原边控制反激式开关电源控制芯片及输出线电压补偿电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种原边控制反激式开关电源控制芯片，包括恒压控制电路、退磁检测电路、输出线电压补偿电路、峰值电流比较器、开关信号产生电路；退磁检测电路通过检测原边控制反激式开关电源的输出反馈电压，得到退磁信号，输出线电压补偿电路通过检测退磁信号的占空比来输出下拉电流，下拉输出反馈电压，原边控制反激式开关电源的输出电流越大，退磁信号的占空比越大，下拉电流越大，从而原边控制反激开关电源的输出电压越高。本实用新型的原边控制反激式开关电源控制芯片，不需要外置电容即可实现输出线电压补偿，能降低原边控制反激式开关电源的成本并提高可靠性。本实用新型还公开了一种输出线电压补偿电路。
【专利说明】原边控制反激式开关电源控制芯片及输出线电压补偿电路
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及开关电源技术，特别涉及原边控制反激式开关电源控制芯片及输出线电压补偿电路。
【背景技术】
[0002]开关电源因其相对于传统线性电源具有体积小，稳定性好，转换效率高和成本低的特性，在微处理器和其他电子产品中已经是一门必不可少的技术。
[0003]在各种类型的开关电源中，反激式开关电源最为常见。反激式开关电源的核心元件之一是变压器，它提供了输入和输出的电气隔离。通常此变压器具有原边绕组和副边绕组，以及一个或多个辅助绕组。反激式开关电源通常用于低成本、低功率的场合中。
[0004]相对于副边控制的反激式开关电源，原边控制的反激式开关电源是通过在原边开关管关断时，利用变压器的一个辅助绕组来反映副边绕组的电压来实现控制输出功率的目的，省掉了光电稱合器的成本。
[0005]面对目前市面上越来越大的手机锂电池电量，大的充电电流成为一种趋势。原边控制的反激式开关电源能够在印制电路版的端口提供精确的输出电压，但是在真正接入手机端的接口却因为大电流流经输出线的原因产生电压跌落，输出电流越大，输出线等效电阻越大，电压的跌落也就越大。
[0006]目前市面上通常用于输出线电压补偿的方法是外置一个补偿电容，此电容通过滤波开关信号，得到输出线电流的信息，然后根据所得电流信息进行输出线电压补偿。但是这种技术因为引入外置补偿电容的原因，造成了成本的上升和可靠性的下降。
[0007]图1为传统的带输出线电压补偿的原边控制反激式开关电源结构，其包括三绕组的变压器20a、控制芯片IOa ;三绕组的变压器20a包括原边绕组201a、辅助绕组202a、副边绕组203a ;辅助绕组202a给控制芯片IOa供电并提供原边控制反激式开关电源的输出电压的检测功能；控制芯片IOa通过输出开关信号Vd来控制开关管Q的导通和关断，从而实现原边控制反激式开关电源的输出电压调制的功能。
[0008]传统的带输出线电压补偿的原边控制反激式开关电源，控制芯片IOa的退磁检测电路102a通过检测输出反馈电压Vfb得到退磁信号Demag ;所述退磁信号Demag在原边控制反激式开关电源的副边整流二极管D2导通时为高，关断时为低；控制芯片IOa的输出电流检测电路103a与外置电容CL通过对退磁信号Demag的滤波得到恒压控制电压Ne’原边控制反激式开关电源的输出电流越大，恒压控制电压Vc越高；恒压控制电压Vc按照一定比例与芯片内部基准电压Vrefl相加得到恒压基准电压Vref2 ;恒压控制电路IOla的输出电压在输出反馈电压Vfb的退磁时刻控制在恒压基准电压Vref2，从而实现输出线电压补偿的功能。当原边绕组201a内电流大于峰值电流比较器106a正输入端接入的基准电流Iref时，控制芯片IOa控制开关管Q关断。
[0009]上述传统的带输出线电压补偿的原边控制反激式开关电源的控制芯片10a，需要外置电容CL进行退磁信号Demag的滤波，并且输出线电压补偿的比例是固定的。实用新型内容
[0010]本实用新型要解决的技术问题是提供一种原边控制反激式开关电源控制芯片，不需要外置电容，并且输出线电压补偿比例在原边控制反激式开关电源不增加外部器件的情况下可调整。
