1.逆变器的过压保护装置，其特征在于：
包括至少一个过压保护单元，各过压保护单元并联连接，且结构相同；
所述过压保护单元包括两个MOSFET、四个电阻、两个电容以及四个二极管，分别为第一MOSFET、第二MOSFET、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管、第三二极管以及第四二极管；
所述第一MOSFET、第一电阻、第二电阻、第一电容、第一二极管、第二二极管组成上桥臂电路；在上桥臂电路中，所述第一电阻并联在第一MOSFET的漏极和源极之间，所述第一电容和第一二极管串联之后并联在第一MOSFET的漏极和源极之间，所述第一二极管的阳极经第二电阻与第二二极管的阴极相连，所述第二二极管的阳极接地，所述第一二极管的阴极与第一MOSFET的源极相连，第一MOSFET的源极与第二MOSFET的漏极相连，第一MOSFET的漏极接外部直流电源；
所述第二MOSFET、第三电阻、第四电阻、第二电容、第三二极管和第四二极管组成下桥臂电路；在下桥臂电路中，所述第三电阻并联在第二MOSFET的漏极和源极之间，所述第三二极管和第二电容串联之后并联在第二MOSFET的漏极和源极之间，所述第二MOSFET的源极接地，所述第三二极管的阳极与第二MOSFET的漏极相连，所述第三二极管的阴极经第四电阻与第四二极管的阳极相连，所述第四二极管的阴极与第一MOSFET的漏极相连。
2.根据权利要求1所述的逆变器的过压保护装置，其特征在于：
所述第一MOSFET为Q8、第二MOSFET为Q5、第一电阻为R1、第二电阻为R3、第三电阻为R2、第四电阻为R4、第一电容为C1、第二电容为C8、第一二极管为D2、第二二极管为D3、第三二极管为D4以及第四二极管为D1；
所述Q8、R1、R3、C1、D2、D3组成上桥臂电路；在上桥臂电路中，所述R1并联在Q8的漏极和源极之间，所述C1和D2串联之后并联在Q8的漏极和源极之间，所述D2的阳极经R3与D3的阴极相连，所述D3的阳极接地，所述D2的阴极与Q8的源极相连，Q8的源极与Q5的漏极相连，Q8的漏极接外部直流电源；
所述Q5、R2、R4、C8、D4和D1组成下桥臂电路；在下桥臂电路中，所述R2并联在Q5的漏极和源极之间，所述D4和C8串联之后并联在Q5的漏极和源极之间，所述Q5的源极接地，所述D4的阳极与Q5的漏极相连，所述D4的阴极经R4与D1的阳极相连，所述D1的阴极与Q8的漏极相连。
3.根据权利要求1所述的逆变器的过压保护装置，其特征在于：所述第一电阻和第三电阻为压敏电阻。
4.根据权利要求1所述的逆变器的过压保护装置，其特征在于：所述各二极管为快恢复二极管或肖特基二极管。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的逆变器的过压保护装置，其特征在于：在所述外部直流电源的正负母线之间并联接入蓄能电容器。