过压保护电路和LED驱动装置的制作方法

文档序号:11764399阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种过压保护电路,其特征在于,包括:

电流生成模块,用于生成第一电流和第二电流,其中,所述第一电流为在电流检测模式下,所述电流生成模块中的第一场效应晶体管采集可调电阻上的电流得到的电流,所述第二电流为在开路保护工作模式下,所述第一场效应晶体管采集所述可调电阻上的电流得到的电流;

电流检测模块,与所述电流生成模块连接,用于采集并对所述第一电流和所述第二电流进行运算,以得到补偿电流;

充电模块,一端与所述电流检测模块连接,另一端与所述电流生成模块连接,用于采集所述电流生成模块生成的所述第二电流和所述电流检测模块运算得到的所述补偿电流,并根据所述第二电流和所述补偿电流对目标电容进行充电。

2.根据权利要求1所述的过压保护电路,其特征在于,所述电流检测模块包括:

第一电流采集单元,其中,所述第一电流采集单元中的第二场效应晶体管的栅极与所述第一场效应晶体管的栅极连接,通过所述第二场效应晶体管的漏极采集所述第一电流;

第二电流采集单元,其中,所述第二电流采集单元中的第三场效应晶体管的栅极与所述第一场效应晶体管的栅极连接,通过所述第三场效应晶体管的漏极采集所述第二电流;

运算单元,用于根据所述第一电流和所述第二电流进行运算,以得到所述补偿电流。

3.根据权利要求1所述的过压保护电路,其特征在于,所述充电模块包括:

第三电流采集单元,其中,所述第三电流采集单元中的第四场效应晶体管的栅极与所述第一场效应晶体管的栅极连接,通过第四场效应晶体管的漏极采集所述第二电流,所述第四场效应晶体管的源极与所述电流检测模块连接,通过所述第四场效应晶体管的源极采集所述补偿电流。

4.根据权利要求1所述的过压保护电路,其特征在于,所述过压保护电路还包括:

比较模块,与所述充电模块连接,用于从所述充电模块中获取所述目标电容的电压,并将获取的所述目标电容的电压与基准电压进行比较。

5.根据权利要求4所述的过压保护电路,其特征在于,所述过压保护电路还包括:

逻辑控制模块,一端与所述比较模块连接,另一端与电源开关管连接,用于根据所述比较模块的比较结果控制所述电源开关管的闭合或断开。

6.根据权利要求1所述的过压保护电路,其特征在于,所述电流检测模块包括:

采样保持电路,与所述电流检测模块中的目标电阻连接,用于采集所述电流检测模块中所述目标电阻上的电压,并保持所述电压不变。

7.根据权利要求1所述的过压保护电路,其特征在于,所述电流生成模块包括:第一开关和第二开关,其中,

在所述电流检测模式下,所述第一开关断开,且所述第二开关闭合,其中,所述可调电阻上的电压为第一电压。

8.根据权利要求7所述的过压保护电路,其特征在于,

在所述开路保护工作模式下,所述第一开关闭合,且所述第二开关断开,其中,所述可调电阻上的电压为第二电压,所述第二电压低于所述第一电压。

9.一种LED驱动装置,其特征在于,包括:权利要求1至权利要求8中任一项所述的过压保护电路。

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