[0011]为解决上述技术问题，本实用新型提供的原边控制反激式开关电源控制芯片，其包括恒压控制电路、退磁检测电路、输出线电压补偿电路、峰值电流比较器、开关信号产生电路、驱动电路、反馈电压输入端、检测电流输入端、开关信号输出端；
[0012]所述恒压控制电路，输入端接所述反馈电压输入端，输出端接所述开关信号产生电路的导通信号输入端；所述恒压控制电路，当输入的电压大于设定电压时，经过一迟延时间输出一脉冲，所述迟延时间与输入的电压成正比；
[0013]所述峰值电流比较器，负输入端接控制芯片的检测电流输入端，正输入端接基准电流，输出端接所述开关信号产生电路的关断信号输入端；
[0014]所述退磁检测电路，输入端接控制芯片的反馈电压输入端，输出端接所述输出线电压补偿电路的输入端；所述退磁检测电路，用于输出退磁信号，当输入端的电压大于设定电压时，输出的退磁信号为高电平，当输入端的电压小于等于设定电压时，输出的退磁信号为低电平；
[0015]所述输出线电压补偿电路，输出端接控制芯片的反馈电压输入端；所述输出线电压补偿电路，用于对退磁信号进行滤波，并输出与经过滤波后的退磁信号成正比的下拉电流；
[0016]所述开关信号产生电路，输出端接所述驱动电路输入端；所述开关信号产生电路，当关断信号输入端电平由低跳变到高时，开始输出高电平；当导通信号输入端电平由低跳变到高时，开始输出低电平；
[0017]所述驱动电路，输出端接控制芯片的开关信号输出端；所述驱动电路，用于对输入信号放大后输出。
[0018]较佳的，所述输出线电压补偿电路，包括一个前置滤波器、一个开关电容滤波器和一个电压转电流电路；
[0019]所述前置滤波器，输入端接所述输出线电压补偿电路的输入端，输出端接所述开关电容滤波器的第一输入端；
[0020]所述开关电容滤波器，第二输入端接所述输出线电压补偿电路的输入端，输出端接所述电压转电流电路的输入端；
[0021]所述电压转电流电路，输出端接所述输出线电压补偿电路的输出端。
[0022]较佳的，所述前置滤波器，包括第四电阻、第四电容；
[0023]所述第四电阻，一端接所述前置滤波器的输入端，另一端接所述前置滤波器的输出端；
[0024]所述第四电容，一端接所述前置滤波器的输出端，另一端接地。
[0025]较佳的，所述开关电容滤波器，包括反相器、第五电容、第六电容、第一控制开关、第二控制开关；
[0026]第一控制开关、第二控制开关在控制端电位为高时导通，为低时关断；[0027]所述反相器，输入端接所述开关电容滤波器的第二输入端及所述第一控制开关的控制端，输出端接所述第二控制开关的控制端；
[0028]所述第一控制开关,一传导电流端接所述开关电容滤波器的第一输入端，另一传导电流端接所述第五电容的一端及所述第二控制开关的一传导电流端；
[0029]所述第二控制开关的另一传导电流端接所述第六电容的一端及所述开关电容滤波器的输出端；
[0030]所述第五电容的另一端及所述第六电容的另一端接地。
[0031]较佳的，所述电压转电流电路，包括运算放大器、第五电阻、第一 PMOS管，第二PMOS管，第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管；
[0032]所述运算放大器，正输入端接所述电压转电流电路的输入端，负输入端接所述第三NMOS管的源极，输出端接所述第三NMOS管的栅极；
[0033]所述第三NMOS管,漏极接所述第一 PMOS管的漏极及栅极以及所述第二 PMOS管的栅极；
[0034]所述第一 PMOS管及所述第二 PMOS管的源极相接；
[0035]所述第二 PMOS管，漏极接所述第四NMOS管的漏极及栅极以及所述第五NMOS管的栅极；
[0036]所述第四NMOS管及所述第五NMOS管的源极接地；
[0037]所述第五NMOS管，漏极接所述电压转电流电路的输出端；
[0038]所述第五电阻，一端接所述运算放大器的负输入端，另一端接地。
[0039]本实用新型还公开了一种输出线电压补偿电路，包括一个前置滤波器、一个开关电容滤波器和一个电压转电流电路；
