磁电压为正，励磁状态Sb=O表示B相励磁电压为零，励磁状态Sb = -1表示B相励磁电压为负，期望的总平滑转矩为Te ；
[0013]c.对相邻的A相和B相供电励磁，A相供电励磁比B相供电励磁超前0^3，此时，A相关断，B相开通，通过将A相到B相分为两个区间的换相过程，实现三相开关磁阻电机转矩脉动的三电平抑制。
[0014]所述A相到B相分为两个区间的换相过程:
[0015](I)在转子位置区间[0°，Θ J，A相使用第二组转矩阈值(th2lOT，th2zero, th2up)，B相使用第一组转矩阈值(thllOT，thlz_，thlup)，临界位置91是在换相过程中自动出现的，无需额外进行计算；
[0016](1.1)在转子位置0°位置进入B相导通周期，设定初始励磁状态Sb = 1，B相电流和转矩从O开始增大；励磁状态Sa保持原有状态Sa = 1，A相电流与转矩增加。总转矩增加；
[0017](1.2)当总转矩增加到转矩值Te+th2up，励磁状态Sa由I转换为-1，A相转矩减小；B相保持原有状态，B相转矩继续增加。由于此时B相电感变化率及相电流较小，B相转矩增加速率小于A相转矩下降速率，总转矩变化趋势由A相决定，总转矩减小；
[0018](1.3)当总转矩首先减小到转矩值Te+thllOT，不满足A、B两相状态转移条件，励磁状态Sa和Sb保持原有状态，总转矩继续减小；
[0019](1.4)当总转矩减小到转矩值Te+th2zer。，触发A相状态由励磁状态Sa = -1转变为励磁状态Sa = O, A相转矩减小,但减小速率比励磁状态Sa = -1时要小；B相保持原有励磁状态，转矩继续增加。此时在励磁状态Sa = 0，励磁状态Sb= I的情况下，A相转矩减小速率大于B相转矩增加速率，总转矩减小；
[0020](1.5)当总转矩减小到转矩值Te+th2lOT，满足A相状态转移条件，A相状态由励磁状态Sa = O转变为励磁状态Sa = 1，A相转矩增大；B相保持原有状态，转矩继续增加；总转矩增加；
[0021](1.6)当总转矩依次增加到转矩值Te+th2zero与Te+thllOT，但均不满足A、B相的状态转移条件，总转矩继续增加；
[0022](1.7)当总转矩增加到转矩值Te+th2up，重复步骤(1.2)?(1.6)，B相状态未被触发而改变，保持励磁状态Sb = I ;A相励磁状态在1、0和-1间切换，将总转矩控制在[Te+th2lOT，Te+th2up]之间，从而抑制三相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[0°，0J的脉动；
[0023](1.8)随着转子位置增大，B相电感变化率及电流增大到一定水平，在某一临界位置之后，当励磁状态Sa = 0，励磁状态Sb = I时，A相转矩减小速率小于B相转矩增加速率，总转矩上升；
[0024](2)在转子位置区间[Θ i，Θ r/3]，A相继续使用第二组转矩阈值(th2lOT，th2zero,th2up), B相继续使用第一组转矩阈值(thllOT, thIzero, thlup)；
[0025](2.1)在转子位置Θ i位置，总转矩达到转矩值Te+th2up，A相状态切换为励磁状态Sa = -1 ;B相保持励磁状态Sb= 1，在该位置A相转矩在负供电电压激励下的下降速率大于B相转矩在正供电电压激励下的增加速率，因此总转矩下降。然而该状况在随后发生改变，随着转子位置增加，尽管A、B两相励磁状态均未变，但A相在励磁状态Sa = -1状态下的转矩下降速率小于B相在励磁状态Sb = I状态下的转矩增加速率，从而总转矩上升；
[0026](2.2)当总转矩上升到转矩值Te+th2up，励磁状态Sa和励磁状态Sb均未被触发改变状态，总转矩继续上升；
[0027](2.3)当总转矩达到转矩值TJthlzw。，满足B相状态转移条件，励磁状态Sb转换为O, B相转矩减小；A相保持原有励磁状态Sa = -1,总转矩减小；
[0028](2.4)当总转矩减小到转矩值Te+th2up，励磁状态Sa和励磁状态Sb均未被触发改变状态，总转矩继续减小；
[0029](2.5)当总转矩减小到转矩值Te+thllOT，满足B相状态转移条件，励磁状态Sb转换为I，B相转矩增加；A相保持原有励磁状态Sa = -1,总转矩上升；
[0030](2.6)重复步骤(2.2)?(2.5)，励磁状态Sa保持-1，A相转矩和电流持续变小；励磁状态Sb在O和I之间切换，总转矩被控制在[Te+thllOT，Te+thlzero]之间，从而抑制三相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[Θ P Θ r/3]的脉动；
