技术领域本发明涉及电气控制技术领域，特别是涉及需要对电源正极和负极反向接入进行保护的一种防电源反接电路。
背景技术：
随着国民经济各领域与国防工业对于电能变换和处理的要求不断提高，以及要满足节能与新能源开发的需求，作为电能变换装置核心部件的功率半导体器件也起着越来越重要的作用。电力电子器件以不同的电路拓扑构成不同的电力电子电路，实现各种电能变换和控制功能。为了使电力电子电路能够稳定运行并且提供优良的电能，需要对电力电子器件进行可靠的驱动、控制和保护。目前电源的反接保护电路多使用二极管电路，但当大电流应用时，二极管方案的成本和性能都不能满足需求，本电路实现了低成本化的电源正极和负极反接接入保护。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中存在的问题而设计的一种防电源反接电路，采用N沟道MOS管，将电阻与二极管并联，在串联另一电阻，将MOS管的栅极连接并联电路的二极管的阴极端，源极连接并联电路二极管的正极端，MOS管的漏极连接一电容的一端，电容的另一端连接与并联电路串联的电阻的另一端。电容与电阻连接的那端连接电源正极，MOS管漏极与电容连接的那端连接电源负极，整个电路导通；反接，MOS管漏极和源极截止，电源无法接通。本发明所要求解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现：一种防电源反接电路，包括MOS管Q1、电阻R1、电阻R2、电容C1和齐纳二极管D1，所述电阻R2和齐纳二极管D1并联，所述并联电路在齐纳二极管D1阴极端串联电阻R1，所述MOS管Q1栅极连接电阻R2和齐纳二极管D1组成并联电路的齐纳二极管D1阴极端，所述MOS管Q1源极连接电阻R2和齐纳二极管D1组成并联电路的齐纳二极管D1阳极端，所述电容C1一引脚连接MOS管Q1漏极，另一引脚连接电阻R1另一端。所述齐纳二极管D1可用TVS管替代。所述MOS管Q1为开关MOS管。由于采用了如上技术方案，本发明具有如下特点：为一种有效防电路反接的方案。MOS管制造简单，制造成本低，在大电流电路中应用此种电路，大大降低生产成本同时又能很好的起到防止电路反接的作用。附图说明图1为本发明结构示意图。具体实施方式为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本发明。如图1所示，本发明包括MOS管Q1、电阻R1、电阻R2、电容C1和齐纳二极管或TVS管D1。电阻R2与齐纳二极管或TVS管D1并联后再串联电阻R1，MOS管Q1的栅极连接电阻R2与齐纳二极管或TVS管D1并联电路的齐纳二极管或TVS管D1的阴极这一端，MOS管Q1的源极连接电阻R2与齐纳二极管或TVS管D1并联电路的齐纳二极管或TVS管D1的阳极这一端，MOS管Q1的漏极连接电容C1的一端，电容C1的另一端连接电阻R1的另一端。电容C1与电阻R1连接的那端连电源正极，MOS管Q1漏极与电容C1相连的那端连电源负极，电阻R2的分压使MOS管Q1的栅极电压高于源极电源，MOS管Q1导通，整个电路导通。如果电容C1与电阻R1连接的那端连电源负极，MOS管Q1漏极与电容C1相连的那端连电源正极，MOS管Q1的栅极电压为低，MOS管Q1漏极和源极截止，供电电源无法接通，对后端电路起到保护作用。所述电阻R1、R2通过分压方式给MOS管Q1的栅极提供电压，电容C1为去耦电容，齐纳二极管或TVS管D1为MOS管Q1栅极提供过压保护。以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。