[0040]所述前置滤波器，输入端接所述输出线电压补偿电路的输入端，输出端接所述开关电容滤波器的第一输入端；
[0041]所述开关电容滤波器，第二输入端接所述输出线电压补偿电路的输入端，输出端接所述电压转电流电路的输入端；
[0042]所述电压转电流电路，输出端接所述输出线电压补偿电路的输出端。
[0043]较佳的，所述前置滤波器，包括第四电阻、第四电容；
[0044]所述第四电阻，一端接所述前置滤波器的输入端，另一端接所述前置滤波器的输出端；
[0045]所述第四电容，一端接所述前置滤波器的输出端，另一端接地；
[0046]所述前置滤波器，时间常数设置在百微秒级别。
[0047]较佳的，所述开关电容滤波器，包括反相器、第五电容、第六电容、第一控制开关、第二控制开关；
[0048]第一控制开关、第二控制开关在控制端电位为高时导通，控制端电位为低时关断；
[0049]所述反相器，输入端接所述开关电容滤波器的第二输入端及所述第一控制开关的控制端，输出端接所述第二控制开关的控制端；
[0050]所述第一控制开关,一传导电流端接所述开关电容滤波器的第一输入端，另一传导电流端接所述第五电容的一端及所述第二控制开关的一传导电流端；[0051]所述第二控制开关的另一传导电流端接所述第六电容的一端及所述开关电容滤波器的输出端；
[0052]所述第五电容的另一端及所述第六电容的另一端接地。
[0053]较佳的，所述电压转电流电路，包括运算放大器、第五电阻、第一 PMOS管，第二PMOS管，第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管；
[0054]所述运算放大器，正输入端接所述电压转电流电路的输入端，负输入端接所述第三NMOS管的源极，输出端接所述第三NMOS管的栅极；
[0055]所述第三NMOS管,漏极接所述第一 PMOS管的漏极及栅极以及所述第二 PMOS管的栅极；
[0056]所述第一 PMOS管及所述第二 PMOS管的源极相接；
[0057]所述第二 PMOS管，漏极接所述第四NMOS管的漏极及栅极以及所述第五NMOS管的栅极；
[0058]所述第四NMOS管及所述第五NMOS管的源极接地；
[0059]所述第五NMOS管，漏极接所述电压转电流电路的输出端；
[0060]所述第五电阻，一端接所述运算放大器的负输入端，另一端接地。
[0061]本实用新型的原边控制反激式开关电源控制芯片，退磁检测电路通过检测原边控制反激式开关电源的输出反馈电压，得到退磁信号，输出线电压补偿电路通过检测退磁信号的占空比来输出下拉电流，下拉输出反馈电压，原边控制反激式开关电源的输出电流越大，退磁信号的占空比也就越大，下拉电流越大，从而原边控制反激开关电源的输出电压越高。本实用新型的原边控制反激式开关电源控制芯片，不需要外置电容即可实现原边控制反激式开关电源输出线电压补偿，能降低原边控制反激式开关电源的成本并提高原边控制反激式开关电源的可靠性；并且改变原边控制反激式开关电源原有的反馈电阻的值即可以调整输出线电压补偿的比例，从而不增加原边控制反激式开关电源外部器件即可调整其输出线电压补偿比例，能提高原边控制反激式开关电源的应用范围，为使用者提供更大的便利。
【专利附图】
【附图说明】
[0062]为了更清楚地说明本实用新型的技术方案，下面对本实用新型所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0063]图1是传统的带输出线电压补偿的原边控制反激式开关电源结构示意图；
[0064]图2是本实用新型的原边控制反激式开关电源控制芯片一实施例结构示意图；
[0065]图3是本实用新型的原边控制反激式开关电源控制芯片一实施例的输出线电压补偿电路结构示意图；
[0066]图4是本实用新型的原边控制反激式开关电源控制芯片一实施例的输出线电压补偿电路的开关电容滤波器结构示意图；
[0067]图5是采用本实用新型的控制芯片的对原边控制反激式开关电源输出线电压补偿的各个关键节点的工作波形。【具体实施方式】
