1.一种纯正弦波逆变器，其特征在于，包括第一纯正弦波发生器、第二纯正弦波发生器、第一放大触发电路、第二放大触发电路、反相器和升压变压器，所述第一放大触发电路包括第一电阻、第一电容、第一三极管、第二电容和第一MOS管，所述第二放大触发电路包括第四电阻、第二三极管和第二MOS管，所述第一电阻的一端与所述第一纯正弦波发生器连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第一三极管的基极和第一电容连接，所述第一三极管的发射极通过所述第二电容与所述第一MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的漏极与所述升压变压器的原边的一端连接，所述反相器的输入端与所述第二纯正弦波发生器连接，所述反相器的输出端通过所述第四电阻与所述第二三极管的基极连接，所述第二三极管的集电极连接直流电源，所述第二三极管的发射极与所述第二MOS管的栅极连接，所述第二MOS管的漏极与所述升压变压器的原边的另一端连接，所述第一MOS管和第二MOS管采用轮流式工作，所述升压变压器的副边输出纯正弦波的工频交流电。
2.根据权利要求1所述的纯正弦波逆变器，其特征在于，所述第一放大触发电路还包括第二电阻，所述第一三极管的集电极通过所述第二电阻连接所述直流电源。
3.根据权利要求2所述的纯正弦波逆变器，其特征在于，所述第一放大触发电路还包括第三电阻，所述第一三极管的发射极通过所述第三电阻接地。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的纯正弦波逆变器，其特征在于，所述第二放大触发电路还包括第五电阻，所述第二三极管的发射极通过所述第五电阻接地。
5.根据权利要求4所述的纯正弦波逆变器，其特征在于，所述升压变压器为中心抽头式升压变压器，所述升压变压器的中心抽头连接所述直流电源。
6.根据权利要求4所述的纯正弦波逆变器，其特征在于，所述第一MOS管和第二MOS管均为N沟道MOS管。
7.根据权利要求4所述的纯正弦波逆变器，其特征在于，所述反相器为CMOS反相器或TTL反相器。