充电装置的制作方法

文档序号:11958082阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种充电装置,所述充电装置包括壳体、电池和线圈,所述壳体具有围成收容腔的本体部,所述电池和线圈设于所述收容腔内,其特征在于,所述本体部内嵌设有磁导率不小于1000亨利/米的第一导磁元件。

2.根据权利要求1所述的充电装置,其特征在于,所述第一导磁元件的磁导率不大于10000亨利/米。

3.根据权利要求2所述的充电装置,其特征在于,所述第一导磁元件的磁导率的范围为7000至10000亨利/米。

4.根据权利要求1所述的充电装置,其特征在于,所述第一导磁元件采用硅钢,所述硅钢设置为带状或片状且叠加嵌设于所述本体部内。

5.根据权利要求1所述的充电装置,其特征在于,所述本体部包括贴近使用者的底壁、与所述底壁相对设置的顶壁及连接所述底壁和顶壁的侧壁,所述线圈邻近所述底壁,且所述第一导磁元件嵌设于所述底壁。

6.根据权利要求5所述的充电装置,其特征在于,所述底壁定义了一平面,所述线圈在所述平面上的投影与所述第一导磁元件在所述平面上的投影不重叠。

7.根据权利要求6所述的充电装置,其特征在于,所述线圈围成环状,且具有中空部,所述第一导磁元件延伸于所述中空部。

8.根据权利要求7所述的充电装置,其特征在于,所述线圈与所述侧壁之间具有一定间距,所述线圈具有邻近所述底壁的第一端部和与所述第一端部相对设置的第二端部,所述第一导磁元件与所述第二端部平齐。

9.根据权利要求6所述的充电装置,其特征在于,所述充电装置还包括用于将充电装置悬挂于使用者的挂袋,所述挂袋包围所述壳体,所述挂袋上设有第二导磁元件,所述第二导磁元件的磁导率不小于1000亨利/米,且所述第二导磁元件紧靠所述第一导磁元件设置。

10.根据权利要求9所述的充电装置,其特征在于,所述第二导磁元件嵌设于所述挂袋的外壁内,所述第一导磁元件在所述平面上的投影与所述第二导磁元件在所述平面上的投影至少部分重叠。

11.根据权利要求9所述的充电装置,其特征在于,所述第二导磁元件的磁导率的范围为7000至10000亨利/米。

12.根据权利要求1至11任一项所述的充电装置,其特征在于,所述充电装置为无线充电装置,用于给植入人体的医疗仪器充电。

当前第2页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1