[0068]下面将结合附图，对本实用新型中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0069]实施例一
[0070]原边控制反激式开关电源控制芯片，如图2所示，控制芯片10包括恒压控制电路101、退磁检测电路102、输出线电压补偿电路103、峰值电流比较器106、开关信号产生电路104、驱动电路105、反馈电压输入端、检测电流输入端、开关信号输出端；
[0071]所述恒压控制电路101，输入端接所述反馈电压输入端，输出端接所述开关信号产生电路104的导通信号输入端；所述恒压控制电路101，当输入的电压大于设定电压时，经过一迟延时间输出一脉冲，所述迟延时间与输入的电压成正比；
[0072]所述峰值电流比较器106，负输入端接控制芯片10的检测电流输入端，正输入端接基准电流Iref，输出端接所述开关信号产生电路104的关断信号输入端；
[0073]所述退磁检测电路102，输入端接控制芯片10的反馈电压输入端，输出端接所述输出线电压补偿电路103的输入端；所述退磁检测电路102,用于输出退磁信号Demag,当输入端的电压大于设定电压时，输出的退磁信号Demag为高电平，当输入端的电压小于等于设定电压时，输出的退磁信号Demag为低电平；
[0074]所述输出线电压补偿电路103，输出端接控制芯片10的反馈电压输入端；所述输出线电压补偿电路103，用于对退磁信号Demag进行滤波，并输出与经过滤波后的退磁信号成正比的下拉电流Ifb ；
[0075]所述开关信号产生电路104，输出端接所述驱动电路105输入端；所述开关信号产生电路104，当关断信号输入端电平由低跳变到高时，开始输出高电平；当导通信号输入端电平由低跳变到高时，开始输出低电平；
[0076]所述驱动电路105，输出端接控制芯片10的开关信号输出端；所述驱动电路，用于对输入信号放大后输出。
[0077]如图2所示，原边控制反激式开关电源中的三绕组的变压器20，包括原边绕组201、辅助绕组202、副边绕组203 ;辅助绕组202给控制芯片10供电并提供原边控制反激式开关电源的输出电压的检测功能；控制芯片10通过输出开关信号Vd来控制开关管Q的导通和关断，从而实现原边控制反激式开关电源的输出电压调制的功能，当原边绕组201内电流大于峰值电流比较器106正输入端接入的基准电流Iref时，控制芯片10控制开关管Q关断。
[0078]假设控制芯片10满载情况下的最大下拉电流为Ifbmax,则满载电压相对于空载电压在原边控制反激式开关电源印制电路板端抬升的幅度为Ifbmax*Rl*Ns/Na,其中Na为原边控制反激开关电源中的三绕组的变压器20的辅助绕组202的匝数，Ns为三绕组的变压器20的副边绕组203的匝数，Rl为原边控制反激式开关电源的反馈电阻。
[0079]实施例一的原边控制反激式开关电源控制芯片，退磁检测电路102通过检测原边控制反激式开关电源的输出反馈电压Vfb，得到退磁信号Demag，输出线电压补偿电路103通过检测退磁信号Demag的占空比来输出下拉电流Ifb，下拉输出反馈电压Vfb，原边控制反激式开关电源的输出电流越大，退磁信号Demag的占空比也就越大,下拉电流Ifb越大，从而原边控制反激开关电源的输出电压越高。实施例一的原边控制反激式开关电源控制芯片，不需要外置电容即可实现原边控制反激式开关电源输出线电压补偿，能降低原边控制反激式开关电源的成本并提高原边控制反激式开关电源的可靠性；并且改变原边控制反激式开关电源原有的反馈电阻Rl的值即可以调整输出线电压补偿的比例，从而不增加原边控制反激式开关电源外部器件即可调整其输出线电压补偿比例，能提高原边控制反激式开关电源的应用范围，为使用者提供更大的便利。
[0080]实施例二
[0081]基于实施例一的原边控制反激式开关电源控制芯片，如图3所示，所述输出线电压补偿电路103,包括一个前置滤波器、一个开关电容滤波器和一个电压转电流模块；
[0082]所述前置滤波器，输入端接所述输出线电压补偿电路103的输入端，输出端接所述开关电容滤波器的第一输入端；