[0031](2.7)当转子位于临界位置，B相转矩在励磁状态Sb = O时转矩增加，且增加速率大于A相在励磁状态Sa = -1时转矩下降速率，此时总转矩上升；
[0032](2.8)当总转矩上升至转矩值Te+thlup，B相状态被触发改变，励磁状态Sb从O转为-1，B相转矩减小；A相转矩继续减小，总转矩减小；
[0033](2.9)当总转矩依次减小到转矩值Te+thlzer。与转矩值Te+th2up，励磁状态Sa和励磁状态Sb均未被触发改变状态，总转矩继续减小；
[0034](2.10)当总转矩减小到转矩值Te+thllOT，励磁状态Sb被触发改变为1，B相转矩增加；A相保持原有状态，A相转矩继续减小，总转矩增加；
[0035](2.11)当总转矩增加到转矩值Te+thlzeM，励磁状态Sb被触发改变为0，励磁状态Sa保持为-1，此时情况与(2.7)相同，重复步骤(2.7)?(2.11)，励磁状态Sa保持-1，励磁状态SB在-l，0和I之间切换，总转矩被控制在[Te+thllOT，Te+thlup]之间，从而抑制三相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[Θ P Θ r/3]的脉动；
[0036](2.12)当转子位于临界位置，B相转矩在励磁状态Sb = O、励磁状态Sa = -1时总转矩不再增加，而是降低，从此刻起重复(2.2)?(2.5)，总转矩被控制在[Te+thllOT，Te+thlzeM]之间，从而抑制三相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[Q1, 0r/3]的脉动。
[0037]有益效果:由于采用了上述技术方案，本发明只需通过设置两组转矩阈值和设置相邻的A相和B相励磁状态，分别使A相和B相在供电励磁电压为正、零、负三种励磁状态之间切换，控制总转矩在两组转矩阈值之间，抑制了三相开关磁阻电机转矩脉动，实现了三相开关磁阻电机直接瞬时转矩平滑控制，电机绕组所受激励电压波形与期望电压波形具有相同的特征，实际相电流与期望相电流高度吻合，使开关磁阻电机输出最大范围的平滑转矩。通用性强，适用于各种类型、各种结构的三相开关磁阻电机驱动系统，实用效果好，具有广泛的应用前景。
【专利附图】
【附图说明】
[0038]图1是本发明的开关磁阻电机三电平转矩阈值设定示意图；
[0039]图2 (a)是本发明的开关磁阻电机的B相供电励磁状态的转换示意图；
[0040]图2 (b)是本发明的开关磁阻电机的A相供电励磁状态的转换示意图；
[0041]图3是本发明的开关磁阻电机转矩波形。
【具体实施方式】
[0042]下面结合附图中的实施例对本发明作进一步的描述:
[0043]如图1所示，针对一台三相开关磁阻电机，具体步骤如下:
[0044]a.在转子位置区间[0°，0r/3]设置第一组转矩阈值(thllOT，thIzero, thlup)，在转子位置区间[θ r/3, Θ r/2]设置第二组转矩阈值(th2lOT，th2zero, th2up)，这6个转矩阈值满足条件:
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[0050]其中，转子位置0°为最小相电感位置，转子位置Θ ^为齿距角即一个转子周期，半个转子周期是Θ Jl ；
[0051 ] b.如图2 (a、b)所示，设置励磁状态Sa为A相供电励磁状态，励磁状态Sa = I表示A相励磁电压为正,励磁状态Sa = O表示A相励磁电压为零,励磁状态Sa = -1表示A相励磁电压为负；设置励磁状态Sb为B相供电励磁状态，励磁状态Sb = I表示B相励磁电压为正，励磁状态Sb = O表示B相励磁电压为零，励磁状态Sb = -1表示B相励磁电压为负，期望的总平滑转矩为T6 ；
[0052]c.对相邻的A相和B相供电励磁，A相供电励磁比B相供电励磁超前0^3，此时，A相关断，B相开通，将A相到B相分为两个区间的换相过程，来实现三相开关磁阻电机转矩脉动三电平的抑制，如图1所示；
[0053](I)在转子位置区间[O。，Θ J，A相使用第二组转矩阈值(th2lOT，th2zero, th2up)，B相使用第一组转矩阈值(thllOT，thlz_，thlup)，临界位置Θ I是在换相过程中自动出现的，无需额外进行计算；
