1.一种基于冲击波美容治疗仪的逆变控制模块，其特征在于：包括电流控制型脉宽调制器、场效应晶体管MOS、端口以及绝缘栅双极型功率管IGBT；所述电流控制型脉宽调制器连接场效应晶体管MOS，所述场效应晶体管MOS连接端口，所述端口连接所述绝缘栅双极型功率管IGBT。
2.根据权利要求1所述的基于冲击波美容治疗仪的逆变控制模块，其特征在于：所述电流控制型脉宽调制器连接四个所述场效应晶体管MOS以便电流控制型脉宽调制器形成的PWM信号通过场效应晶体管MOS逆变控制信号。
3.根据权利要求2所述的基于冲击波美容治疗仪的逆变控制模块，其特征在于：所述端口的四个引脚分别连接四个所述场效应晶体管MOS。
4.根据权利要求1所述的基于冲击波美容治疗仪的逆变控制模块，其特征在于：所述绝缘栅双极型功率管IGBT的4个导通口分别连接所述端口的四个引脚。
5.根据权利要求1所述的基于冲击波美容治疗仪的逆变控制模块，其特征在于：所述电流控制型脉宽调制器为控制芯片SG3525。
6.根据权利要求1所述的基于冲击波美容治疗仪的逆变控制模块，其特征在于：所述电流控制型脉宽调制器、场效应晶体管MOS、端口以及绝缘栅双极型功率管IGBT构成高压逆变恒流电路。