[0083]所述开关电容滤波器，第二输入端接所述输出线电压补偿电路的输入端，输出端接所述电压转电流电路的输入端；
[0084]所述电压转电流电路，输出端作为所述输出线电压补偿电路103的输出端。
[0085]较佳的，所述前置滤波器，包括第四电阻R4、第四电容C4 ；
[0086]所述第四电阻R4，一端接所述前置滤波器的输入端，另一端接所述前置滤波器的输出端；
[0087]所述第四电容C4，一端接所述前置滤波器的输出端，另一端接地；
[0088]所述前置滤波器，时间常数优选设置在百微秒级别。
[0089]较佳的，所述开关电容滤波器，如图4所示，包括反相器、第五电容C5、第六电容C6、第一控制开关S1、第二控制开关S2 ；
[0090]第一控制开关S1、第二控制开关S2在控制端电位为高时导通，为低时关断；
[0091]所述反相器，输入端接所述开关电容滤波器的第二输入端及所述第一控制开关SI的控制端，输出端接所述第二控制开关S2的控制端；
[0092]所述第一控制开关SI，一传导电流端接在所述开关电容滤波器的第一输入端，另一传导电流端接所述第五电容C5的一端及所述第二控制开关S2的一传导电流端；
[0093]所述第二控制开关S2的另一传导电流端接所述第六电容C6的一端及所述开关电容滤波器的输出端；
[0094]所述第五电容C5的另一端及所述第六电容C6的另一端接地。
[0095]开关电容滤波器的滤波时间常数为C6/(C5*FDemag)，其中FDemag为退磁信号Demag的工作频率。系统的开关频率越低，退磁信号Demag的工作频率越低，开关电容滤波器的滤波时间常数越大，开关系统越容易稳定。一般设置第五电容C5为第六电容C6的20倍以上以实现开关系统的稳定性。
[0096]较佳的，所述电压转电流电路，包括运算放大器、第五电阻R5、第一 PMOS管M1，第二 PMOS管M2，第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5 ；
[0097]所述运算放大器，正输入端接所述电压转电流电路的输入端，负输入端接所述第三NMOS管M3的源极，输出端接所述第三NMOS管M3的栅极；[0098]所述第三NMOS管M3，漏极接所述第一PMOS管Ml的漏极及栅极以及所述第二PMOS管M2的栅极；
[0099]所述第一 PMOS管Ml及所述第二 PMOS管M2的源极相接；
[0100]所述第二 PMOS管M2，漏极接所述第四NMOS管M4的漏极及栅极以及所述第五NMOS管M5的栅极；
[0101]所述第四NMOS管M4及所述第五NMOS管M5的源极接地；
[0102]所述第五NMOS管M5，漏极接所述电压转电流电路的输出端；
[0103]所述第五电阻R5，一端接所述运算放大器的负输入端，另一端接地。
[0104]实施例二的原边控制反激式开关电源控制芯片，输出线电压补偿电路103中的开关电容滤波器303的开关控制端为退磁信号Demag,通过开关电容滤波器的滤波作用，输出反映输出电流的直流信号Vo，输出电流越大，开关电容滤波器输出的直流信号Vo越高。电压转电流电路，输出下拉电流Ifb，Ifb=K*Vo/R5，K为第一 PMOS管Ml、第二 PMOS管M2、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5组成的电流镜的镜像比。开关电容滤波器输出的直流信号Vo越高，电压转电流电路输出的下拉电流Ifb也就越大，从而实现输出线电压补偿的目的。