[0054](1.1)在转子位置0°位置进入B相导通周期，设定初始励磁状态Sb = 1，B相电流和转矩从O开始增大；励磁状态Sa保持原有状态Sa = 1，A相电流与转矩增加。总转矩增加；
[0055](1.2)当总转矩增加到转矩值Te+th2up，励磁状态Sa由I转换为_1，A相转矩减小；B相保持原有状态，B相转矩继续增加。由于此时B相电感变化率及相电流较小，B相转矩增加速率小于A相转矩下降速率，总转矩变化趋势由A相决定，总转矩减小；
[0056](1.3)当总转矩首先减小到转矩值Te+thllOT，不满足A、B两相状态转移条件，励磁状态Sa和Sb保持原有状态，总转矩继续减小；
[0057](1.4)当总转矩减小到转矩值Te+th2ZOT。，触发A相状态由励磁状态Sa = -1转变为励磁状态Sa = O, A相转矩减小,但减小速率比励磁状态Sa = -1时要小；B相保持原有励磁状态，转矩继续增加。此时在励磁状态Sa = O，励磁状态Sb= I的情况下，A相转矩减小速率大于B相转矩增加速率，总转矩减小；
[0058](1.5)当总转矩减小到转矩值Te+th2lOT，满足A相状态转移条件，A相状态由励磁状态Sa = O转变为励磁状态Sa = 1，A相转矩增大；B相保持原有状态，转矩继续增加；总转矩增加；
[0059](1.6)当总转矩依次增加到转矩值Te+th2zero与Te+thllOT，但均不满足A、B相的状态转移条件，总转矩继续增加；
[0060](1.7)当总转矩增加到转矩值Te+th2up，重复步骤(1.2)?(1.6)，B相状态未被触发而改变，保持励磁状态Sb = I ;A相励磁状态在1、0和-1间切换，将总转矩控制在[Te+th2lOT，Te+th2up]之间，从而抑制三相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[0°，0J的脉动；
[0061](1.8)随着转子位置增大，B相电感变化率及电流增大到一定水平，在某一临界位置之后，当励磁状态Sa = 0，励磁状态Sb = I时，A相转矩减小速率小于B相转矩增加速率，总转矩上升；
[0062](2)在转子位置区间[Θ i，Θ r/3]，A相继续使用第二组转矩阈值(th2lOT，th2zero,th2up), B相继续使用第一组转矩阈值(thllOT, thIzero, thlup)；
[0063](2.1)在转子位置Θ i位置，总转矩达到转矩值Te+th2up，A相状态切换为励磁状态Sa = -1 ；B相保持励磁状态Sb = I。在该位置A相转矩在负供电电压激励下的下降速率大于B相转矩在正供电电压激励下的增加速率，因此总转矩下降。然而该状况在随后发生改变，随着转子位置增加，尽管A、B两相励磁状态均未变，但A相在励磁状态Sa = -1状态下的转矩下降速率小于B相在励磁状态Sb = I状态下的转矩增加速率，从而总转矩上升；
[0064](2.2)当总转矩上升到转矩值Te+th2up，励磁状态Sa和励磁状态Sb均未被触发改变状态，总转矩继续上升；
[0065](2.3)当总转矩达到转矩值Te+thlzeM，满足B相状态转移条件，励磁状态Sb转换为O, B相转矩减小；A相保持原有励磁状态Sa = -1,总转矩减小；
[0066](2.4)当总转矩减小到转矩值Te+th2up，励磁状态Sa和励磁状态Sb均未被触发改变状态，总转矩继续减小；
[0067](2.5)当总转矩减小到转矩值Te+thllOT，满足B相状态转移条件，励磁状态Sb转换为I，B相转矩增加；A相保持原有励磁状态Sa = -1。总转矩上升；
[0068](2.6)重复步骤(2.2)?(2.5)，励磁状态Sa保持-1，A相转矩和电流持续变小；励磁状态Sb在O和I之间切换，总转矩被控制在[Te+thllOT，Te+thlzero]之间，从而抑制三相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[Θ P Θ r/3]的脉动；
[0069](2.7)当转子位于临界位置，B相转矩在励磁状态Sb = O时转矩增加，且增加速率大于A相在励磁状态Sa = -1时转矩下降速率，此时总转矩上升；
[0070](2.8)当总转矩上升至转矩值Te+thlup，B相状态被触发改变，励磁状态Sb从O转为-1，B相转矩减小；A相转矩继续减小，总转矩减小；
[0071](2.9)当总转矩依次减小到转矩值Te+thlzer。与转矩值Te+th2up，励磁状态Sa和励磁状态Sb均未被触发改变状态，总转矩继续减小；
[0072](2.10)当总转矩减小到转矩值Te+thllOT，励磁状态Sb被触发改变为1，B相转矩增加；A相保持原有状态，A相转矩继续减小，总转矩增加；
