1.一种手持电子数码设备连接器内嵌限温电子开关的保护装置，其特征是：所述保护装置包括一块控制芯片、一块电子功率开关和温度传感器；
所述电子功率开关为贴片式，所述电子功率开关为MOSFET，且为N-MOSFET（22-1）；
所述控制芯片包括电压变换器（111）、温度/电压的高精度转换（116）、温度上限基准电压（112）、温度下限基准电压（113）、基准选择开关（114）、电压比较器（115）、MOSFET栅极限压保护（118）、MOSFET栅极电压拉高电路（117），
连接器端口的充电连接线正极1号端子和负极2号端子分别接入电压变换器（111）正极端和负极端，电压变换器（111）输出连接MOSFET栅极电压拉高电路（117）；
基准选择开关（114）连接温度上限基准电压（112）和温度下限基准电压（113），并由电压比较器（115）输出反馈控制切换；基准选择开关（114）输出端接入电压比较器（115）输入端，电压比较器（115）另一输入端接入由温度传感器经温度/电压的高精度转换（116）的电压，两者在电压比较器（115）进行比较；电压比较器（115）输出端3号端子并接MOSFET栅极限压保护（118）和MOSFET栅极电压拉高电路（117）另一端，同时并接到控制芯片外部的N-MOSFET（22-1）栅极；
MOSFET栅极限压保护（118）另一端和N-MOSFET（22-1）源极共同连接至充电连接线负极2号端子，N-MOSFET（22-1）漏极连接电子数码设备输入负极端，电子数码设备输入正极端连接充电连接线正极1号端子。
2.根据权利要求1所述的限温电子开关的保护装置，其特征是：所述温度传感器为第一型温度传感器（110），第一型温度传感器（110）与所述控制芯片组成一体构成第一型控制芯片（21-1），第一型控制芯片（21-1）为贴片式。
3.根据权利要求1所述的限温电子开关的保护装置，其特征是：所述控制芯片为第三型控制芯片（31-1），第三型控制芯片（31-1）为贴片式；所述温度传感器为第二型温度传感器（33），第二型温度传感器（33）为贴片式温度传感器。
4.根据权利要求2或3所述的限温电子开关的保护装置，其特征是：所述温度传感器包括热敏电阻、二极管或三极管。
5.一种手持电子数码设备连接器内嵌限温电子开关的保护装置，其特征是：所述保护装置包括一块控制芯片、一块电子功率开关和温度传感器；
所述电子功率开关为贴片式，所述电子功率开关为MOSFET，且为P-MOSFET（22-2）；
所述控制芯片包括电压变换器（111）、温度/电压的高精度转换（116）、温度上限基准电压（112）、温度下限基准电压（113）、基准选择开关（114）、电压比较器（115）、MOSFET栅极限压保护（118）、MOSFET栅极电压拉低电路（119），
连接器端口的充电连接线正极1号端子和负极2号端子分别接入电压变换器（111）正极端和负极端，电压变换器（111）输出连接MOSFET栅极电压拉低电路（119）；
基准选择开关（114）连接温度上限基准电压（112）和温度下限基准电压（113），并由电压比较器（115）输出反馈控制切换；基准选择开关（114）输出端接入电压比较器（115）输入端，电压比较器（115）另一输入端接入由温度传感器经温度/电压的高精度转换（116）的电压，两者在电压比较器（115）进行比较；电压比较器（115）输出端3号端子并接MOSFET栅极限压保护（118）和MOSFET栅极电压拉低电路（119）另一端，同时并接到控制芯片外部的P-MOSFET（22-2）栅极；
MOSFET栅极限压保护（118）另一端和P-MOSFET（22-2）源极共同连接至充电连接线正极1号端子，P-MOSFET（22-2）漏极连接电子数码设备输入正极端，电子数码设备输入负极端连接充电连接线负极2号端子。
6.根据权利要求5所述的限温电子开关的保护装置，其特征是：所述温度传感器为第一型温度传感器（110），第一型温度传感器（110）与所述控制芯片组成一体构成第二型控制芯片（21-2），第二型控制芯片（21-2）为贴片式。
7.根据权利要求5所述的限温电子开关的保护装置，其特征是：所述控制芯片为第四型控制芯片（31-2），第四型控制芯片（31-2）为贴片式；所述温度传感器为第二型温度传感器（33），第二型温度传感器（33）为贴片式温度传感器。
8.根据权利要求6或7所述的限温电子开关的保护装置，其特征是：所述温度传感器包括热敏电阻、二极管或三极管。