[0105]实施例二的开关电源控制电路，对原边控制反激开关电源的输出线电压补偿的关键点的波形如图5所示。开关电源控制电路输出的开关信号Vd为高电位时，原边控制反激开关电源的主功率管Q导通,三绕组的变压器20的原边绕组201中的电流线性增加，当电流增加到基准电流Iref时，主功率管Q关断，主功率管Q的导通时间为tonp。主功率管Q关断之后，副边绕组203开始续流，续流二极管D2导通，输出反馈电压Vfb升高，退磁信号Demag变为高电平，所述前置滤波器的输出信号Vi开始上升，所述第一控制开关SI导通，所述第二控制开关S2关断，所述第五电容C5的电压等于所述前置滤波器的输出信号Vi，开关电容滤波器的输出的直流信号Vo不变，续流时间记为Tons。当副边线圈203续流结束时，续流二极管D2关断，输出反馈电压Vfb降低，退磁信号Demag变为低电平，所述前置滤波器的输出信号Vi开始下降，所述第一控制开关SI导关断，所述第二控制开关S2导通，第五电容C5与第六电容C6的电压相等，从而实现开关电容的作用。因为整个原边控制反激式开关电源工作在固定峰值电流模式，原边控制反激式开关电源输出电流1ut的值为:1ut=Iref*Ns*Tons/[ (Tons+Tonp+Toff) *Np], Toff 为所述恒压控制电路 101 输出一脉冲的迟延时间减去续流时间Tons的差值；当原边控制反激式开关电源输出电流1ut变大时，续流时间Tons在整个开关周期内比例变大，所述前置滤波器的输出信号Vi的上升时间在整个开关周期内所占比例升高，开关电容滤波器的输出的直流信号Vo的直流值变大，电压转电流电路输出的下拉电流Ifb增加，从而实现开关电源控制电路输出线电压补偿的目的。
[0106]实施例二的原边控制反激式开关电源控制芯片，通过其输出线电压补偿电路103中的开关电容滤波器实现对退磁信号Demag的滤波，得到输出电流的低频信号，然后通过此信号调节不同输出电流情况下的输出电压高低，从而控制芯片无需外接滤波电容，即可输出一个与原边控制反激式开关电源输出电流成比例的电流信号。
[0107]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型保护的范围之内。
【权利要求】
1.一种原边控制反激式开关电源控制芯片，其特征在于，控制芯片包括恒压控制电路、退磁检测电路、输出线电压补偿电路、峰值电流比较器、开关信号产生电路、驱动电路、反馈电压输入端、检测电流输入端、开关信号输出端； 所述恒压控制电路，输入端接所述反馈电压输入端，输出端接所述开关信号产生电路的导通信号输入端；所述恒压控制电路，当输入的电压大于设定电压时，经过一迟延时间输出一脉冲，所述迟延时间与输入的电压成正比； 所述峰值电流比较器，负输入端接控制芯片的检测电流输入端，正输入端接基准电流，输出端接所述开关信号产生电路的关断信号输入端； 所述退磁检测电路，输入端接控制芯片的反馈电压输入端，输出端接所述输出线电压补偿电路的输入端；所述退磁检测电路，用于输出退磁信号，当输入端的电压大于设定电压时，输出的退磁信号为高电平，当输入端的电压小于等于设定电压时，输出的退磁信号为低电平； 所述输出线电压补偿电路，输出端接控制芯片的反馈电压输入端；所述输出线电压补偿电路，用于对退磁信号进行滤波，并输出与经过滤波后的退磁信号成正比的下拉电流； 所述开关信号产生电路，输出端接所述驱动电路输入端；所述开关信号产生电路，当关断信号输入端电平由低跳变到高时，开始输出高电平；当导通信号输入端电平由低跳变到高时，开始输出低电平； 所述驱动电路，输 出端接控制芯片的开关信号输出端；所述驱动电路，用于对输入信号放大后输出。
2.根据权利要求1所述的原边控制反激式开关电源控制芯片，其特征在于， 所述输出线电压补偿电路，包括一个前置滤波器、一个开关电容滤波器和一个电压转电流电路； 所述前置滤波器，输入端接所述输出线电压补偿电路的输入端，输出端接所述开关电容滤波器的第一输入端； 所述开关电容滤波器，第二输入端接所述输出线电压补偿电路的输入端，输出端接所述电压转电流电路的输入端； 所述电压转电流电路，输出端接所述输出线电压补偿电路的输出端。
3.根据权利要求2所述的原边控制反激式开关电源控制芯片，其特征在于， 所述前置滤波器，包括第四电阻、第四电容； 所述第四电阻，一端接所述前置滤波器的输入端，另一端接所述前置滤波器的输出端; 所述第四电容，一端接所述前置滤波器的输出端，另一端接地。