[0073](2.11)当总转矩增加到转矩值Te+thlzero，励磁状态Sb被触发改变为0，励磁状态Sa保持为-1，此时情况与(2.7)相同，重复步骤(2.7)?(2.11)，励磁状态Sa保持-1，励磁状态SB在-l，0和I之间切换，总转矩被控制在[Te+thllOT，Te+thlup]之间，从而抑制三相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[Θ P Θ r/3]的脉动；
[0074](2.12)当转子位于临界位置，B相转矩在励磁状态Sb = O、励磁状态Sa = -1时总转矩不再增加，而是降低，从此刻起重复步骤(2.2)?(2.5)，总转矩被控制在[Te+thllOT，Te+thlzeM]之间，从而抑制三相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[Q1, 0r/3]的脉动。
[0075]对相邻的B相和C相供电励磁，B相供电励磁比C相供电励磁超前Θ r/3时的转矩阈值设定、换相过程、B相和C相励磁状态切换转移方法，与上述情况类似。
[0076]对相邻的C相和A相供电励磁，C相供电励磁比A相供电励磁超前Θ r/3时的转矩阈值设定、换相过程、C相和A相励磁状态切换转移方法，与上述情况类似。
[0077]所获得的开关磁阻电机转矩波形如图3所示。
【权利要求】
1.一种三相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法，其特征在于: a.在转子位置区间[O。，θ^3]设置第一组转矩阈值(thllOT，thIzero,thlup)，在转子位置区间[θ r/3, Θ r/2]设置第二组转矩阈值(th2lOT，th2zero, th2up)，这6个转矩阈值满足条件: --.> > Λ2ηρ > O (J)IMjow >,2) I 撕膽I
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I ?Α2— |=| Λ--ον/1V(5) 其中，转子位置0°为最小相电感位置，转子位置Θ ^为齿距角即一个转子周期，半个转子周期是Θ Jl ； b.设置励磁状态SaSA相供电励磁状态，励磁状态Sa= I表示A相励磁电压为正，励磁状态Sa = O表示A相励磁电压为零，励磁状态Sa = -1表示A相励磁电压为负；设置励磁状态Sb为B相供电励磁状态，励磁状态Sb = I表示B相励磁电压为正，励磁状态Sb = O表示B相励磁电压为零，励磁状态Sb = -1表示B相励磁电压为负，期望的总平滑转矩为Te ； c.对相邻的A相和B相供电励磁，A相供电励磁比B相供电励磁超前0^3，此时，A相关断，B相开通，通过将A相到B相分为两个区间的换相过程，实现三相开关磁阻电机转矩脉动的三电平抑制。
2.根据权利要求1所述的一种三相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法，其特征在于:所述A相到B相分为两个区间的换相过程: (I)在转子位置区间[0°，Θ J，A相使用第二组转矩阈值(th2lOT，th2zero, th2up)，B相使用第一组转矩阈值(thllOT，thlzero, thlup)，临界位置Q1是在换相过程中自动出现的，无需额外进行计算； (1.D在转子位置0°位置进入B相导通周期，设定初始励磁状态Sb = 1，B相电流和转矩从O开始增大；励磁状态Sa保持原有状态Sa = 1，A相电流与转矩增加。总转矩增加； (1.2)当总转矩增加到转矩值Te+th2up，励磁状态Sa由I转换为-1，A相转矩减小；B相保持原有状态，B相转矩继续增加。由于此时B相电感变化率及相电流较小，B相转矩增加速率小于A相转矩下降速率，总转矩变化趋势由A相决定，总转矩减小； (1.3)当总转矩首先减小到转矩值TJthllw，不满足A、B两相状态转移条件，励磁状态Sa和Sb保持原有状态，总转矩继续减小； (1.4)当总转矩减小到转矩值Te+th2ZOT。，触发A相状态由励磁状态Sa = -1转变为励磁状态Sa = O, A相转矩减小,但减小速率比励磁状态Sa = -1时要小；B相保持原有励磁状态，转矩继续增加。