一种预充电的汽车电动空调驱动器的制作方法

本发明涉及一种预充电的汽车电动空调驱动器，属于汽车电控领域。

背景技术：

随着新能源产业的不断发展，电动汽车已经越来越普及了。而电动汽车由于没有传统的燃油发动机，因此其空调压缩机是靠电机来驱动的，目前以无刷直流电机驱动压缩机最为流行。由于一般电动空调压缩机驱动器功率都在一个千瓦以上，因此系统给压缩机驱动器上电时需要配置预充电模块。现在大部分应用场景，该预充电模块都是外置；原因是该模块比较大，集成后使得驱动器体积变大，客户难以接受。不过目前也有趋势是整车厂要求空调厂家集成到驱动器内部。

预充电模块集成到内部的好处比较明显，空调驱动器可以监控电压的上升情况，到了切换点电压后，驱动器可以自行切入到正常工作模式，相比较外置预充电模块而言，基本不需要标定。

传统的内置预充电电路如图1所示。上电瞬间，由于PTC（或者一个功率电阻）的存在，电解CE1和CE2的电压并不会马上就建立起来达到DC+的电压值，而是慢慢地升高，等到单片机上电复位后，其ADC开始采集BusVoltage的电压值，一旦达到了预定值，单片机就会输出一个高电平的Relay信号；该信号会驱动NPN三极管Q1，从而打开了继电器Relay1使得继电器的2脚和5脚联通，PTC1被旁路，从而进入正常工作模式。

由上面的描述可以知道传统的预充电电路包含了一个继电器，该继电器成本较高且体积较大，搭配功率电阻或者PTC后很难放到一体化压缩机驱动器内部。因此目前该电路还是以外置为主。本发明就是针对这个难题，引入一个新型电路结构，可以解决继电器尺寸过大的问题。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是：为克服上述问题，提供一种整体体积更小的预充电的汽车电动空调驱动器。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种预充电的汽车电动空调驱动器，包括预充电电路，所述预充电电路连接输入，所述预充电电路还分别连接MOSFET功率电路、过流保护电路和低边MOSFET驱动器，所述低边MOSFET驱动器连接控制器，所述控制器还检测所述预充电电路的电压。

优选地，所述预充电电路包括两个并联的电解电容，所述两个电解电容的一个并联点连接输入，另外一个并联点通过功率电阻接地，所述功率电阻上并联有第一MOSFET管，所述低边MOSFET驱动器驱动所述第一MOSFET管开关。

优选地，所述过流保护电路包括比较器。

优选地，所述电解电容的额定电压为450V。

优选地，所述MOSFET功率电路包括MOSFET管Q2、MOSFET管Q3、MOSFET管Q4、MOSFET管Q5、MOSFET管Q6和 MOSFET管Q7，所述MOSFET管Q5、MOSFET管Q6和 MOSFET管Q7的一侧还分别连接有电阻R4、电阻R5和电阻R6。

优选地，所述功率电阻的阻值为500欧姆。

本发明的有益效果是：本发明优点其一是大电流的MOSFET比起继电器要便宜，特别是汽车级的；其二是同等功率的预充电电路，MOSFET体积更小；其三MOSFET寿命更长，开关次数不受限制；既降低了系统成本，又减小了体积，同时还提高了可靠性，具有较好的应用前景。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

图1是现有技术中一个实施例的电路图；

图2是本发明一个实施例的结构示意图；

图3是本发明一个实施例的电路图。

具体实施方式

现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。

实施例1

如图2所示的本发明所述一种预充电的汽车电动空调驱动器，包括预充电电路，所述预充电电路连接输入，所述预充电电路还分别连接MOSFET功率电路、过流保护电路和低边MOSFET驱动器，所述低边MOSFET驱动器连接控制器，所述控制器还检测所述预充电电路的电压，当所述预充电电路的电压值达到相应值时，所述控制器发送信号给低边MOSFET驱动器，驱动所述预充电电路接通，大电流就可以从所述预充电电路流过了，从而实现了预充电功能，进入正常工作模式，并且其采用MOSFET功率管来实现预充电电路内置和过流保护功能，既降低了系统成本，又减小了体积，同时还提高了可靠性，具有较好的应用前景。

在优选的实施方式中，所述预充电电路优选的包括两个并联的电解电容，所述两个电解电容的一个并联点连接输入，所述控制器检测两个所述电解电容上的电压，另外一个并联点通过功率电阻接地，所述功率电阻上并联有第一MOSFET管，当电解电容上的电压值达到相应值时，则发送信号给所述低边MOSFET驱动器驱动所述第一MOSFET管开关。

在优选的实施方式中，所述过流保护电路包括比较器，所述比较器用于检测对比所述第一MOSFET管开关上电流来实现过流保护功能。

在优选的实施方式中，所述电解电容最优选的额定电压为450V，但不限定于此，还可采用其他数值。

在优选的实施方式中，所述MOSFET功率电路包括MOSFET管Q2、MOSFET管Q3、MOSFET管Q4、MOSFET管Q5、MOSFET管Q6和 MOSFET管Q7，所述MOSFET管Q5、MOSFET管Q6和 MOSFET管Q7的一侧还分别连接有电阻R4、电阻R5和电阻R6，具体连接方式如图3所示。

在优选的实施方式中，所述功率电阻的阻值为500欧姆，但不限定于此，还可采用其他数值。

以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。