用于旁路电压调节器中的电压调节的电路、设备及方法与流程

文档序号:12071642阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种电压调节器,包括:

占空比组件,其被配置为确定电压调节器的占空比是否大于阈值占空比;

第一感测组件,其被配置为确定电压调节器的输出电压是否小于第一阈值电压;及

调节组件,其耦接至占空比组件及第一感测组件,调节组件被配置为基于占空比大于阈值占空比的第一确定及电压调节器的输出电压小于第一阈值电压的第二确定而将输入电压传送至电压调节器的输出。

2.如权利要求1所述的电压调节器,其中调节组件进一步被配置为基于占空比小于或等于阈值占空比的第三确定或电压调节器的输出电压大于或等于第一阈值电压的第四确定而调节电压调节器的输出。

3.如权利要求1所述的电压调节器,进一步包括耦接至调节组件的第二感测组件,第二感测组件被配置为确定电压调节器的输入电压是否大于第二阈值电压。

4.如权利要求3所述的电压调节器,其中调节组件进一步被配置为基于电压调节器的输入电压大于第二阈值电压的第五确定而调节电压调节器的输出。

5.如权利要求4所述的电压调节器,其中第二阈值电压大于第一阈值电压。

6.如权利要求4所述的电压调节器,其中第一感测组件包括第一比较器。

7.如权利要求6所述的电压调节器,其中第二感测组件包括第二比较器。

8.如权利要求7所述的电压调节器,其中第一比较器耦接至电压调节器的输出及参考组件。

9.如权利要求8所述的电压调节器,其中第二比较器耦接至电压调节器的输出及参考组件。

10.如权利要求1所述的电压调节器,其中调节组件包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

11.如权利要求10所述的电压调节器,其中该MOSFET被配置为将输入电压传送至电压调节器的输出或调节电压调节器的输出。

12.一种电子设备,包括:

电压源,其被配置为提供输入电压;及

电压调节器,其耦接至电压源,电压调节器包括:占空比组件,其被配置为确定电压调节器的占空比是否大于阈值占空比;第一感测组件,其被配置为确定电压调节器的输出电压是否小于第一阈值电压;以及调节组件,其耦接至占空比组件及第一感测组件,调节组件被配置为基于占空比大于阈值占空比的第一确定及电压调节器的输出电压小于第一阈值电压的第二确定而将输入电压传送至电压调节器的输出。

13.如权利要求12所述的电子设备,其中调节组件进一步被配置为基于占空比小于或等于阈值占空比的第三确定或电压调节器的输出电压大于或等于第一阈值电压的第四确定而调节电压调节器的输出。

14.如权利要求12所述的电子设备,其中电压调节器进一步包括耦接至调节组件的第二感测组件,第二感测组件被配置为确定电压调节器的输入电压是否大于第二阈值电压。

15.如权利要求14所述的电子设备,其中调节组件进一步被配置为基于电压调节器的输入电压大于第二阈值电压的第五确定而调节电压调节器的输出。

16.如权利要求15所述的电子设备,其中第二阈值电压大于第一阈值电压。

17.如权利要求15所述的电子设备,其中第一感测组件包括第一比较器。

18.如权利要求17所述的电子设备,其中第二感测组件包括第二比较器。

19.如权利要求18所述的电子设备,其中第一比较器耦接至电压调节器的输出及参考组件。

20.如权利要求19所述的电子设备,其中第二比较器耦接至电压调节器的输出及参考组件。

21.如权利要求12所述的电子设备,其中调节组件包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

22.如权利要求21所述的电子设备,其中该MOSFET被配置为将输入电压传送至电压调节器的输出或调节电压调节器的输出。

23.一种用于操作电压调节器的方法,该方法包括:

确定电压调节器的占空比是否大于阈值占空比;

确定电压调节器的输出电压是否小于第一阈值电压;及

基于占空比大于阈值占空比的第一确定及电压调节器的输出电压小于第一阈值电压的第二确定而将输入电压传送至电压调节器的输出。

24.如权利要求23所述的方法,进一步包括基于占空比小于或等于阈值占空比的第三确定或电压调节器的输出电压大于或等于第一阈值电压的第四确定而调节电压调节器的输出。

25.如权利要求23所述的方法,进一步包括确定电压调节器的输入电压是否大于第二阈值电压。

26.如权利要求25所述的方法,进一步包括基于电压调节器的输入电压大于第二阈值电压的第五确定而调节电压调节器的输出。

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