此时在励磁状态Sa = 0，励磁状态Sb= I的情况下，A相转矩减小速率大于B相转矩增加速率，总转矩减小； (1.5)当总转矩减小到转矩值Te+th21(W，满足A相状态转移条件，A相状态由励磁状态Sa = O转变为励磁状态Sa = 1，A相转矩增大；B相保持原有状态，转矩继续增加；总转矩增加； (1.6)当总转矩依次增加到转矩值Te+th2zeM与Te+thllOT，但均不满足A、B相的状态转移条件，总转矩继续增加； (1.7)当总转矩增加到转矩值Te+th2up，重复步骤(1.2)?(1.6)，B相状态未被触发而改变，保持励磁状态Sb = I ;A相励磁状态在1、0和-1间切换，将总转矩控制在[Te+th2lOT，Te+th2up]之间，从而抑制三相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[0°，0J的脉动； (1.8)随着转子位置增大，B相电感变化率及电流增大到一定水平，在某一临界位置之后，当励磁状态Sa = 0，励磁状态Sb = I时，A相转矩减小速率小于B相转矩增加速率，总转矩上升； (2)在转子位置区间[Θ P Θ r/3]，A相继续使用第二组转矩阈值(th2lOT，th2z_，th2up)，B相继续使用第一组转矩阈值(thllOT, thIzero, thlup)； (2.1)在转子位置Θ i位置，总转矩达到转矩值Te+th2up，A相状态切换为励磁状态Sa=-1 ;B相保持励磁状态SB = 1，在该位置A相转矩在负供电电压激励下的下降速率大于B相转矩在正供电电压激励下的增加速率，因此总转矩下降。然而该状况在随后发生改变，随着转子位置增加，尽管A、B两相励磁状态均未变，但A相在励磁状态Sa = -1状态下的转矩下降速率小于B相在励磁状态Sb = I状态下的转矩增加速率，从而总转矩上升； (2.2)当总转矩上升到转矩值Te+th2up，励磁状态Sa和励磁状态Sb均未被触发改变状态，总转矩继续上升； (2.3)当总转矩达到转矩值Te+thlZOT。，满足B相状态转移条件，励磁状态Sb转换为0，B相转矩减小；A相保持原有励磁状态Sa = -1,总转矩减小； (2.4)当总转矩减小到转矩值Te+th2up，励磁状态Sa和励磁状态Sb均未被触发改变状态，总转矩继续减小； (2.5)当总转矩减小到转矩值Te+thllOT，满足B相状态转移条件，励磁状态Sb转换为1，B相转矩增加；A相保持原有励磁状态Sa = -1,总转矩上升； (2.6)重复步骤(2.2)?(2.5)，励磁状态Sa保持-1，A相转矩和电流持续变小；励磁状态Sb在O和I之间切换，总转矩被控制在[Te+thllOT，Te+thlzero]之间，从而抑制三相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[Θ P Θ r/3]的脉动； (2.7)当转子位于临界位置，B相转矩在励磁状态Sb = O时转矩增加，且增加速率大于A相在励磁状态Sa = -1时转矩下降速率，此时总转矩上升； (2.8)当总转矩上升至转矩值Te+thlup，B相状态被触发改变，励磁状态SbW O转为-1，B相转矩减小4相转矩继续减小，总转矩减小； (2.9)当总转矩依次减小到转矩值Te+thlzero与转矩值Te+th2up，励磁状态Sa和励磁状态Sb均未被触发改变状态，总转矩继续减小； (2.10)当总转矩减小到转矩值Te+thllOT，励磁状态Sb被触发改变为1，B相转矩增加；A相保持原有状态，A相转矩继续减小，总转矩增加； (2.11)当总转矩增加到转矩值Te+thlZOT。，励磁状态Sb被触发改变为0，励磁状态Sa保持为-1，此时情况与(2.7)相同，重复步骤(2.7)?(2.11)，励磁状态Sa保持-1，励磁状态sB在-l，0和I之间切换，总转矩被控制在[Te+thllOT，Te+thlup]之间，从而抑制三相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[Θ P θ r/3]的脉动； (2.12)当转子位于临界位置，B相转矩在励磁状态Sb = O、励磁状态Sa = -1时总转矩不再增加，而是降低，从此刻起重复步骤(2.2)?(2.5)，总转矩被控制在[Te+thllOT，Te+thlzeM]之间，从而抑制三相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[Q1, 0r/3]的脉动。
【文档编号】H02P6/10GK104300846SQ201410431988
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2014年8月27日 优先权日:2014年8月27日
【发明者】陈昊, 石交通 申请人:中国矿业大学