4.根据权利要求3所述的原边控制反激式开关电源控制芯片，其特征在于， 所述开关电容滤波器，包括反相器、第五电容、第六电容、第一控制开关、第二控制开关; 第一控制开关、第二控制开关在控制端电位为高时导通，为低时关断； 所述反相器，输入端接所述开关电容滤波器的第二输入端及所述第一控制开关的控制端，输出端接所述第二控制开关的控制端； 所述第一控制开关，一传导电流端接所述开关电容滤波器的第一输入端，另一传导电流端接所述第五电容的一端及所述第二控制开关的一传导电流端； 所述第二控制开关的另一传导电流端接所述第六电容的一端及所述开关电容滤波器的输出端； 所述第五电容的另一端及所述第六电容的另一端接地。
5.根据权利要求4所述的原边控制反激式开关电源控制芯片，其特征在于， 所述电压转电流电路，包括运算放大器、第五电阻、第一 PMOS管，第二 PMOS管，第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管； 所述运算放大器，正输入端接所述电压转电流电路的输入端，负输入端接所述第三NMOS管的源极，输出端接所述第三NMOS管的栅极； 所述第三NMOS管，漏极接所述第一 PMOS管的漏极及栅极以及所述第二 PMOS管的栅极； 所述第一 PMOS管及所述第二 PMOS管的源极相接； 所述第二 PMOS管，漏极接所述第四NMOS管的漏极及栅极以及所述第五NMOS管的栅极； 所述第四NMOS管及所述第五NMOS管的源极接地； 所述第五匪OS管，漏极接所述电压转电流电路的输出端； 所述第五电阻，一端接所述运算放大器的负输入端，另一端接地。
6.一种输出线电压补偿电路，包括一个前置滤波器、一个开关电容滤波器和一个电压转电流电路； 所述前置滤波器，输入端接所述输出线电压补偿电路的输入端，输出端接所述开关电容滤波器的第一输入端； 所述开关电容滤波器，第二输入端接所述输出线电压补偿电路的输入端，输出端接所述电压转电流电路的输入端； 所述电压转电流电路，输出端接所述输出线电压补偿电路的输出端。
7.根据权利要求6所述的输出线电压补偿电路，其特征在于， 所述前置滤波器，包括第四电阻、第四电容； 所述第四电阻，一端接所述前置滤波器的输入端，另一端接所述前置滤波器的输出端; 所述第四电容，一端接所述前置滤波器的输出端，另一端接地； 所述前置滤波器，时间常数设置在百微秒级别。
8.根据权利要求7所述的输出线电压补偿电路，其特征在于， 所述开关电容滤波器，包括反相器、第五电容、第六电容、第一控制开关、第二控制开关; 第一控制开关、第二控制开关在控制端电位为高时导通，控制端电位为低时关断； 所述反相器，输入端接所述开关电容滤波器的第二输入端及所述第一控制开关的控制端，输出端接所述第二控制开关的控制端； 所述第一控制开关，一传导电流端接所述开关电容滤波器的第一输入端，另一传导电流端接所述第五电容的一端及所述第二控制开关的一传导电流端； 所述第二控制开关的另一传导电流端接所述第六电容的一端及所述开关电容滤波器的输出端； 所述第五电容的另一端及所述第六电容的另一端接地。
9.根据权利要求8所述的输出线电压补偿电路，其特征在于， 所述电压转电流电路，包括运算放大器、第五电阻、第一 PMOS管，第二 PMOS管，第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管； 所述运算放大器，正输入端接所述电压转电流电路的输入端，负输入端接所述第三NMOS管的源极，输出端接所述第三NMOS管的栅极； 所述第三NMOS管，漏极接所述第一 PMOS管的漏极及栅极以及所述第二 PMOS管的栅极； 所述第一 PMOS管及所述第二 PMOS管的源极相接； 所述第二 PMOS管，漏极接所述第四NMOS管的漏极及栅极以及所述第五NMOS管的栅极； 所述第四NMOS管及所述第五NMOS管的源极接地； 所述第五NMOS管， 漏极接所述电压转电流电路的输出端； 所述第五电阻，一端接所述运算放大器的负输入端，另一端接地。
【文档编号】H02M3/156GK203813661SQ201420117412
【公开日】2014年9月3日 申请日期:2014年3月14日 优先权日:2014年3月14日
【发明者】周健, 宗强 申请人:上海飞克浦电子科技有限公司